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最新专利技术
  • 射频放大器的增益控制方法及增益可控的射频放大器
    射频放大器的增益控制方法及增益可控的射频放大器_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610069024.5
    本发明提供一种射频放大器的增益控制方法及增益可控的射频放大器，涉及无线通信技术领域，射频放大器包括集成在单一芯片上的射频放大器核心电路和增益控制网络，方法包括：接收数字增益控制信号；根据所述数字增益控制信号，控制所述增益控制网络内至少一个受...
    2026-05-02
  • 一种P波段大功率滤波限幅组件
    一种P波段大功率滤波限幅组件_南京国睿微波器件有限公司_202511834241.0
    本发明公开了一种P波段大功率滤波限幅组件，属于微波技术领域，包括滤波器、限幅器、极化器、耦合器和金属腔体。所述限幅器安装在金属腔体的底层，滤波器与极化器安装在金属腔体的顶层，耦合器安装在金属腔体的侧壁，滤波器、低通滤波器与极化器之间的互连采...
    2026-05-02
  • 一种高集成小型滤波器
    一种高集成小型滤波器_江苏奥力威传感高科股份有限公司_202511846449.4
    本发明公开了滤波器领域内的一种高集成小型滤波器，包括壳体、正极铜排、负极铜排、滤波组件、PCB板和绝缘支架；滤波组件包括磁芯L1、贴片电容Cx1‑2、贴片电容Cy1‑4、瓷片电容Cx3和电阻Rx1；壳体内设用以集成磁芯L1的容纳腔，上侧设置...
    2026-05-02
  • EMI滤波器
    EMI滤波器_台达电子企业管理(上海)有限公司_202511678596.5
    本案关于一种EMI滤波器，包含电路板、共模电感、第一X电容以及第二X电容，共模电感设置于电路板上，第一X电容设置于电路板上，且位于共模电感的轴向的第一侧，第二X电容设置于电路板上，且位于共模电感的轴向的第二侧，第二侧与第一侧相对设置，第一X...
    2026-05-02
  • 一种全通移相器
    一种全通移相器_上海安其威微电子科技有限公司_202610328331.0
    本申请提供了一种全通移相器。移相器包括：第一全通移相单元和第二全通移相单元，第一全通移相单元和第二全通移相单元的频点不同；第一全通移相单元和第二全通移相单元均包括多个串联的电感；电感包括周向方向绕制的导线；第一全通移相单元的一个电感与第二全...
    2026-05-02
  • 一种双频恒温晶振及其制作方法
    一种双频恒温晶振及其制作方法_成都世源频控技术股份有限公司_202610320940.1
    本发明公开了一种双频恒温晶振及其制作方法，涉及晶体振荡器技术领域，其包括陶瓷基座与陶瓷底板，二者采用LTCC工艺一体成型；高频石英晶体与低频石英晶体分别置于独立密闭腔体内，通过高导热金刚石铜衬底、金属化导热孔及分区温度感知芯片实现统一加热与...
    2026-05-02
  • 抑制寄生模式的表面声波谐振器及其滤波器
    抑制寄生模式的表面声波谐振器及其滤波器_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202511793188.4
    本发明公开了一种抑制寄生模式的表面声波谐振器，包括：输入电极和输出电极；个拆分式谐振器，，各个拆分式谐振器并联于所述输入电极和所述输出电极之间，且各个拆分式谐振器的波长不相等；各拆分式谐振器的平均波长与单谐振器的波长相等，各拆分式谐振器的总...
    2026-05-02
  • 声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器
    声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器_常州承芯半导体有限公司_202512057566.9
    本申请提供一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器，涉及半导体技术领域，制备方法包括形成衬底，包括形成压电层；形成叉指电极，位于压电层上；形成温度补偿层，位于压电层上，覆盖叉指电极，其中，形成温度补偿层采用沉积工艺，其中，形成温度补偿...
    2026-05-02
  • 声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器
    声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器_常州承芯半导体有限公司_202512057814.X
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器。制备方法包括：形成衬底，包括：获取第一厚度值；基于第一厚度值，形成压电层；其中，获取第一厚度值包括：基于谐振器性能指标，获取包括满足谐振器性能指标的多个压电层厚度...
    2026-05-02
  • 声表面波滤波器及电子设备
    声表面波滤波器及电子设备_江苏卓胜微电子股份有限公司_202411436755.6
    本申请公开了一种声表面波滤波器及电子设备，属于滤波器技术领域。声表面波滤波器包括：谐振器结构具有沿第一方向延伸的第一指条；电容结构与谐振器结构并联，电容结构包括相对设置的两个汇流条，两个汇流条之间具有与其中一个汇流条连接且与另一个汇流条间隔...
    2026-05-02
  • 一种双芯对称型可控移相器的参数设计方法及装置
    一种双芯对称型可控移相器的参数设计方法及装置_国网河北省电力有限公司电力科学研究院_202511722335.9
    本发明提供一种双芯对称型可控移相器的参数设计方法及装置，涉及电力电网技术领域。本发明首先基于系统设计需求和约束条件，确定可控移相器的移相角、额定容量、额定电压、额定电流和短路阻抗范围等关键性能指标，之后，根据关键性能指标，进行精确计算，确定...
