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最新专利技术
  • 一种调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法
    一种调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法_无锡松煜科技股份有限公司_202511898289.8
    本发明公开了一种调整调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法，包括将抛光后的硅片放置在承载硅片的载体舟中，载体舟下方设置匀流装置；待腔体达到真空状态且温度达到80‑120℃后，依次通入锡源，通入大流量氩气进行一次吹扫，通入小流量氩气进行二次吹扫，通入...
    2026-04-18
  • 一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构
    一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构_浙江六方半导体科技有限公司_202511682557.2
    本发明涉及一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构，涉及化学气相沉积设备制造技术领域，包括：石墨箱，内部具有反应腔；加热组件，包括加热器，以及与加热器抵接的排气管，加热器与石墨箱外侧面抵接，排气管与反应腔连通；内部消耗组件，位于反应腔靠近加热组...
    2026-04-18
  • 高真空预处理与自动化送料装置及其控制方法
    高真空预处理与自动化送料装置及其控制方法_中材人工晶体研究院(山东)有限公司_202511830883.3
    本申请公开了高真空预处理与自动化送料装置，包括中央控制器、复合真空预抽系统、双机械手协同定位机构和多频段射频匹配电路，中央控制器连接复合真空预抽系统、双机械手协同定位机构和多频段射频匹配电路。具有以下优点：通过整合复合真空预抽、双机械手协同...
    2026-04-18
  • 一种基于立式LPCVD设备的薄膜淀积工艺
    一种基于立式LPCVD设备的薄膜淀积工艺_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511849397.6
    本发明公开了一种基于立式LPCVD设备的薄膜淀积工艺，包括：检查是否漏气，合格后，通入氮气进行吹扫，通入反应气源，在晶圆表面进行第一次薄膜淀积，通入氮气进行吹扫，升高工艺管温度，通入反应气源，在晶圆表面进行第二次薄膜淀积，通入氮气进行吹扫，...
    2026-04-18
  • 一种提高多晶硅薄膜厚度稳定性的方法
    一种提高多晶硅薄膜厚度稳定性的方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511859295.2
    本发明公开了一种提高多晶硅薄膜厚度稳定性的方法，该方法是在完成多晶硅薄膜的沉积后对立式炉管设备进行退火处理，包括以下步骤：将反应室加热至850℃及以上，对反应室的内壁进行退火处理；往反应室内通入氮气，将退火处理过程中产生的副产物从反应室内带...
    2026-04-18
  • 一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备
    一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902553.0
    本申请实施例提供了一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备。所述抽气构件包括：压环和多个功能挡块；所述压环压设于所述功能挡块；多个所述功能挡块沿所述压环周向排布且各所述功能挡块均可拆卸地设置于所述压环；每一功能挡块具有沿所述压环径向限定的厚度方向，...
    2026-04-18
  • 一种基于镁涂层与曝空气的MOCVD反应腔复机预处理方法
    一种基于镁涂层与曝空气的MOCVD反应腔复机预处理方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512016224.2
    本发明公开了一种基于镁涂层与曝空气的MOCVD反应腔复机预处理方法，旨在解决MOCVD设备在拆炉维护后，因反应腔内部件吸附杂质导致复机所需假镀时间长、首炉外延片亮度偏低的技术问题。该方法的核心步骤包括：首先，在高温下向维护后的反应腔内通入镁...
    2026-04-18
  • 气相沉积反应系统与使用方法
    气相沉积反应系统与使用方法_苏州精材半导体科技有限公司_202512047625.4
    本专利涉及气相沉积领域，涉及一种气相沉积反应系统，反应系统包括：反应室、储能组件、预热室与热传递组件。反应室内设置有热能吸收组件，热能吸收组件用于吸收化学气相沉积反应所产生的余热。储能组件与热能吸收组件相连接，储能组件用于存储热能吸收组件所...
    2026-04-18
  • 硅层制备方法
    硅层制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610036639.8
    本发明提供了一种硅层制备方法，其包括：将基片置入气相沉积设备的反应腔内；以及，通过气相沉积设备的进气组件向反应腔内通入工艺气体和稀释气体，并将反应腔调整为预设反应条件，以使工艺气体在基片表面发生反应并沉积形成硅层；其中，进气组件具有至少一个...
