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最新专利技术
  • 一种基于超快激光的热电材料/金属界面性能优化方法
    一种基于超快激光的热电材料/金属界面性能优化方法_北京航空航天大学杭州创新研究院_202511838719.7
    本发明公开了一种基于超快激光的热电材料/金属界面性能优化方法，该方法包括：预处理碲化铋基热电材料；对预处理后的碲化铋基热电材料进行超快激光表面辐照处理，所述超快激光的脉宽为200 fs‑500 ps，激光中心波长为343 nm‑1064 n...
    2026-05-01
  • 一种基于碲化铋废料再利用的纳米氧化铝复合热电材料及其制备方法
    一种基于碲化铋废料再利用的纳米氧化铝复合热电材料及其制备方法_上海申和投资有限公司_202511874912.6
    本发明提供了一种基于碲化铋废料再利用的纳米氧化铝复合热电材料及其制备方法，以碲化铋废料为主原料，旨在解决现有技术的下述不足：(1)废料回收效率低，资源利用不足；(2)纳米相分散不均匀，影响材料稳定性。结合纳米氧化铝突出的电学性能和力学性能，...
    2026-05-01
  • 一种热电器件的制备方法及其应用
    一种热电器件的制备方法及其应用_郑州大学_202610081665.2
    本发明公开了一种热电器件的制备方法，涉及热电材料与器件技术领域，该材料通过在Ag8SnSe6中引入Ag间隙掺杂并形成Ag2Se第二相，协同优化了电输运与热输运性能：间隙Ag调控费米能级并激活多能带传导，显著提升载流子浓度与迁移率；Ag2Se...
    2026-05-01
  • 一种碲化铋基热电材料及其制备方法
    一种碲化铋基热电材料及其制备方法_北京航空航天大学杭州创新研究院_202511858332.8
    本发明公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法，该碲化铋基热电材料，包括从下到上依次堆叠的碲化铋层、电极层和保护层，其中，该电极层为掺杂磷的镍基合金镀层；所述碲化铋层为P型碲化铋层时，在电极层中，掺杂磷的质量百分数为0‑10％，其中不包括0端...
    2026-05-01
  • 一种高电稳定性与力学性能的Cu2Se复合热电材料及其制备方法
    一种高电稳定性与力学性能的Cu2Se复合热电材料及其制备方法_武汉理工大学_202511946192.X
    本发明涉及热电材料技术领域，具体涉及一种高电稳定性与力学性能的Cu2Se复合热电材料及其制备方法。该材料包括：(1‑x wt.%) Cu2Se1‑ySy和x wt.% CuCrSe2，其中1 ≤ x ≤ 5, 0 ≤ y ≤ 0.2。制备时...
    2026-05-01
  • 一种柔性高取向PZT薄膜及其制备方法
    一种柔性高取向PZT薄膜及其制备方法_南京理工大学_202610061313.0
    本发明公开了一种基于复合晶种层的柔性高取向PZT薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的柔性高取向PZT薄膜是将PbO溶胶与TiO2溶胶混合得到复合晶种溶胶，将其沉积衬底形成含复合晶种层的衬底；再在复合晶种层生长PZT薄膜，形成复合...
    2026-05-01
  • 超声换能器和换能器的晶片级制造方法
    超声换能器和换能器的晶片级制造方法_通用电气精准医疗有限责任公司_202511452227.4
    一种超声探头(104)的换能器(200)包括压电层(210)，该压电层被配置为朝向待成像受检者的感兴趣区域发送超声信号，并接收由该待成像受检者的该感兴趣区域反射的回波信号。换能器(200)包括设置在压电层(210)的第一表面上的第一电极(2...
    2026-05-01
  • 无源磁电换能器
    无源磁电换能器_迈来芯保加利亚独资有限责任公司_202511521936.3
    一种无源磁电换能器，包括压电层和附接到压电层上的具有高磁导率材料的磁结构。当经受外部磁场时，可以在压电层上的结构之间产生应变。压电层被配置为响应于其源于磁结构的力的机械应变而产生电荷。至少一对电极被定位成收集由压电层产生的相反符号的电荷，使...
    2026-05-01
  • 一种磁畴壁概率器件及其制备方法、调控方法和应用
    一种磁畴壁概率器件及其制备方法、调控方法和应用_北京大学_202610121334.7
    本发明涉及自旋电子学与概率计算技术领域，特别是涉及一种磁畴壁概率器件及其制备方法、调控方法和应用。本发明提供的磁畴壁概率器件的核心磁性功能层的材质为在自旋重取向相变与角动量补偿点共存的特殊磁性材料，该材料表现出超低的磁畴壁钉扎和超高的扩散常...
    2026-05-01
  • 磁阻效应元件和具备其的磁传感器
    磁阻效应元件和具备其的磁传感器_TDK株式会社_202511511288.3
    本发明的磁阻效应元件(1)具有：磁化自由层(6)，其在没有外部磁场的状态下螺旋状地磁化，通过外部磁场的施加，磁化方向发生变化；磁化固定层(4)，其磁化方向相对于外部磁场固定；以及非磁性层(5)，其位于磁化自由层(6)与磁化固定层(4)之间，...
