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最新专利技术
  • 传送装置、传送方法及作业设备
    传送装置、传送方法及作业设备_万润科技股份有限公司_202510023075.X
    本发明有关一种传送装置、传送方法及作业设备。该作业设备在作业装置的一侧设有该传送装置。该传送装置设有机台，及设于机台的置放单元与传送单元。该置放单元可供料盒置放。该传送单元的传送座可被驱动而相对机台在第一状态与第二状态之间旋转。当该传送座位...
    2026-05-01
  • 解锁机构、开盒装置、传输装置、半导体设备及控制方法
    解锁机构、开盒装置、传输装置、半导体设备及控制方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202610076231.3
    本申请提供了解锁机构、开盒装置、传输装置、半导体设备及控制方法，涉及半导体领域，解锁机构包括承载座、驱动组件和顶推组件，承载座用于承载掩膜盒，掩膜盒包括盒体和盒盖，盒体和盒盖通过锁扣与锁舌扣合；驱动组件安装于承载座；顶推组件与驱动组件驱动连...
    2026-05-01
  • 一种用于晶圆烘烤的双温度检测及加热控制方法及系统
    一种用于晶圆烘烤的双温度检测及加热控制方法及系统_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202610003990.7
    本发明公开一种用于晶圆烘烤单元的双温度检测及加热控制方法及系统，通过传感器、加热器、控制支路以及远程上位机相互配合，通过人机界面采集用户输入的算法参数和工作指令；解析工作指令为温度传感器采集指令发送给加热盘和加热盘盖上各温度传感器进行数据采...
    2026-05-01
  • 混合液控制装置、方法和清洗设备
    混合液控制装置、方法和清洗设备_至微半导体(上海)有限公司_202512010187.4
    本申请涉及一种混合液控制装置、方法和清洗设备。混合液控制装置包括第一供液模组、第二供液模组和控制模组，控制模组与第一供液模组和第二供液模组连接，第一供液模组和第二供液模组与多个溶液源连接；控制模组用于根据目标参数控制第一供液模组和第二供液模...
    2026-05-01
  • 基板处理系统、接口装置以及基板处理方法
    基板处理系统、接口装置以及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202512002845.5
    本发明涉及基板处理系统、接口装置以及基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有：批量处理部，其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理批次的基板；...
    2026-05-01
  • 基板处理系统和基板处理方法
    基板处理系统和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202512002843.6
    本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使成批地处理的多片基板的间距变窄且能够抑制基板与输送机器人之间的干涉的技术。基板处理系统具有：批量处理部，其成批地处理以第1间距包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理批次的基板；以及接口部，...
    2026-05-01
  • 一种密闭真空化学槽
    一种密闭真空化学槽_浙江厚积科技有限公司_202511955429.0
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种密闭真空化学槽，此种化学槽通过抽真空的设计能够有效的将液体和吸附在晶圆上的气泡导出，提高良品率。包括化学槽体，化学槽体的顶部和底部分别连接有化学液循环管，在化学槽体的外部设置有隔离件，隔离件在化学槽体外部...
    2026-05-01
  • 晶圆中的位置量测方法、装置、电子设备及存储介质
    晶圆中的位置量测方法、装置、电子设备及存储介质_苏州镁伽科技有限公司_202511928693.5
    本发明提供一种晶圆中的位置量测方法、装置、电子设备及存储介质。该晶圆中的位置量测方法包括：对目标晶圆中的多个目标对准标记进行检测，以确定所述多个目标对准标记的检测位置；根据每个目标对准标记的检测位置和理论位置，确定所述目标晶圆中的位置点和位...
    2026-05-01
  • 一种用于芯片贴合的倾斜机构
    一种用于芯片贴合的倾斜机构_东莞触点智能装备有限公司_202511833546.X
    本发明公开了一种用于芯片贴合的倾斜机构，包括：基座、用于拾取芯片的拾取座，所述的拾取座通过一调节机构安装在基座上，所述的调节机构包括：与拾取座固定连接的中心轴、设置在中心轴顶端的球头、以及一球面座；所述的球面座具有与球头配合的内凹球面；外力...
