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最新专利技术
  • 一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构
    一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构_浙江六方半导体科技有限公司_202511682557.2
    本发明涉及一种化学气相沉积设备尾气消耗冷却结构，涉及化学气相沉积设备制造技术领域，包括：石墨箱，内部具有反应腔；加热组件，包括加热器，以及与加热器抵接的排气管，加热器与石墨箱外侧面抵接，排气管与反应腔连通；内部消耗组件，位于反应腔靠近加热组...
    2026-04-18
  • 一种调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法
    一种调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法_无锡松煜科技股份有限公司_202511898289.8
    本发明公开了一种调整调控氧化锡薄膜生长均匀性的方法，包括将抛光后的硅片放置在承载硅片的载体舟中，载体舟下方设置匀流装置；待腔体达到真空状态且温度达到80‑120℃后，依次通入锡源，通入大流量氩气进行一次吹扫，通入小流量氩气进行二次吹扫，通入...
    2026-04-18
  • 一种碳化硅上生长高定向单层二硫化钼的方法
    一种碳化硅上生长高定向单层二硫化钼的方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511878526.4
    本发明公开了一种碳化硅上生长高定向单层二硫化钼的方法，包括：获取适量的硫粉、氧化钼粉和清洗后的碳化硅衬底；将硫粉放入管式炉的第一区域，将氧化钼粉放入管式炉的第二区域，将碳化硅衬底放入管式炉的第三区域；向硫粉上方通入惰性气体作为第一载气，向氧...
    2026-04-18
  • 二维碲薄膜及其制备方法
    二维碲薄膜及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610061748.5
    本发明公开了一种二维碲薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底，所述生长衬底包括堆叠设置的多个云母片，相邻两所述云母片之间形成有限域空间；将生长衬底和碲前驱物置于管式炉中，并对管式炉进行加热，利用化学气相沉积工艺在相邻云母片...
    2026-04-18
  • 一种金刚石化学沉积工艺
    一种金刚石化学沉积工艺_东北师范大学_202610063113.9
    本发明公开了一种金刚石化学沉积工艺，涉及金刚石沉积技术领域，包括前期工件预处理、对衬底装夹在炉内、加热炉腔体抽真空和腔内气体置换、升温预热和腔内气体稳压、金刚石气相沉积生长、将加热腔内部的衬底两表面沉积一层均匀的金刚石、降温泄压和腔内气体保...
    2026-04-18
  • 一种高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极及其应用
    一种高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极及其应用_浙江工业大学_202610067107.0
    本发明提供了一种高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极，用金刚石研磨液对单晶硅进行预处理，得到种晶后的单晶硅，以种晶后的单晶硅为衬底，利用热丝化学气相沉积法制备硼掺杂金刚石薄膜，并在其上采用原子层沉积负载铂，得到高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极，...
    2026-04-18
  • 一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法
    一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法_昊石新材料科技南通有限公司_202610016383.4
    本申请涉及一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法，涉及材料涂层制备技术领域，其包括以下步骤：将石墨基体进行超声清洗和表面活化处理，得到预处理石墨基体；在预处理石墨基体的表面沉积过渡层，得到具有过渡层的石墨基体；所述过渡层包括强结合层、梯度层I、...
    2026-04-18
  • 一种ZnS表面微加工增透方法
    一种ZnS表面微加工增透方法_中材人工晶体研究院(山东)有限公司_202511867662.3
    本发明提供了一种ZnS表面微加工增透方法，属于ZnS技术领域；所述增透方法包括硫化锌基底预处理、金属膜层的制备、刻蚀和后处理；所述刻蚀，采用感应耦合等离子体对镀膜后硫化锌进行干法刻蚀，刻蚀气体为CH4、Ar、H2，功率为200‑500W，偏...
    2026-04-18
  • 半导体设备控制方法、半导体设备
    半导体设备控制方法、半导体设备_上海光通信有限公司_202411376242.0
    本公开涉及一种半导体设备控制方法、半导体设备，方法包括执行至少一个周期的步骤：控制半导体设备的腔体处于第一目标工艺环境，并在腔体内对晶圆进行预设工艺处理，以在晶圆上形成包含第一元素、第二元素的目标化合物；对逐一进入腔体内的预设数量的晶圆进行...
    2026-04-18
  • 一种采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备
    一种采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202610287993.8
    本发明涉及采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备技术领域，具体为一种采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备，包括安装在架体上的腔体，且腔体的前侧面安装有观察门，腔体的上方内部贯穿固定有控制杆，且位于腔体内的控制杆的下端与镀锅本体相连接，所述腔体的后...
    2026-04-18
  • 晶体被银夹具
    晶体被银夹具_吉林环辰科技有限公司_202610248873.7
    本发明公开一种晶体被银夹具，包括上夹持组件、下夹持组件、封口件；上夹持组件具有上夹板和上掩膜；下夹持组件具有下夹板、下掩膜、定位板；上掩膜和下掩膜均设于上夹板和下夹板之间，定位板设于上掩膜和下掩膜之间；定位板具有若干间隔排列的定位条，上掩膜...
