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最新专利技术
  • 一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法
    一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法_北京星源空间技术有限公司_202610007855.X
    本发明公开了一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法，包括以下步骤：步骤一，测控装置部署；步骤二，测控装置初始化；步骤三，电路状态切换；步骤四，并联电阻计算；步骤五，损伤判定与分流；本发明利用电阻焊后的保压阶段同步开展检测，无需额外增加生产工序，避...
    2026-04-30
  • 半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法
    半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法_上海交通大学_202610020309.X
    本发明提供了一种半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法。所述测试结构包括：基板，其上划分有主体区和沿主体区外周均匀分布的多个形状相同的测试区，所述测试区的数量和圆心角能够使得测试结构整体中心对称；中间导电层沉积于基板上，中间...
    2026-04-30
  • 基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法
    基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法_太原理工大学_202610058985.6
    本发明涉及超精密运动控制及半导体检测装备技术领域，现有的螺旋扫描控制技术多基于“时间域”参数化，触发信号存在抖动或延迟，光谱采集点在物理空间上的分布不均匀，导致重构的晶圆Mapping图出现几何畸变，无法精确通过坐标回溯缺陷位置，本发明公开...
    2026-04-30
  • 一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统
    一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统_上海新微技术研发中心有限公司_202610077069.7
    本发明提供了一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统，其中方法包括，在沉积有器件结构的晶圆上，沉积一层抛光介质层，并测量所述抛光介质层上多个测量点的膜层厚度，基于多个所述测量点的厚度生成厚度分布图；在所述抛光介质层上方全局均匀的沉积一层...
    2026-04-30
  • 一种半导体内引线键合质量检测方法
    一种半导体内引线键合质量检测方法_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202610360270.6
    本发明公开了一种半导体内引线键合质量检测方法，涉及半导体封装测试技术领域，用于检测具有 PN 结的半导体封装器件的内引线键合质量。本方法通过搭建正向偏置测试回路，向被测半导体器件 PN 结施加 1.8V‑2.2V 的恒定直流正向偏置电压，通...
    2026-04-30
  • 图案对齐方法、设备和存储介质
    图案对齐方法、设备和存储介质_全芯智造技术股份有限公司_202610368672.0
    本公开的实施例涉及图案对齐方法、设备和存储介质。在此提出的方法包括：获取与晶圆有关的第一图像和第二图像，其中第一图像包括第一图案，第二图像包括第二图案，并且第二图案包括与第一图案对应的子图案；响应于确定第一图案的至少一部分具有周期性，基于第...
    2026-04-30
  • 一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805171.7
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法，受主衬底包括透明玻璃衬底，短波红外波段的光透过率极高，使得短波红外波段的光能够到达张应变锗层，而且透明玻璃衬底还可以使可见光透过，可见光也可以到达张应变锗层。通过透明玻璃衬底使得更...
    2026-04-30
  • 氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法
    氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805274.3
    本申请提供一种氮化硅上锗晶圆及其制造方法，一种阵列芯片及其制造方法，方法包括：在第一硅衬底上形成第1个目标层，刻蚀第1个目标层形成多个凹槽，形成第1个锗层，第1个锗层填充凹槽以及覆盖第1个目标层，通过第1个锗层的横向过生长，将硅/锗之间的异...
    2026-04-30
  • 玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805330.3
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法，形成施主衬底和受主衬底，受主衬底包括玻璃衬底，以及位于玻璃衬底上的富陷阱层、二氧化硅层和介质层，将施主衬底和受主衬底进行直接晶圆键合处理，得到键合结构，去除键合结构中的硅衬底，...
    2026-04-30
  • 一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法
    一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805338.X
    本申请提供一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法，施主衬底包括层叠的初始硅衬底、缓冲层、二极管结构和键合层；键合层为氧化铝层；形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的高阻硅衬底、富陷阱层和绝缘层；以键合层朝向绝缘层的方向键合施主衬底和受主衬...