    2026-05-01
  • 一种芯片封装装置及其使用方法
    一种芯片封装装置及其使用方法_苏州大学_202511827305.4
    本发明公开了阳极键合、芯片定位和芯片封装技术领域的一种芯片封装装置及其使用方法，包括：机体模块、键合模块、上料模块、下料模块、传动模块和驱动模块，芯片封装时，原材料经由上料模块上料，随后运输至键合模块进行键合，再运输至下料模块下料；所述驱动...
    2026-05-01
  • 衬底处理方法及衬底处理装置
    衬底处理方法及衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202511485483.3
    本发明涉及一种处理衬底的衬底处理方法及衬底处理装置。本发明提供一种衬底处理方法，其能够高效地在衬底的上表面生成包含成分液及成分气体的处理液。本发明的衬底处理方法包含：密闭步骤，将遮挡部件(41)与衬底固持器(14)之间的间隙密闭，由此以成分...
    2026-05-01
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411449278.7
    本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在对半导体基底的背面执行减薄工艺和离子注入工艺之前，在所述半导体基底的正面贴附保护膜，从而可以保护所述半导体基底的正面，防止在对所述半导体基底的背面执行半导体工艺的过程中，伤害所述半导体基底的正面，减少...
    2026-05-01
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202610141110.2
    基板处理装置包括：刷，清洗由保持旋转部保持的基板；刷保持部，能够装卸地保持刷；臂，在前端部设置有刷保持部；刷回收部，从刷保持部回收刷；刷安装部，保管未使用的刷，将保管的未使用的刷安装于刷保持部；以及刷移动机构(升降机构及回转驱动部)，经由臂...
    2026-05-01
  • 一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法
    一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511952533.4
    本发明公开了一种用于非平面微结构表面的清洁装置及其清洁方法，涉及半导体制造技术领域。该用于非平面微结构表面的清洁装置，真空系统与真空腔体连通，用于在清洁过程中维持真空腔体内的负压环境。承载台设于真空腔体内，用于装载工件，并使工件的待清洁面暴...
    2026-05-01
  • 一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置及其使用方法
    一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置及其使用方法_张道高_202310490267.2
    本发明涉及清洗领域，本发明公开了一种太阳能光伏电池板的硅片清洗装置，通过设置除油机构，利用配置除油剂对硅板表面进行除油，筛板防止杂物以及结块后的除油粉进入溶解箱，同时搅拌机构解决了除油剂混合慢且在底部沉淀的问题，利用搅板和搅板上的搅轮对除油...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202610063959.2
    本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；形成顶层堆叠介质层于所述基底的所述第一主面的上方，形成包括所述基底和所述顶层堆叠介质层的半导体结构，所...
    2026-05-01
  • 一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置
    一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置_海目星激光科技集团股份有限公司_202511858180.1
    本发明涉及一种基于激光隐切的金刚石剥离方法及装置，所述基于激光隐切的金刚石剥离方法包括提供衬底，通过微波等离子体化学气相沉积法，在衬底上生长形成金刚石毛坯；提供多焦点激光束，从金刚石毛坯的生长面入射，将焦点聚焦于金刚石毛坯内部的预定深度，并...
    2026-05-01
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511349709.7
    本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，利用臭氧水高效地对基板进行处理。基板处理方法包括浸渍工序和加热工序。在浸渍工序中，使基板浸在臭氧水中。在加热工序中，在使基板浸在臭氧水中的状态下，向基板照射能够透过臭氧水的波长的光来将基板进行加热。
    2026-05-01
  • 一种SiC表面纳米级平坦化方法
    一种SiC表面纳米级平坦化方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511931946.4
    本发明公开了一种SiC表面纳米级平坦化方法，涉及半导体技术领域，包括：提供一SiC衬底，SiC衬底包括纳米级起伏的凹凸表面；采用热氧化工艺，在SiC衬底的表面生长SiO2牺牲层；对由SiC衬底和SiO2牺牲层组成的结构进行退火，并冷却；根据...
    2026-05-01
  • 半导体器件的工艺方法及其工艺设备
    半导体器件的工艺方法及其工艺设备_上海稷以科技有限公司_202610098637.1
    本发明公开了一种半导体器件的工艺方法及其工艺设备。该工艺方法包括以下步骤：获取具有原始薄膜的衬底；向工艺腔内通入第一气体；以及对所述第一气体进行高温等离子体处理，使其电离受激释放紫外光子，以经由所述紫外光子穿透所述原始薄膜表面，去除其内部的...
    2026-05-01
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