    2026-04-18
  • 一种多功能扣合工装
    一种多功能扣合工装_宁波丰工创润智能科技有限公司_202610092497.7
    本发明涉及一种多功能扣合工装，包括壳体，所述壳体的一端连接有快换工具盘，该壳体的另一端连接有卡盘，该卡盘的中心滑动穿设有吸盘组件，所述壳体内设有驱动该吸盘组件伸缩的气缸；当工件被其他卡爪、机械手等设备抓起时，本发明中的气缸可以驱动该吸盘组件...
    2026-04-18
  • 一种物理气相沉积设备及沉积工艺
    一种物理气相沉积设备及沉积工艺_海创智能装备(烟台)有限公司_202610071403.8
    本发明属于半导体装备技术领域，涉及一种物理气相沉积设备及沉积工艺，包括工艺腔体、加热平台、旋转平台、传动轴、密封传动组件；加热平台安装在所述工艺腔体内，旋转平台设置在加热平台上方；传动轴的上端连接旋转平台，传动轴的下端延伸至外部；密封传动组...
    2026-04-18
  • 一种化妆品瓶身真空镀膜设备
    一种化妆品瓶身真空镀膜设备_徐州智丰达科技有限公司_202610049166.5
    本发明涉及化妆品瓶身加工技术领域，并具体公开了一种化妆品瓶身真空镀膜设备。包括圆形置物套板，圆形置物套板的顶部开设有螺纹圆孔，螺纹圆孔的内壁螺纹连接有外螺纹环管，外螺纹环管的顶部固定连接有锥形环管，锥形环管的顶部固定连接有顶撑圆块，顶撑圆块...
    2026-04-18
  • 一种摆动旋转机构及真空镀膜装置
    一种摆动旋转机构及真空镀膜装置_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511914547.7
    本发明涉及一种摆动旋转机构及真空镀膜装置，摆动旋转机构包括：一级行星式公自转机构、摆动驱动机构、公自转传动机构、二级行星式公自转机构和固定模块，摆动驱动机构和行星式自转机构固定设置在所述公自转传动机构上，所述公自转传动机构由固定模块安装在行...
    2026-04-18
  • 一种真空镀膜设备用渡舟机
    一种真空镀膜设备用渡舟机_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511777020.4
    本发明是一种真空镀膜设备用渡舟机，其结构包括提升机组件、风冷升降组件、缓存交互平台、回流移栽平台和回流升降组件，其中风冷升降组件设置在回流移栽平台一端两侧，回流升降组件设置在回流移栽平台另一端两侧，回流升降组件上方为导片机机架，风冷升降组件...
    2026-04-18
  • 一种高硬度Y2O3-MgO涂层及其制备方法与应用
    一种高硬度Y2O3-MgO涂层及其制备方法与应用_广东工业大学_202610050086.1
    本发明公开了一种高硬度Y2O3‑MgO涂层及其制备方法与应用，涉及半导体技术领域。本发明采用中频反应磁控溅射技术制备Y2O3‑MgO涂层，通过调节Y靶和Mg靶的占空比来调控MgO化合物在Y2O3‑MgO涂层中的含量进而使涂层达到高硬度。通过...
    2026-04-18
  • 一种用于批量制备高纯度砹-211复合靶材的装置及方法
    一种用于批量制备高纯度砹-211复合靶材的装置及方法_砹尔法纽克莱(宁波)医疗科技有限公司_202610043610.2
    本发明提供一种用于批量制备高纯度砹‑211复合靶材的装置及方法，涉及医用放射性同位素生产与薄靶技术领域。其中装置包括：真空室；溅射阴极：所述溅射阴极设置于所述真空室内，且与高功率脉冲磁控溅射电源相连接；多面体样品托：置于所述真空室内并与真空...
    2026-04-18
  • 一种紫色荧光材料的制备方法
    一种紫色荧光材料的制备方法_杭州电子科技大学_202512054241.5
    本发明公开了一种紫色荧光材料的制备方法，本发明先将金属靶材和材料生长衬底放入磁控溅射系统中；所述的磁控溅射系统抽真空；将氩气输入溅射系统，通过调控阀控装置增加溅射系统压力；随后，向金属靶材施加直流电压，进行磁控溅射，在衬底上获取合金薄膜；再...
    2026-04-18
  • 一种复合涂层及其制备方法
    一种复合涂层及其制备方法_江苏科技大学_202512005647.4
    本发明公开了一种复合涂层及其制备方法，复合涂层，包括Ti过渡层，Ti过渡层表面交替沉积W层和(CrVTiTaW)Nx层，x为0.5~1。制备方法包括以下步骤：步骤一，对基底表面进行预处理，得到洁净光滑的基底；步骤二，通过磁控溅射法在预处理后...
    2026-04-18
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