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最新专利技术
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202510013343.X
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中，光电二极管的制造方法包含以下步骤：提供晶圆，所述晶圆具有多个光电二极管结构；在晶圆上贴附保护膜；切割保护膜和晶圆，使保护膜和晶圆上形成多个切割道以分离多个光电二极管结构中的每个；在保护膜上涂布遮光...
    2026-05-01
  • 一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法
    一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法_绍芯实验室_202511851748.7
    本申请涉及一种HgTe胶体量子点薄膜的刻蚀方法，主要步骤包括：调配高粘度刻蚀液、对薄膜进行溶剂预润湿、进行扩散限制刻蚀、以及使用低表面张力溶剂终止反应并清洗薄膜，通过调配高粘度刻蚀液，采用乙二醇或丙二醇作为基础溶剂，并将氢溴酸(HBr)和双...
    2026-05-01
  • 镀膜扩散制备方法以及管式设备
    镀膜扩散制备方法以及管式设备_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511902117.3
    本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别涉及镀膜扩散制备方法以及管式设备，镀膜扩散制备方法中使用第一管结构对装载于载片舟的电池片进行沉积膜层；第一输送装置将第一管结构内的装载电池片的载片舟移送至第二管结构内；使用第二管结构对电池片进行扩散掺杂。由...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池的串联方法
    一种背接触电池的串联方法_江苏海博瑞光伏科技有限公司_202511938046.2
    本发明提供了一种背接触电池的串联方法，涉及电池技术领域，包括以下步骤：S1：电池片焊盘锡膏印刷；S2：锡膏回流焊接；S3：电池片切片；S4：透明互联条牵引；S5：透明互联条激光剥线；S6：剥线处喷涂助焊剂；S7：透明互联条裁切；S8：透明互...
    2026-05-01
  • 一种硅微条探测器的封装工装及方法
    一种硅微条探测器的封装工装及方法_中国科学院紫金山天文台_202511951223.0
    本发明公开了一种硅微条探测器的封装工装及方法，属于高能物理硅微条探测器技术领域，包括模块粘贴工装和探测器压合工装；所述模块粘贴工装包括粘贴吸附底座、定位条、若干硅片定位销、PCB板定位结构和配重压块；所述粘贴吸附底座分为若干吸附区；所述定位...
    2026-05-01
  • 一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机
    一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机_松下新能源(苏州)有限公司_202511954214.7
    本申请涉及太阳能光伏电池制造领域，尤其涉及一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机。该设备通过集成化的多工位结构设计，实现从电池片精切、折叠、烫边、喷码、点胶、热冷压到检测分拣等多道工序的自动化连续处理，从而实现TOPCon电池片的...
    2026-05-01
  • 一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法
    一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法_泰州中来光电科技有限公司_202511966506.2
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法。该方法包括：采用轻掺杂工艺对晶硅硅片表面进行扩散掺杂，以在硅片上依次形成轻掺杂结构及掺杂硅玻璃；去除掺杂硅玻璃以裸露轻掺杂结构；采用波长小于或等于355nm、...
    2026-05-01
  • 一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池
    一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池_尚义县荣登新能源有限公司_202512010158.8
    本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池。本发明提供的硅片的双面制绒方法，包括如下步骤：将N型单晶硅片依次进行清洗、抛光处理、表面氧化层去除和双面高温吸杂处理，得到干净的N型单晶硅片；将所述干净的N型...
    2026-05-01
  • 一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法
    一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法_上海空间电源研究所_202512013296.1
    本发明公开了一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构的制备方法，包括：在n‑InP衬底上依次外延生长n‑InP缓冲层、m层n‑InAsxPy缓冲层、组分过冲层和晶格硬化层；m层n‑InAsxPy缓冲层中，m=4~8，x=0.1~0.6，y=0.4~...
    2026-05-01
  • 一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法
    一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202610000747.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法，制备方法包括以下步骤：1)制备硅基InP薄膜；2)在硅基InP薄膜上通过MOCVD外延生长正向两结太阳能电池；3)在GaAs衬底上通过MOCVD外延生...
    2026-05-01
  • 基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法
    基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法_上海隆宇芯航能源科技有限公司_202610009744.2
    本发明涉及半导体光电器件制造技术领域，公开了一种基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法。该方法核心在于：采用沿[111]晶向10‑15°大角度斜切的Ge(001)衬底作为模板，直接化学气相沉积生长单...
    2026-05-01
  • 一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法
    一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法_西安科技大学_202610014348.9
    本发明公开了一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法。本发明先制备ZnO种子层，再通过水热法制备ZnO纳米线阵列；然后利用溶胶‑凝胶法结合退火处理在ZnO纳米线表面修饰In2O3纳米颗粒和致密包覆的CuO纳米颗粒，制...
    2026-05-01
  • 一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用
    一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用_福州大学_202610086361.5
    本发明提供一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法，在CdS薄膜上沉积CdCl2，进行第一退火，获得第一薄膜；在第一薄膜上沉积Sb2(S, Se)3吸收...
    2026-05-01
  • 一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用
    一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用_福州大学_202610086734.9
    本发明提供一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。本发明提出CdS/Sb2S3薄膜的退火方法，为双面退火方法，一面在预加热至350‑400℃的第一平台上退火10‑20min，另一面继续在预加热至150‑180℃的...
    2026-05-01
  • 太阳能电池封装方法
    太阳能电池封装方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202610089365.9
    本发明提供一种太阳能电池封装方法，涉及太阳能电池生产工艺的技术领域，包括：将基板玻璃和层压玻璃初步封装，并在边缘处预留间隙；在基板玻璃和层压玻璃的间隙内设置填充物，以形成玻璃结构；将玻璃结构置于真空容器中，并对真空容器抽真空处理；通过激光器...
    2026-05-01
  • 一种三结柔性太阳电池
    一种三结柔性太阳电池_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202610321087.5
    本发明公开一种三结柔性太阳电池，包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层，所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池；然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜，在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层...
    2026-05-01
  • 一种TBC电池的制备方法及TBC电池
    一种TBC电池的制备方法及TBC电池_一道新能源科技股份有限公司_202610352669.X
    本发明公开了一种TBC电池的制备方法及TBC电池，该制备方法首先提供N型硅基底；其中，N型硅基底的第一表面包括呈叉指状交替排列的第一区域和第二区域，然后在第一区域与第二区域对应的第一表面上依次制备中间间隔层、第一隧穿氧化层和硼扩散掺杂层，并...
    2026-05-01
  • 一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法
    一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法_鑫琪(苏州)新能源科技有限公司_202610360948.0
    本发明公开了一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法，涉及光伏太阳能板加工技术领域，包括设置于机箱上的承载台和设置于承载台上方的隔离罩，机箱内设置有第一驱动机构，并用于驱动隔离罩升降；机箱内设置有第二驱动机构，并用于驱动承载台平移；隔离罩内设...
    2026-05-01
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610361405.0
    本申请公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏领域。本申请方法包括：获取半导体衬底；使用电极浆料在半导体衬底表面制备电极；电极浆料包括导电金属颗粒60%~80%，有机载体15~30%，添加剂5~10%；导电金属颗粒包括银粉...
    2026-05-01
  • 一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池
    一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202610368418.0
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池，包括S1082、采用激光诱导晶化工艺，对第二半导体开口区内的至少部分第二掺杂非晶硅层进行激光刻画，使得激光刻画区域的对应部分第二掺杂非晶硅层晶化形成第...
    2026-05-01
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