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最新专利技术
  • 一种工序跳站方法及装置
    一种工序跳站方法及装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411480851.0
    本申请提供一种工序跳站方法及装置，包括：根据预置标识符，获取晶圆的第一工序信息，其中，第一工序信息包括目标工序和执行目标工序的工艺参数；获取第一工序信息对应的第二工序信息，第二工序信息包括根据工艺参数对晶圆进行加工后生成的工序状态信息；根据...
    2026-05-01
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411479897.0
    本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其中半导体工艺腔室包括：腔室本体、进气组件和承载装置；进气组件封盖腔室本体，以与腔室本体围成容置腔；承载装置包括座体、承载盘、驱动器和第一伸缩密封件；座体和承载盘均设置于容置腔内，承载盘...
    2026-05-01
  • 工艺腔室和半导体设备
    工艺腔室和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411472401.7
    本发明公开一种工艺腔室和半导体设备，所公开的工艺腔室包括腔室本体、设于腔室本体内的基座以及相对设置的两个第一衬板，其中：腔室本体具有沿第一方向相对设置的第一进气口和第一排气口，第一进气口和第一排气口分别分布于腔室本体的两侧；腔室本体内沿第一...
    2026-05-01
  • 基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法
    基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法_青岛华芯晶电科技有限公司_202610369878.5
    本发明公开了基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法及系统，涉及半导体材料加工技术领域。该方法包括：获取不同晶向上的基准晶格响应速率、恢复速率与畸变可逆范围阈值；清洗过程中实时测量各区域的流体冲击压力和晶格应变值，生成实时晶格响应速率；间歇...
    2026-05-01
  • 一种衬底表面清洗方法和设备
    一种衬底表面清洗方法和设备_北京智创芯源科技有限公司_202610107022.0
    本申请涉及清洗领域，公开了一种衬底表面清洗方法和设备，方法包括当衬底固定在载台，控制所述载台转动；向清洗头的布液腔室中泵入清洗液，以使清洗液穿过所述清洗头的微孔膜在所述衬底与所述清洗头相对的表面形成层流，对所述衬底的表面进行清洗；所述微孔膜...
    2026-05-01
  • 晶圆清洗架及其设备
    晶圆清洗架及其设备_荣耀电子材料(重庆)有限公司_202411432481.3
    一种晶圆清洗架及其设备，涉及半导体制造技术领域。该晶圆清洗架包括清洗盒和提手；清洗盒设置有容纳方形晶圆的容纳腔；提手与清洗盒可拆装连接；清洗盒包括支撑板和支撑柱；支撑柱包括支撑底柱、第一支撑侧柱和第二支撑侧柱；支撑底柱设置在支撑板的底部，用...
    2026-05-01
  • 一种半导体芯片裂片机
    一种半导体芯片裂片机_江苏唐龙电子科技有限公司_202610108163.4
    本发明涉及裂片机技术领域，公开了一种半导体芯片裂片机，包括侧板，侧板之间固定连接有顶台，侧板之间滑动连接有收集箱，收集箱一侧连接有输送架，顶台上转动连接有支撑框，顶台上贯穿连接有升降杆，升降杆上端连接有连接盘，连接盘下端连接有弹簧一，弹簧一...
    2026-05-01
  • 半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法
    半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511504051.2
    半导体芯片、半导体晶片和制造半导体芯片的方法。在实施例中，提供了一种制造半导体芯片的方法。该方法包括：提供半导体晶片；在组件位置中形成有源器件结构，其中截口区位于邻近组件位置和组件位置之间中的至少一个；至少部分地在截口区中的一个或多个中形成...
    2026-05-01
  • 保护带剥离设备
    保护带剥离设备_三星电子株式会社_202511490990.6
    一种保护带剥离设备可以包括：支撑台，其被配置为支撑与相应保护带附接的晶片；辊保持器，其具有上夹送辊和下夹送辊，用于将从晶片剥离的保护带在上夹送辊与下夹送辊之间移动；附接部，其用于将位于上夹送辊与下夹送辊之间的保护带的一个端部附接到与支撑台上...
    2026-05-01
  • 一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件
    一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件_慕德微纳(杭州)科技有限公司_202610386171.5
    本发明涉及一种激光辅助异质键合剥离方法、异质键合结构和光学元件，方法，包括以下步骤，准备受体衬底和供体衬底，所述供体衬底具有相对的第一表面和第二表面；将所述受体衬底的待结合面与所述第二表面进行键合；自所述第一表面将激光聚焦于所述供体衬底内部...