    2026-04-30
  • 一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法
    一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法_上海征世科技股份有限公司_202511944473.1
    本发明公开了一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法，该制备方法包括：选取偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底；在偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底的表面形成(111)晶面原子台阶；在具有(111) 晶面原子台阶的衬底表面自选择...
    2026-04-30
  • 一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法
    一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512047433.3
    本发明提供一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法，所述制备方法至少包括步骤：制备第一锗基外延片，第一锗基外延片具有基础厚度的锗衬底；于第一锗基外延片的锗衬底侧依次进行粗磨、应力退火、塑性精磨和化学腐蚀，得到第四锗基外延片，第四锗基外延片具...
    2026-04-30
  • 一种键合晶圆环切加工方法
    一种键合晶圆环切加工方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610007927.0
    本发明提供了一种键合晶圆环形切割加工方法，包括，提供一键合晶圆，所述键合晶圆边缘设置有用于晶圆标识对位的缺口，所述缺口深度为Vh，对键合晶圆进行两次环形切割，第一次环形切割时切割宽度覆盖所述缺口深度；第二次环形切割时，在第一次环形切割形成的...
    2026-04-30
  • 一种可调节的硅片粗糙度的制备方法
    一种可调节的硅片粗糙度的制备方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020706.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种可调节的硅片粗糙度的制备方法，包括：对于低haze需求的硅片，在≤750℃的惰性气氛下退火，保持硅片表面光滑；对于高haze需求的硅片：在1000–1300℃温度和氢气气氛下热处理，通过调节温度、氢气...
    2026-04-30
  • 一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法
    一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202610023766.4
    本发明提供一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法，包括第一衬底，第一埋氧层设置在所述第一衬底上，氮化硅中间层设置在所述第一埋氧层上，第二埋氧层设置在所述氮化硅中间层上，第二衬底设置在所述第二埋氧层上。本发明的有益效果是通过在第一埋氧层与第二埋氧层之...
    2026-04-30
  • SOI衬底结构及其制备方法
    SOI衬底结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610159676.8
    本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法, 该结构包括从下至上堆叠的底硅层、埋氧层和顶硅层, 且在距离底硅层上表面的第一深度处形成氮离子的第一浓度峰值区, 以在底硅层内形成第一O‑N‑O电子束缚结构; 和/或在距离埋氧层下表面的第二深度处...
    2026-04-30
  • 一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法
    一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610013172.5
    本发明提供一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法，执行以下步骤：S1.提供一SOI衬底，SOI衬底包括底硅层、埋氧层及顶硅层，顶硅层的厚度小于150μm；S2.利用刻蚀工艺，在顶硅层中形成贯穿的硅通孔；S3.在顶硅层表面及硅通孔的侧...
    2026-04-30
  • 金属互连层及其制备方法
    金属互连层及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610371023.6
    本申请涉及一种金属互连层及其制备方法，包括：提供一衬底；于衬底上沿平行于第一表面的第一方向交替排布的介质叠层及初始金属导线；初始金属导线的侧壁上包括凸出部，凸出部沿第一方向嵌入介质叠层内；刻蚀介质叠层，于相邻初始金属导线之间形成凹槽后，形成...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511504449.6
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板、在基板上的半导体芯片、以及在基板和半导体芯片之间的接合层，其中接合层包括过渡金属、具有比过渡金属的熔点低的熔点的低熔点金属、贵金属以及其合金，在第一方向上，接合层中的贵金属的百分比在接合层的中心部...
    2026-04-30
  • 一种铜互连结构及其制造方法
    一种铜互连结构及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202411443881.4
    本申请提供了一种易于与大尺寸金属丝形成良好电连接性能焊点的用于集成电路芯片中的铜互连结构。该铜互连结构包括铜表面，金属阻挡层和可焊接金属层。所述铜互连结构包括在所述金属阻挡层上形成的厚度范围在0.03微米至0.05微米之间的可焊接金属层。
    2026-04-30
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