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最新专利技术
  • 用于射频设备的层压基板
    用于射频设备的层压基板_意法半导体国际公司_202511434516.1
    本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频应用的层压基板，包括：其中形成有第一槽的第一金属层，以及传输线，传输线穿透到第一槽中；第二金属层，包括第二槽；第三金属层，包括第三槽；第四金属层，包括第四槽；介质层，被布置在每个金属层之间；第二...
    2026-04-19
  • 一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法
    一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511990748.5
    本发明公开了一种带有金属化通孔的微晶玻璃基板及其制备方法，属于电子器件转接板制作领域。基板包括微晶玻璃板基材和垂直贯穿其上下平面的通孔，通孔中形成金属化导电结构。制备方法包括：采用CO2脉冲激光对微晶玻璃薄板选定区域进行辐照改性致使薄板中微...
    2026-04-19
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511910063.5
    本发明提供封装结构及其制造方法。封装结构包括衬底、中介结构、第一半导体结构和第二半导体结构。衬底包括封装基板单元和覆盖封装基板单元侧壁的绝缘材料。中介结构设置在衬底上。中介结构包括导电柱和侧向包覆导电柱的包封材料。第一半导体结构设置在衬底上...
    2026-04-19
  • 一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置
    一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置_中国机械总院集团郑州机械研究所有限公司_202511946784.1
    本发明涉及电子封装用材料技术领域，具体而言，涉及一种抗氧化Cu基键合线及其制备方法和装置。制备方法包括以下步骤：S1. 取铜线坯，匀速从含有纳米银粉的银浆中穿过，然后进行烧结固化和拉拔定径，得到表面镀覆有银层的第一铜线；S2. 使第一铜线匀...
    2026-04-19
  • 一种微波多芯片共晶限位装置及微波多芯片共晶方法
    一种微波多芯片共晶限位装置及微波多芯片共晶方法_成都九洲迪飞科技有限责任公司_202610015835.7
    本发明涉及多芯片共晶的领域，公开了一种微波多芯片共晶限位装置及方法，包括底板、至少一个压块和至少一个配重块，所述底板上设置有至少一个用于容置对应的定位载板的定位区域；所述压块上设置有定位部，所述定位部与所述底板定位配合，所述压块底部设置有施...
    2026-04-19
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_硅谷数模(上海)半导体有限公司_202511757278.8
    本发明提供了一种芯片封装结构，包括多个芯片，多个芯片中的至少部分层叠设置在基板上，各个芯片的至少部分设置有多个芯片连接凸块，相邻的两个芯片之间通过多个芯片连接凸块互联，相对靠近基板的芯片通过基板连接凸块与基板互联；其中，芯片封装结构还包括塑...
    2026-04-19
  • 高频芯片异构集成电路及其制备方法
    高频芯片异构集成电路及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512030937.4
    本发明提供一种高频芯片异构集成电路及其制备方法，涉及半导体技术领域。该高频芯片异构集成电路包括：多个芯片、多孔导体和基板；多个芯片的类型至少为两种；多个芯片采用平面化互联形式，通过多孔导体连接到基板的焊盘上。本发明对各个芯片采用平面化互联形...
    2026-04-19
  • 一种基岛结构及QFN多芯合封芯片
    一种基岛结构及QFN多芯合封芯片_南京矽邦半导体有限公司_202610039744.7
    本申请涉及一种基岛结构，属于芯片制造技术领域，其包括基层，基层上设置有若干芯片安装层，若干芯片安装层之间留有预设间距，预设间距能够降低相邻芯片安装层之间的电磁耦合；芯片安装安装层包括芯片安装部和引线连接部，芯片安装部与引线连接部连接；预设间...
    2026-04-19
  • 射频键合接地垫片及其制备方法
    射频键合接地垫片及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512028945.5
    本发明提供一种射频键合接地垫片及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。该射频键合接地垫片，接地垫片包括衬底、第一种子层、第二种子层和焊盘层；第一种子层和第二种子层分别布设在衬底的上下表面；焊盘层布设在第一种子层的表面；焊盘层用于与待封装的芯片管...
    2026-04-19
  • 一种集成电路封装方法
    一种集成电路封装方法_浙江国芯半导体科技有限公司_202511947811.7
    本申请公开一种集成电路封装方法，包括步骤1、构建热膨胀渐变缓冲层，在芯片与再布线层之间设置热膨胀系数逐级变化的缓冲过渡层，使不同材料之间的热形变实现平滑过渡，从而降低因热膨胀不匹配导致的界面应力集中；步骤2、引入柔性应力吸收层，在芯片与再布...