    2026-05-01
  • 一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法
    一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202610380213.4
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于扇出型产品释放应力的工艺方法, 包括：将晶圆背面朝下固定；在浸泡槽中注入药液并控制药液温度至设定值；控制晶圆与药液液面相对运动，以使药液浸没晶圆背面设定深度；持续监测晶圆背面腐蚀深度并判断腐蚀速率，...
    2026-05-01
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511841965.8
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。解决现有含金属硬掩膜工艺中晶圆膜层金属沾污含量高，以及现有金属沾污去除方法效率低、均匀性差、难以与现有半导体制造流程高效集成等问题。一种半导体结构，所述半导体结构经由含金属硬...
    2026-05-01
  • 一种半导体结构、形成方法及相关器件
    一种半导体结构、形成方法及相关器件_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411482274.9
    本公开实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一硬掩膜层；刻蚀去除第一硬掩膜层的部分区域直至暴露衬底，形成多个相互间隔的第一掩膜结构，其中，所述第一硬掩膜层在刻蚀后存在刻蚀残留，以相邻第一掩膜...
    2026-05-01
  • 半导体终端结构、制备方法及半导体器件
    半导体终端结构、制备方法及半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202610107195.2
    本申请提供了一种半导体终端结构、制备方法及半导体器件，所述制备方法包括：提供第一导电类型的衬底；对所述衬底进行第一次离子注入，形成第二导电类型的第一掺杂结区，所述第一掺杂结区为VLD区；对所述衬底进行第二次离子注入，形成第二导电类型的第二掺...
    2026-05-01
  • 一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法
    一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法_上海申和投资有限公司_202512002538.7
    本发明提供了一种通过快速凝固法制备碲化铋基热电材料的方法。将Bi、Sb、Te元素的熔炼合金熔体通过喷射方式注入高速旋转的冷却介质铜辊中快速凝固，并在惰性氛围下进行退火处理优化相结构。通过结合快速凝固与短时热处理，避免了高温长时过程导致的相分...
    2026-05-01
  • 一种氧化锡薄膜的制备方法
    一种氧化锡薄膜的制备方法_山东能源集团有限公司_202511945863.0
    本发明涉及一种氧化锡薄膜的制备方法，涉及半导体材料技术领域，其中，所述制备方法包括在基底表面先进行四(二甲基氨基)锡脉冲，然后氮气第一次吹扫，随后用H2O2溶液进行脉冲，然后氮气第二次吹扫，再进行混合气脉冲，然后用氮气第三次吹扫，重复循环上...
    2026-05-01
  • 一种晶圆键合装置及控制方法
    一种晶圆键合装置及控制方法_达波科技(上海)有限公司_202610344263.7
    本申请公开了一种晶圆键合装置及控制方法，晶圆键合装置包括承载台、转动设置于承载台的第一转动部及第二转动部；第一转动部包括晶圆固定件，第二转动部包括晶圆吸附件；晶圆固定件用于承托键合后的两个晶圆；晶圆吸附件能够驱动两个对接后的晶圆完成键合，晶...
    2026-05-01
  • 低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺
    低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺_西安电子科技大学杭州研究院_202610373973.2
    本发明公开了一种低写入电压高耐久性的反铁电隧穿结存储器件及其制备工艺，属于集成电路存储技术领域。该器件自下而上包括高功函数底电极、TiON或TiO2界面层、反铁电ZrO2层及低功函数顶电极。本发明利用电极功函数差与界面偶极子协同产生的内建电...
    2026-05-01
  • 电阻式存储器结构及其制作方法
    电阻式存储器结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411628208.8
    本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含：基底；存储器堆叠结构，设置于该基底上，其中，该存储器堆叠结构包含底电极层、设置于该底电极层上的切换层、设置于该切换层上的顶电极层，以及设置于该存储器堆叠结构侧壁上的氧化...
    2026-05-01
  • 铁电忆阻器及其制备方法
    铁电忆阻器及其制备方法_苏州实验室_202610385909.6
    本申请涉及半导体材料与器件技术领域，公开了一种铁电忆阻器及其制备方法。本申请的铁电忆阻器，包括：自上而下依次设置的第一电极层、第一AlScN铁电层、第二AlScN铁电层以及第二电极层；其中，第一AlScN铁电层至少部分覆盖第一电极层，第二A...
    2026-05-01
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