    2026-05-01
  • 一种电—磁耦合的数据存储材料与器件
    一种电—磁耦合的数据存储材料与器件_西安交通大学_202610104741.7
    本发明公开了一种电—磁耦合的数据存储材料与器件，所述材料为锰锑碲，化学式为MnxSbyTez，0≤x≤30, 0≤y≤40, 20≤z≤80，且x+y+z=100；该材料具有非晶相与晶体相两种稳定的相结构，两相在低温下的磁感应强度差别超过一...
    2026-05-01
  • 非对称SOT磁性存储单元及其制备方法
    非对称SOT磁性存储单元及其制备方法_中电海康集团有限公司_202610054120.2
    本发明提供一种非对称SOT磁性存储单元，包括：依次设置的第一电极、磁性隧道结叠层、非磁金属层以及高电阻层；第二电极，所述第二电极与所述高电阻层的第一端电连接；第三电极，所述第三电极与所述高电阻层的第二端电连接，所述第三电极与非磁金属层对应于...
    2026-05-01
  • 非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用
    非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用_安徽大学_202610132867.5
    本发明公开了一种非均匀电流分布的自旋霍尔器件及其制备方法和应用，属于磁存储技术领域。本发明提供的一种非均匀电流分布的自旋霍尔器件，包括自下到上依次叠层布置的衬底、种子层、重金属层和铁磁层；其中，所述铁磁层和重金属层构成垂直堆叠的异质结；所述...
    2026-05-01
  • 非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法
    非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法_同济大学_202510970753.3
    本发明提出了一种非共线反铁磁材料、非线性输运器件及其响应方法，该非共线反铁磁材料包括由下到上依次设置的衬底、非共线反铁磁层和覆盖层；所述非共线反铁磁层为Mn3Pt膜，覆盖层为SiO2膜，该材料利用自身成分梯度打破了体系的空间反演对称性；该响...
    2026-05-01
  • 一种激光退火方法及其应用和相关装置
    一种激光退火方法及其应用和相关装置_本源天工(郑州)量子科技有限公司_202411485642.5
    本申请公开了一种激光退火方法及其应用和相关装置，属于量子计算机制造领域。该激光退火方法包括：仿真约瑟夫森结被第一激光所加热，以获得激光功率与约瑟夫森结温度的第一对应关系；合约瑟夫森结的由第二激光实施激光退火的试验结果、和被第二激光加热的仿真...
    2026-05-01
  • 一种超导微米线电流密度的调控方法
    一种超导微米线电流密度的调控方法_南京工业职业技术大学_202511861448.7
    本发明提供了一种超导微米线电流密度的调控方法，通过在蜿蜒超导微米线的直线区域设计具有一定尺寸的孔洞形状，使超导微米线的电流密度重新分布，降低蜿蜒超导微米线拐角处的电流密度，有效缓解超导微米线的电流拥挤效应。这种电流密度调控方法允许超导微米线...
    2026-05-01
  • 一种超导量子芯片制备方法及量子芯片
    一种超导量子芯片制备方法及量子芯片_量子科技长三角产业创新中心_202610048860.5
    本公开提供一种超导量子芯片制备方法及量子芯片，包括提供一衬底；在衬底上原位生长超导结构层，其中超导结构层具有第一超导层、绝缘层以及第二超导层；对超导结构层进行多次光刻及刻蚀，以在衬底上形成约瑟夫森结，其中约瑟夫森结的面积小于超导结构层的面积...
    2026-05-01
  • 一种微流道及金属填充模板
    一种微流道及金属填充模板_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511796700.0
    本发明提供一种微流道及金属填充模板，所述微流道包括：导流槽和液金池，其中：所述导流槽与所述液金池相连通；所述液金池与转接板上用于填充金属的多个容纳结构对应；所述导流槽将所述液金池与外部相连通。所述配合转接板包括微流道和基片，所述基片上设置介...
    2026-05-01
  • 通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法
    通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法_绍芯实验室_202511863092.0
    本申请涉及一种通过调节缺陷再分布调控极化保持性的方法，该方法利用幅值为铁电薄膜矫顽电压1～1.5倍、脉宽为0.1 ms～10 ms 的脉冲激励作用于具有条纹畴结构的铁电薄膜，使薄膜内部的氧空位等带电缺陷向人工诱导的畴壁区域迁移，经多次脉冲循...
    2026-05-01
  • 铁电忆阻器及其制备方法
    铁电忆阻器及其制备方法_苏州实验室_202610385909.6
    本申请涉及半导体材料与器件技术领域，公开了一种铁电忆阻器及其制备方法。本申请的铁电忆阻器，包括：自上而下依次设置的第一电极层、第一AlScN铁电层、第二AlScN铁电层以及第二电极层；其中，第一AlScN铁电层至少部分覆盖第一电极层，第二A...
    2026-05-01
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