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最新专利技术
  • 一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法
    一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法_丁水德_202310474785.5
    本发明涉及太阳能光伏板检测技术领域，且公开了一种生产用太阳能光伏板的检测装置及检测方法。本发明包括箱体，输送机构和上料机构，箱体包括运输仓和上料仓，运输仓上方设置有探灯和显示器，运输仓内设置有内齿导轨，运输仓设置在底板上方，上料仓设置在底板...
    2026-05-01
  • 可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法
    可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法_上海叠铖光电科技有限公司_202411465624.0
    本发明公开了可见光芯片与红外芯片集成的晶圆级封装结构及封装方法，包括可见光晶圆和红外晶圆，以及可见光晶圆和红外晶圆之间的深腔框架晶圆；可见光晶圆包含若干可透过红外光谱的可见光芯片；深腔框架晶圆包含若干深腔框架芯片；每一深腔框架芯片均为中空围...
    2026-05-01
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511883056.0
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，所述平板探测器包括闪烁体层、微囊体层和图像传感器层，所述闪烁体层用于将X射线转化为可见光；所述微囊体层设置在闪烁体层下，用于吸收部分可见光；所述图像传感器层设置在所述微囊体层下，用于接收通过所述微...
    2026-05-01
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511434165.4
    提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素区域，包括基底中的第一光电转换区域(PD)；第二像素区域，包括基底中的第二光电转换区域(PD)；PD分离图案，在第一PD与第二PD之间；传输栅极...
    2026-05-01
  • 一种片上集成单次自相关仪及其测量方法
    一种片上集成单次自相关仪及其测量方法_西北工业大学_202610022347.9
    本发明属于脉冲特性测量技术领域，涉及一种片上集成单次自相关仪及其测量方法。该自相关仪包括SOI基底，在SOI基底上刻蚀形成光子晶体波导，在光子晶体波导上依次设置绝缘层、硒化铟层及铬金电极阵列；光子晶体波导由中间区域的直波导区域和两侧的光子晶...
    2026-05-01
  • 单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达
    单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202511983338.8
    本申请属于光器件技术领域，提供了一种单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达，至少两个SPAD单元呈阵列设置，微透镜将入射光汇聚至对应的SPAD单元上，背面金属网格连接SPAD单元与对应的外部电极，第一介质层设置于微透镜与SPAD单元之间...
    2026-05-01
  • 一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面
    一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面_南京信息工程大学_202610378197.5
    本发明公开一种基于栅调制光电增益的中红外探测阵面，所述中红外探测阵面构建于柔性绝缘基底上，包括若干呈周期性阵列排布的像素单元，像素单元自下而上依次包括：栅极、绝缘层、源极、有源层、漏极；有源层包括依次覆盖于源极上的硒化铅薄膜、二维二硫化钼层...
    2026-05-01
  • 半导体结构及半导体器件的制备方法
    半导体结构及半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610360205.3
    本申请提供了一种半导体结构及半导体器件的制备方法，属于半导体领域。该方法包括：先形成深度不同的预刻蚀宽沟槽和预刻蚀窄沟槽，随后在沟槽中填充阻挡层，将预刻蚀宽沟槽和预刻蚀窄沟槽的深度之差转变为阻挡层的厚度之差。由于阻挡层存在厚度之差，当去除预...
    2026-05-01
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511954957.4
    一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，该基板包括彼此相邻的第一和第二像素；在基板中将第一和第二像素彼此隔离的器件隔离部分；在第一和第二像素的第一表面上的传输栅极；在第一和第二像素之一中的接地区域；以及堆叠在第二表面上的...
    2026-05-01
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511897735.3
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，在衬底的第二表面形成层间介质层，其中，层间介质层中形成有互连结构；在衬底中形成自第一表面向内延伸的沟槽，沟槽露出部分互连结构；形成覆盖沟...
    2026-05-01
  • 一种等离激元增强型自驱动光电探测器及其制备方法
    一种等离激元增强型自驱动光电探测器及其制备方法_广东工业大学_202610107713.0
    本发明公开了一种等离激元增强型自驱动光电探测器及其制备方法。该光电探测器自下而上包括石英衬底、底层金属电极、底层石墨烯、WS₂层、h‑BN绝缘层、等离激元层、顶层石墨烯和顶层金属电极。制备时，先在石英衬底上利用光刻和电子束蒸镀技术制备底层金...
