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最新专利技术
  • LDMOS器件结构及其制备方法
    LDMOS器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610118406.2
    本发明提供一种LDMOS器件结构及制备方法，其中，LDMOS器件结构包括：具有漂移区、阱区、源漏区和体区的基底；沿第一方向位于漏区两侧漂移区内的嵌入式氧化层，其表面高于漂移区；第一场板位于嵌入式氧化层表面；第二场板沿第二方向位于嵌入式氧化层...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510877076.0
    根据本公开的实施例的半导体器件包括：第一导电类型衬底；设置在第一导电类型衬底的第一表面上的第一导电类型外延层；设置在第一导电类型外延层中的栅极沟槽；设置在栅极沟槽内的栅电极；设置在第一导电类型外延层与栅电极之间的栅极绝缘层；设置在第一导电类...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610102756.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底，所述衬底内设置有阱区；轻掺杂区，设置于所述阱区内；第一重掺杂区，设置于所述阱区内，且所述第一重掺杂区朝向所述衬底表面的正投影落入所述轻掺杂区朝向所述衬底表面的正投影所合围而成的第...
    2026-05-01
  • 一种器件结构及其制造方法
    一种器件结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411495444.7
    本申请提供一种器件结构及其制造方法，器件结构可以包括衬底、衬底上的埋氧层、埋氧层上的沟道层、沟道上的栅介质层和栅极，还包括第一方向上位于沟道层两侧的源漏，在第二方向上位于沟道层两侧的功函数调整结构，功函数调整结构和所述沟道层之间设置有隔离层...
    2026-05-01
  • 一种器件结构及其制造方法
    一种器件结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411499953.7
    本申请提供一种器件结构及其制造方法，器件结构可以包括衬底、衬底上的埋氧层、埋氧层上的沟道层、沟道上的栅介质层和栅极，还包括第一方向上位于沟道层两侧的源漏，在第二方向上位于沟道层两侧的结电极，第一方向和第二方向垂直，且位于平行所述衬底的表面的...
    2026-05-01
  • 双栅极晶体管和包括该双栅极晶体管的显示装置
    双栅极晶体管和包括该双栅极晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511077275.X
    本公开提供一种双栅极晶体管和包括该双栅极晶体管的显示装置，该双栅极晶体管包括：在第一栅极绝缘层上以倒锥形形状配置的第一栅电极、被设置成覆盖第一栅电极的缓冲层、设置在缓冲层上的有源层、被设置成覆盖有源层的第二栅极绝缘层、以及在第二栅极绝缘层上...
    2026-05-01
  • 碳化硅MOSFET沟道形成方法
    碳化硅MOSFET沟道形成方法_宁波达新半导体有限公司_202610092786.7
    本发明公开的碳化硅MOSFET沟道形成方法，首先在N型漂移区外延层上表面从下至上依次形成栅介质层、硅层及硬掩膜层，然后刻蚀硬掩膜层及硅层停止在栅极氧化硅层形成栅极结构，然后进行P离子注入在栅极结构左右两侧的N型漂移区外延层上端部形成左右两个...
    2026-05-01
  • 碳化硅功率器件及其制备方法、半导体器件
    碳化硅功率器件及其制备方法、半导体器件_比亚迪半导体股份有限公司_202411492977.X
    本申请实施例公开一种碳化硅功率器件及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域，碳化硅功率器件包括基底、源极结构、栅极结构和电场屏蔽层；源极结构设置于基底；栅极结构设置于基底内，源极结构环绕栅极结构的至少部分侧面；电场屏蔽层覆盖栅极结构的至...
    2026-05-01
  • 碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件
    碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件_比亚迪半导体股份有限公司_202411495509.8
    本申请实施例提供一种碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件。该碳化硅功率器件元胞结构包括基底、栅极结构以及源极结构。栅极结构设置于基底内，为沟槽型向下延伸。其中，栅极结构包括第一栅极结构和至少一个第二栅极结构，至少一个第二栅极结构设...
    2026-05-01
  • 具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅双栅MOSFET
    具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅双栅MOSFET_领泰半导体(青岛)有限公司_202511797359.0
    一种具有双栅沟槽的碳化硅功率器件单元胞，其中碳化硅MOSFET的第一栅沟道区沿第一类栅沟槽的至少一个侧壁形成并与第一源区连接，碳化硅超级势垒整流器(作为MOS沟道二极管)的第二栅沟道区沿第二类栅沟槽的侧壁形成并与第二源区连接，以使寄生体二极...