    2026-04-19
  • 一种化合物半导体封装方法及结构
    一种化合物半导体封装方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511991576.3
    本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种化合物半导体封装方法及结构。包括：首先将芯片背面共晶金属块备用，然后在临时载板上生长高铜柱，并将贴有金属块的芯片正装在玻璃载板上并进行塑封；接下来通过研磨露出芯片正面pad和铜柱并进行再布线制作，...
    2026-04-19
  • 一种板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法
    一种板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法_深圳中科四合科技有限公司_202610015465.7
    本发明公开了一种用于垂直结构芯片和倒装芯片板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法，先根据设计要求参数制作底层互联线路层、底层焊盘和屏蔽罩结构的隔断围坝底端外接地点，再制作隔断围坝和实现垂直互联的铜柱，固定贴装塑封芯片后，再逐层增层依次制作垂直互...
    2026-04-19
  • 一种电磁屏蔽封装结构制造方法
    一种电磁屏蔽封装结构制造方法_深圳中科四合科技有限公司_202610016960.X
    一种电磁屏蔽封装结构制造方法，包括以下步骤：在载板上开芯片容纳槽，对芯片容纳槽的槽壁金属化，形成屏蔽槽和金属化槽壁；在载板下表面粘贴临时键合胶膜；将芯片焊盘面朝上放入屏蔽槽，背面粘接固定于临时键合胶膜上；塑封载板、屏蔽槽及嵌入屏蔽槽的芯片，...
    2026-04-19
  • 电子器件及其封装结构、方法、电子设备
    电子器件及其封装结构、方法、电子设备_昆仑芯(北京)科技股份有限公司_202511882004.1
    本公开提供了一种电子器件及其封装结构、方法、电子设备，涉及电子技术领域，尤其涉及电子封装技术领域。具体实现方案为，电子器件的封装结构包括：基板；所述基板包括主体区域和围绕所述主体区域的边缘区域；功能裸片和虚设裸片，位于所述基板的所述主体区域...
    2026-04-19
  • 微型高可靠封装结构及其制备方法
    微型高可靠封装结构及其制备方法_北京升宇科技有限公司_202610295850.1
    本发明公开了一种微型高可靠封装结构及其制备方法。所述封装结构包括基板、盖板和位于基板与盖板之间的被封装元件，所述被封装元件与所述基板电性固定连接，并且，在所述基板与盖板之间，除了被封装元件之外的区域内充满可固化的灌封胶，使得灌封胶包围被封装...
    2026-04-19
  • 一种多层共烧陶瓷封装内腔侧壁金属化图形印刷方法
    一种多层共烧陶瓷封装内腔侧壁金属化图形印刷方法_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202610298858.3
    本发明涉及多层共烧陶瓷封装基板及外壳技术领域，公开了一种多层共烧陶瓷封装内腔侧壁金属化图形印刷方法，包括以下步骤：按照多层陶瓷生产工艺完成生瓷表面图形及通孔金属化；将腔体图形相同的相邻层按顺序叠压为一个叠层分体；叠层分体上、下表面覆膜，完成...
    2026-04-19
  • 集成器件封装件
    集成器件封装件_隔热半导体粘合技术公司_202512006704.0
    在一个实施例中，公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片，该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中，该集成器件裸片包括有源电路系...
    2026-04-19
  • 集成器件封装件
    集成器件封装件_隔热半导体粘合技术公司_202512008372.X
    在一个实施例中，公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片，该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中，该集成器件裸片包括有源电路系...
    2026-04-19
  • 集成器件封装件
    集成器件封装件_隔热半导体粘合技术公司_202512010647.3
    在一个实施例中，公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片，该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中，该集成器件裸片包括有源电路系...
    2026-04-19
  • 一种芯片共晶烧结加热方法
    一种芯片共晶烧结加热方法_航天科工微电子系统研究院有限公司_202511717051.0
    本发明公开了一种芯片共晶烧结加热方法，属于半导体芯片封装技术领域，包括以下步骤：步骤S1、对芯片的焊接面和基板的连接面进行清洗和活化处理；步骤S2、在基板的连接区域预置纳米级焊料粉末与助焊剂的混合物；步骤S3、将芯片的焊接面与基板上的焊料层...
    2026-04-19
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