    2026-05-01
  • 一种碳纳米管雪崩光电探测器及其制作方法
    一种碳纳米管雪崩光电探测器及其制作方法_北京大学_202511874707.X
    本发明提供一种碳纳米管雪崩光电探测器，具有一衬底，在衬底上具有一层碳纳米管沟道层，在碳纳米管沟道层两端分别具有一n型接触电极和p型接触电极，在n型接触电极及其邻近的碳纳米管沟道延伸区上覆盖有一层氧化钇和氧化铪的第一叠层；在第一叠层位于n型接...
    2026-05-01
  • 一种纳米晶金刚石异质结紫外光电探测器
    一种纳米晶金刚石异质结紫外光电探测器_浙江工业大学_202610080018.X
    本发明提供一种纳米晶金刚石异质结紫外光电探测器, 对单晶硅进行种晶预处理，得到种晶后的单晶硅作为衬底，以丙酮为碳源，利用热丝化学气相沉积法在其表面生长硼掺杂纳米晶金刚石，将硼掺杂纳米晶金刚石置于硫酸溶液中，进行循环伏安处理。随后将其部分遮盖...
    2026-05-01
  • 一种基于Bi2S3/Si异质结的自驱动光电探测器及其制备方法
    一种基于Bi2S3/Si异质结的自驱动光电探测器及其制备方法_中国石油大学(华东)_202610049644.2
    本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、Bi2S3薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。Bi2S3/Si异质结是利用化学气相沉积、表面能辅助转移等方法制备的...
    2026-05-01
  • 一种三明治型范德华异质结光电探测器及其制备方法
    一种三明治型范德华异质结光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202610127097.5
    本发明公开了一种三明治型范德华异质结光电探测器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。该探测器包括依次堆叠的p型稀土共掺杂二硫化钨层、石墨烯中间层和p型窄带隙二碲化钼层构成的三明治型异质结。其中，稀土掺杂用于钝化缺陷并拓宽光谱；石墨烯作为超快...
    2026-05-01
  • 一种高响应率宽带范德华异质结光电探测器及其制备方法
    一种高响应率宽带范德华异质结光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202610127083.3
    本发明公开了一种高响应率宽带范德华异质结光电探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。所述探测器自下而上包括：承载衬底、铒掺杂二硫化钨单层薄膜、二碲化钼纳米片及金属电极。其制备方法包括：采用化学气相沉积法生长铒掺二硫化钨薄膜；机械剥离...
    2026-05-01
  • 基于金刚石/Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法
    基于金刚石/Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202610125077.4
    本发明公开了一种基于金刚石/Ga2O3异质结的日盲紫外光电探测器的制备方法，包括如下步骤：1)对单晶金刚石进行氢等离子体刻蚀形成表面氢终端；2)采用磁控溅射法在单晶金刚石衬底上沉积Ga2O3薄膜；3)在惰性气氛中对沉积后的Ga2O3薄膜进行...
    2026-05-01
  • 一种基于电场强度分布调控的长波红外探测器及制备方法
    一种基于电场强度分布调控的长波红外探测器及制备方法_北京邮电大学_202511810912.X
    本发明公开一种基于电场强度分布调控的长波红外探测器及制备方法，涉及半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、底部接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层和顶部接触层；其中，底部接触层和空穴势垒层采用InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶...
    2026-05-01
  • 晶硅电池模块、钙钛矿晶硅叠层组件及其制备方法
    晶硅电池模块、钙钛矿晶硅叠层组件及其制备方法_昆山协鑫光电材料有限公司_202610361681.7
    本申请提供一种晶硅电池模块、钙钛矿晶硅叠层组件及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。晶硅电池模块包括第一晶硅电池区域、第二晶硅电池区域和第一接线盒。第一晶硅电池区域包括N个串联连接的第一晶硅电池组；第二晶硅电池区域包括M个串联连接的第二晶硅...
    2026-05-01
  • 一种光伏焊带、太阳能电池串及其焊接方法与光伏组件
    一种光伏焊带、太阳能电池串及其焊接方法与光伏组件_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202610065326.5
    本发明提供了一种光伏焊带、太阳能电池串及其焊接方法与光伏组件，所述光伏焊带包括焊带基体，所述焊带基体具有焊接区，所述焊带基体的外表面包覆有钝化层，对应所述焊接区的所述钝化层的区域在远离所述光伏焊带一侧的至少部分表面设置有导电锡层，所述导电锡...
    2026-05-01
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