    2026-05-01
  • 一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及其制备方法
    一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及其制备方法_上海宸积半导体科技有限公司_202610084225.2
    本发明涉及芯片技术领域，具体为一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及其制备方法，包括：由下至上依次设置的N+衬底层、N层、P+层，所述N+衬底层与N层构成N‑N+衬底，所述P+层与N层构成P+‑N结；芯片边缘区域的沟槽，沟槽内壁覆盖复合钝化层，...
    2026-05-01
  • 包括二维材料的半导体器件和制造该半导体器件的方法
    包括二维材料的半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510822663.X
    公开了半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括半导体层和在半导体层上的电极层，半导体层包括二维半导体材料。电极层可以包括第一杂质堆积区，杂质聚集在第一杂质堆积区中。
    2026-05-01
  • 一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺
    一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺_福建省福联集成电路有限公司_202511845327.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种改善半导体器件金属电极爬坡覆盖性的图形化工艺，工艺为：在第一金属电极上的P I层上涂布LOR光阻并软烘；在LOR光阻上涂布第一光阻层，并进行光刻开图，LOR光阻未曝光区域溶解形成undercut形貌...
    2026-05-01
  • 双向阻断的半导体器件及其制备方法
    双向阻断的半导体器件及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202610344768.3
    本发明提供一种双向阻断的半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一MOS管芯片，具有第一漏区；第二MOS管芯片，具有第二漏区；其中，第一漏区与第二漏区面对面直接键合，形成导电键合界面，以使第一MOS管芯片与第二MOS管芯片沿垂直方向堆叠，...
    2026-05-01
  • 具有形成在保护衬垫上的阳极氧化阻挡层的集成结构以及对应的方法
    具有形成在保护衬垫上的阳极氧化阻挡层的集成结构以及对应的方法_株式会社村田制作所_202511497501.X
    一种集成结构和制造集成结构的方法，该集成结构包括：衬底(100, 101)；导电层，该导电层具有第一腔，该第一腔(102C)填充有第一绝缘区(103F)，该第一绝缘区具有与导电层的顶表面齐平的顶表面，从而形成第一平坦表面(F1)；保护衬垫(...
    2026-05-01
  • 一种集成双钳位MOSFET的SOI-LIGBT器件
    一种集成双钳位MOSFET的SOI-LIGBT器件_重庆市集成电路协同创新中心_202511981780.7
    本发明涉及一种集成双钳位MOSFET的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、阳极N+区、钳位N+1区、钳位N+2区、正向钳位栅氧化层...
    2026-05-01
  • 用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法
    用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610102515.5
    本申请涉及一种用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法，结构包括：衬底；衬底顶面设置有的第一导电类型的外延层；阱区，位于外延层远离衬底的一侧，阱区包括源极结构、栅极结构及第二导电类型的保护区；源极结构与栅极结构沿第一方向贯穿阱区，沿第二方向...
    2026-05-01
  • 具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法
    具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510877420.6
    本公开涉及具有多个阈值电压的半导体器件及其形成方法。在形成半导体器件的栅极结构期间，在半导体器件的不同区域中的栅极电介质材料上形成包括不同偶极子形成元素和/或具有不同厚度的偶极子层。接下来，执行偶极子驱入工艺(例如，热工艺)以将偶极子层的偶...
    2026-05-01
  • 共集成半导体结构以及制造共集成半导体结构的方法
    共集成半导体结构以及制造共集成半导体结构的方法_IMEC非营利协会_202511216038.7
    一种用于从第一叠层(100)和第二叠层(200)制造共集成半导体结构(1)的方法，第一叠层(100)包括沟道层(10)和在其上的至少一个子叠层(150)，其中至少一个子叠层(150)中的每一个从底部向上包括第一类型的牺牲层(21)、第一细长...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511511271.8
    提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有第一极性的半导体壁；第一半导体层，沿着与第一方向交叉的第二方向在半导体壁的第一侧，第一半导体层具有第一极性或与第一极性相反的第二极性；以及背侧隔离结构，沿着与第一方向和第二方向交叉的第...
    2026-05-01
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