    2026-04-18
  • 一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置
    一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置_昊石新材料科技南通有限公司_202610102256.6
    本申请涉及一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置，涉及化学气相沉积技术领域，其包括混气箱，所述混气箱内竖直且转动设置有旋转轴，所述混气箱上设有用于驱使旋转轴转动的驱动机构，所述旋转轴上固定设置有若干搅拌叶片，所述旋转轴上固定设置有若干容置管，所...
    2026-04-18
  • 管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备
    管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902157.8
    本申请提供了一种管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备，该管路系统包括：源瓶，源瓶包括第一端和第二端；第一输出管路和进腔管路，第一输出管路连通第一端和进腔管路；第一输出管路上设有第一控制阀，第一控制阀用于连通或断开第一输出管路，第一控制阀和进...
    2026-04-18
  • 调节真空设备泵送流导的装置、方法
    调节真空设备泵送流导的装置、方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511775168.4
    本申请属于半导体技术领域，公开一种调节真空设备泵送流导的装置和方法，包括在工艺腔室和真空设备之间节流阀的下游管路上连接的二级阀，其中，靠向工艺腔室的一侧为上游，所述二级阀具有切换连通节流阀和真空设备的高泵送流导路径和低泵送流导路径，其中，从...
    2026-04-18
  • 一种用于大尺寸三向绕纱预制体的抗变形工装及使用方法
    一种用于大尺寸三向绕纱预制体的抗变形工装及使用方法_内蒙古航天红岗机械有限公司_202511856977.8
    本发明一种用于大尺寸三向绕纱预制体的抗变形工装及使用方法。该工装通体留有气体介质传输孔隙。使用时，将高温处理后较软的三向绕纱预制体垂直置于带盖的圆桶工装中，并在预制体和工装之间填充同样材质的边角料，防止预制体在工装内部移动；将装有预制体的工...
    2026-04-18
  • 一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备
    一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511881677.5
    本申请实施例提供了一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备。工艺腔体的盖板传送装置用于驱动工艺腔体的盖板开合；工艺腔体的盖板传送装置包括：框架，具有位于所述盖板上方的支撑主体；链条箱体，设置于所述支撑主体，所述链条箱体包括箱本体、设置...
    2026-04-18
  • ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备
    ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902512.1
    本申请提供了一种ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备，该ALD薄膜沉积方法包括：将基片旋转预设角度，基片的边缘具有缺口；对所述基片进行活化前处理；对基片进行沉积工艺。本申请在对基片进行沉积工艺之前，先将基片旋转预设角度，然后对所述基...
    2026-04-18
  • 反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备
    反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902518.9
    本申请提供了一种反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备，该反应装置用于在基片表面镀膜，该反应装置包括反应主体、进气通道和吹扫结构，反应主体内具有反应腔；进气通道连通至反应腔并用于输送第一流量的工艺气体；吹扫结构包括吹扫管路，吹扫管路...
    2026-04-18
  • 进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备
    进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902544.1
    本申请公开了一种进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备，进气结构包括喷淋板、温度调节部件和控制部件，温度调节部件与喷淋板的喷淋区域相对设置，温度调节部件包括加热层、隔离层和反馈层；加热层设置于隔离层靠近喷淋板的一侧，反馈层设置于隔离层远离喷...
    2026-04-18
  • ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备
    ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511902620.9
    本申请提供了一种ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备，该ALD薄膜沉积方法包括：传送基片至反应腔，对基片进行第一沉积工艺；将基片旋转第一设定角度，然后对基片进行第二沉积工艺。本申请通过在沉积工艺之间将基片旋转设定角度旋转，能够改善膜...
    2026-04-18
  • 一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备
    一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511942447.5
    本申请实施例提供了一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备。反应腔包括：气体导入模块，气体导入模块包括：模块本体，进气组设置于第一表面，进气组包括第一进气孔和第二进气孔，且第一进气孔与第二进气孔的排布方向相对于所述长度方向倾斜设置...
    2026-04-18
  • 用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法
    用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法_西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司_202512031133.6
    本发明涉及CVI沉积炉及气相涂层方法，具体涉及用于大尺寸石墨回转体的立式CVI沉积炉及化学气相涂层方法。为解决现有技术中存在常规单一的标准化CVI工艺生产不能满足大尺寸石墨回转体一炉次快速制备SiC涂层的不足之处，本发明用于大尺寸石墨回转体...
    2026-04-18
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