    2026-05-02
  • 一种PIN二极管电调衰减电路
    一种PIN二极管电调衰减电路_成都威频科技有限公司_202512026651.9
    一种PIN二极管电调衰减电路，包括射频主链路和直流偏置电路，其中，PIN二极管D1正极通过微带电路1连接PIN二极管D2负极，PIN二极管D1负极连接电容C1一端；PIN二极管D4正极通过微带电路4连接PIN二极管D3负极，PIN二极管D4...
    2026-05-02
  • 一种基于硅基CMOS工艺的高功率射频环形器
    一种基于硅基CMOS工艺的高功率射频环形器_郑州大学_202512039975.6
    本发明公开了一种基于硅基CMOS工艺的高功率射频环形器，该环形器包括由回转器和集总参数LC元件构成的传输网络；所述回转器包括第一开关对、第二开关对以及连接在其之间的λ/4传输线。第一开关对连接在发射端与λ/4传输线之间，第二开关对连接在λ/...
    2026-05-02
  • 基于STIW分布的鲁棒卡尔曼滤波方法
    基于STIW分布的鲁棒卡尔曼滤波方法_辽宁大学_202512050456.X
    本发明提供了基于STIW分布的鲁棒卡尔曼滤波方法，涉及状态估计与滤波技术领域。该方法包括以下步骤：步骤S1、构建状态空间模型，初始化参数；步骤S2、基于初始化的参数，将过程噪声建模为高斯‑逆Wishart分布；步骤S3、基于初始化的参数将测...
    2026-05-02
  • 任意符号速率的IQ基带生成方法及装置
    任意符号速率的IQ基带生成方法及装置_优利德科技(中国)股份有限公司_202511954117.8
    本申请属于信号发生器技术领域，尤其涉及一种任意符号速率的IQ基带生成方法及装置，包括：获取IQ符号数据，对IQ符号数据进行信道滤波，生成具有预定带宽的信道滤波IQ数据，信道滤波IQ数据具有原始采样率；对信道滤波IQ数据进行分数重采样，生成重...
    2026-05-02
  • 布里渊光时域反射信号的增益卡尔曼滤波去噪方法和系统
    布里渊光时域反射信号的增益卡尔曼滤波去噪方法和系统_广东工业大学_202511980520.8
    本发明涉及分布式光纤传感技术领域，提出一种布里渊光时域反射信号的增益卡尔曼滤波去噪方法和系统，包括初始化包括状态转移矩阵、控制矩阵、观测矩阵、过程噪声方差以及先验估计协方差的卡尔曼滤波器参数；根据状态转移矩阵、控制矩阵和控制输入量，对布里渊...
    2026-05-02
  • 基于逻辑距离准则的偏差补偿仿射投影自适应滤波器
    基于逻辑距离准则的偏差补偿仿射投影自适应滤波器_苏州大学_202610315832.5
    本发明涉及自适应滤波技术领域，公开了一种基于逻辑距离准则的偏差补偿仿射投影自适应滤波器，根据期望信号采样值、含噪输入信号采样值和自适应权值分别构建期望信号向量、含噪输入信号向量及矩阵，以及自适应权值向量；根据估计误差信号，获取抗脉冲误差平方...
    2026-05-02
  • 一种用于标准单元库的多比特触发器设计方法及扫描链
    一种用于标准单元库的多比特触发器设计方法及扫描链_重庆芯联微电子有限公司_202511701427.9
    本发明公开了一种用于标准单元库的多比特触发器设计方法及扫描链，属于集成电路技术领域，该用于标准单元库的多比特触发器设计方法，包括提供若干单比特触发器，设置各单比特触发器的翻转率；排列所述单比特触发器，将翻转率最低的单比特触发器放置在最末位；...
    2026-05-02
  • 负载驱动电路、负载驱动方法和驱动芯片
    负载驱动电路、负载驱动方法和驱动芯片_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511836442.4
    本公开提供了一种负载驱动电路、负载驱动方法和驱动芯片，该电路包括激励生成电路、电流检测电路和控制电路，激励生成电路接收控制电路输出的波形控制信号，基于波形控制信号，将直流输入电压转换为激励信号并将其调整至最佳频率，电流检测电路基于负载电流检...
    2026-05-02
  • 具有极高变化率的脉冲电场生成系统及方法
    具有极高变化率的脉冲电场生成系统及方法_北京华天机电研究所有限公司_202411415759.6
    本发明公开了一种具有极高变化率的脉冲电场生成系统及方法，脉冲电场生成系统包括：接地单元、吊装单元、电极单元、MARX发生器单元及截波单元，接地单元用于承载一被测试品，被测试品通过接地单元接地；通过所述吊装单元将电极单元吊起并悬置于被测试品的...
    2026-05-02
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