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最新专利技术
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202610113145.5
    本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。显示面板包括：第一金属层包括第一晶体管的栅极，第一晶体管的栅极部分复用为第一电容的第一极板；第二金属层包括第一电极部，第一电极部包括第一电容的第二极板；第三金属层包括时钟信号线，时钟信...
    2026-05-01
  • 阵列基板及显示装置
    阵列基板及显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202411459917.8
    本发明实施例提供的阵列基板及显示装置，包括：衬底基板以及位于衬底基板上的栅极驱动电路和信号走线区；栅极驱动电路包括：输入晶体管，输入晶体管的一侧为信号走线区；输入晶体管的栅极与输入信号端电连接，输入晶体管的第一极与输入信号端电连接，输入晶体...
    2026-05-01
  • 显示设备和包括该显示设备的电子设备
    显示设备和包括该显示设备的电子设备_三星显示有限公司_202511476884.2
    本申请涉及显示设备和包括该显示设备的电子设备。显示设备，包括：第一‑第一栅极线，包括第一‑第一‑第一栅极线、第一‑第一‑第二栅极线以及将第一‑第一‑第一栅极线和第一‑第一‑第二栅极线彼此连接的第一桥接线，并且在第一方向上延伸；以及第一‑第二...
    2026-05-01
  • 一种显示模组及其制备方法
    一种显示模组及其制备方法_中微半导体设备(广州)有限公司_202411480640.7
    本发明公开了一种显示模组及其制备方法，该显示模组的制备方法包含：在基板的第二面制备电子诱导层；在所述基板的第一面制备显示像素开关电路层；在所述基板的第一面及其竖立面制备导电层，使得所述导电层包覆所述显示像素开关电路层并与所述电子诱导层连接；...
    2026-05-01
  • 电路器件及其形成方法
    电路器件及其形成方法_三星电子株式会社_202511512044.7
    本公开涉及电路器件及其形成方法。该电路器件包括：衬底，具有有源区和与有源区的外围相邻的无源区；下部沟道结构，在有源区中和在无源区中包括堆叠在衬底上的一个或更多个下部沟道图案；隔离图案，在下部沟道结构上并与衬底相反；以及上部沟道结构，包括堆叠...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510901850.7
    一种半导体器件，包括：在衬底上沿第一水平方向延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在第二水平方向上间隔开；场绝缘层，在衬底上并围绕第一有源图案和第二有源图案的侧壁；第一栅电极和第二栅电极，分别在第一有源图案和第二有源图...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510975597.X
    本公开涉及一种半导体器件，并且根据实施例的半导体器件包括：包括具有第一导电类型的第一阱区和具有第二导电类型的第二阱区的衬底、位于第一阱区中的第一下图案、位于第二阱区中的第二下图案、位于第一下图案上的第一沟道图案、位于第二下图案上的第二沟道图...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510704772.1
    半导体装置可以包括下布线图案、下绝缘层、沟道图案、栅电极、第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案，第一源极/漏极图案包括第一下部区域和第一中间区域。第二源极/漏极图案包括第二下部区域和第二中间区域。半导体装置进一步包括连接下布线图案和第一源...
    2026-05-01
  • 一种电场调控型GaN增强器件及其制备方法
    一种电场调控型GaN增强器件及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610372286.9
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种电场调控型GaN增强器件，包括衬底层、位于衬底层上方的MOS元胞和氮化镓结构以及介质层，所述MOS元胞从下向上分别有扩散层、阱区、源区以及MOS栅极，其中MOS栅极的两侧分别包括有MOS漏极和MO...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202610101334.0
    具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202511209154.6
    提供半导体装置，其具备：n型的第一半导体区域(11)；以及n型的公共接触区域(12)，其在第一半导体区域之上局部地以高杂质浓度形成，与兼作开关元件的第一主电极和保护元件侧的保护元件侧第一电极的公共电极连接，在开关元件区域(R1)中设置有：在...
    2026-05-01
  • 电熔丝选通器件及其制造方法和电熔丝电路
    电熔丝选通器件及其制造方法和电熔丝电路_广州增芯科技有限公司_202511940623.1
    本申请公开了一种电熔丝选通器件及其制造方法和电熔丝电路，所述电熔丝选通器件包括：多个双极晶体管，各所述双极晶体管包括发射区、围绕发射区设置的基区以及围绕所述基区设置的集电区，各所述发射区以及各所述基区分别用于形成对应各双极晶体管的发射极和基...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511511271.8
    提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有第一极性的半导体壁；第一半导体层，沿着与第一方向交叉的第二方向在半导体壁的第一侧，第一半导体层具有第一极性或与第一极性相反的第二极性；以及背侧隔离结构，沿着与第一方向和第二方向交叉的第...
    2026-05-01
  • 共集成半导体结构以及制造共集成半导体结构的方法
    共集成半导体结构以及制造共集成半导体结构的方法_IMEC非营利协会_202511216038.7
    一种用于从第一叠层(100)和第二叠层(200)制造共集成半导体结构(1)的方法，第一叠层(100)包括沟道层(10)和在其上的至少一个子叠层(150)，其中至少一个子叠层(150)中的每一个从底部向上包括第一类型的牺牲层(21)、第一细长...
    2026-05-01
  • 具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法
    具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510877420.6
    本公开涉及具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法。在形成半导体器件的栅极结构期间，在半导体器件的不同区域中的栅极电介质材料上形成包括不同偶极子形成元素和/或具有不同厚度的偶极子层。接下来，执行偶极子驱入工艺(例如，热工艺)以将偶极子层的偶...
    2026-05-01
  • 用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法
    用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610102515.5
    本申请涉及一种用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法，结构包括：衬底；衬底顶面设置有的第一导电类型的外延层；阱区，位于外延层远离衬底的一侧，阱区包括源极结构、栅极结构及第二导电类型的保护区；源极结构与栅极结构沿第一方向贯穿阱区，沿第二方向...
    2026-05-01
  • 一种集成双钳位MOSFET的SOI-LIGBT器件
    一种集成双钳位MOSFET的SOI-LIGBT器件_重庆市集成电路协同创新中心_202511981780.7
    本发明涉及一种集成双钳位MOSFET的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、阳极N+区、钳位N+1区、钳位N+2区、正向钳位栅氧化层...
    2026-05-01
  • 具有形成在保护衬垫上的阳极氧化阻挡层的集成结构以及对应的方法
    具有形成在保护衬垫上的阳极氧化阻挡层的集成结构以及对应的方法_株式会社村田制作所_202511497501.X
    一种集成结构和制造集成结构的方法，该集成结构包括：衬底(100, 101)；导电层，该导电层具有第一腔，该第一腔(102C)填充有第一绝缘区(103F)，该第一绝缘区具有与导电层的顶表面齐平的顶表面，从而形成第一平坦表面(F1)；保护衬垫(...
    2026-05-01
  • 双向阻断的半导体器件及其制备方法
    双向阻断的半导体器件及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202610344768.3
    本发明提供一种双向阻断的半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一MOS管芯片，具有第一漏区；第二MOS管芯片，具有第二漏区；其中，第一漏区与第二漏区面对面直接键合，形成导电键合界面，以使第一MOS管芯片与第二MOS管芯片沿垂直方向堆叠，...
    2026-05-01
  • 一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺
    一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺_福建省福联集成电路有限公司_202511845327.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺，工艺为：在第一金属电极上的P I层上涂布LOR光阻并软烘；在LOR光阻上涂布第一光阻层，并进行光刻开图，LOR光阻未曝光区域溶解形成undercut形貌...
    2026-05-01
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