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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种风机功率调度优化方法及系统
    一种风机功率调度优化方法及系统_山东大学_202510129904.2
    本发明提供了一种风机功率调度优化方法及系统，基于风机关键部件的运行特性及外部环境因素，构建关键部件的受力特性模型；基于所述关键部件的受力特性模型，结合四点雨流计数法与残波串联法，对风机运行中的应力循环进行识别与修正，基于疲劳损伤理论，计算风...
    2026-04-17
  • 损失补偿方法、装置、设备、存储介质及产品
    损失补偿方法、装置、设备、存储介质及产品_鹏城实验室_202511910831.7
    本申请公开了一种损失补偿方法、装置、设备、存储介质及产品，包括：获取接收信号的波形特征信息和波长条件信息；基于波形特征信息和波长条件信息通过预设损失补偿模型对接收信号进行损失补偿，得到预设损失补偿模型输出的目标信号，预设损失补偿模型为基于各...
    2026-04-17
  • 树脂基多孔碳材料、硅碳材料制备方法及应用
    树脂基多孔碳材料、硅碳材料制备方法及应用_碳一新能源集团有限责任公司_202512038631.3
    本发明公开了树脂基多孔碳材料、硅碳材料制备方法及应用，树脂基多孔碳的石墨微晶有效尺寸L为1.5nm‑2.7nm，L=(πLa2Lc/6)1/3×α，其中，La=0.89λ/(β100cosθ100)；Lc=0.89λ/(β002cosθ00...
    2026-04-17
  • 摄像头模组及电子设备
    摄像头模组及电子设备_维沃移动通信有限公司_202610120429.7
    本申请公开一种摄像头模组及电子设备，涉及摄像技术领域。该摄像头模组包括外壳、镜头、连接件和自锁组件，所述镜头、所述连接件和所述自锁组件均设置于所述外壳的容纳腔内，所述连接件与所述镜头相连，所述自锁组件包括弹性形变件，所述弹性形变件与所述外壳...
    2026-04-17
  • 一种防风沙侵蚀的光伏储能装置
    一种防风沙侵蚀的光伏储能装置_安徽联维新能源科技有限公司_202520565493.7
    本实用新型公开了一种防风沙侵蚀的光伏储能装置，属于光伏储能装置技术领域，包括灯杆和底座，底座固定安装在灯杆的顶端，底座的顶部设置有翻转遮蔽组件，翻转遮蔽组件内设置有光伏板。本实用新型通过设置翻转遮蔽组件，在日常工作时，通过翻转电机使光伏板在...
    2026-04-17
  • 电动液压泵、主动液压悬架及汽车
    电动液压泵、主动液压悬架及汽车_杭州安衡迅科技有限公司_202520272612.X
    本申请涉及车辆技术领域，特别是涉及一种电动液压泵、主动液压悬架及汽车。电动液压泵包括泵、电机、驱动模组和第一连接器；电机设有电机轴并通过电机轴传动连接于泵；驱动模组设于电机的外周侧；驱动模组包括驱动板和电源板，驱动板和电源板沿电机轴的径向间...
    2026-04-17
  • 音圈马达的行程校准方法
    音圈马达的行程校准方法_美新半导体(无锡)有限公司_202511912972.2
    本发明提供一种音圈马达的行程校准方法，其包括：分别给所述音圈马达施加最小驱动电流、大驱动电流和零驱动电流，得到各驱动电流下位置传感器得到的磁场强度的数字输出量H_n、H_p和H_z；计算得到增益gain3；计算所述位置传感器输出的数字输出量...
    2026-04-17
  • 一种自适应MPPT控制方法及系统
    一种自适应MPPT控制方法及系统_兰州理工大学_202610050859.6
    本申请公开了一种自适应MPPT控制方法及系统，包括以下步骤：S1.数据采集与处理：实时采集运行风速数据，并进行滤波处理；S2.风速特征提取：基于处理后的实时风速数据，计算实时风速波动幅度；多模式协同控制可适配不同风况与电网状态，在风场稳定、...
    2026-04-17
  • 促进发光的器件及用于制造该器件的方法
    促进发光的器件及用于制造该器件的方法_柳雄烈_202480057858.3
    公开一种促进发光的器件。相应地，该器件可以包含至少一个基板、被配置为安放于至少一个基板上的至少一个第一层。再者，至少一个第一层可以是N型氮化物基半导体层。至少一个第二层被配置为安放于至少一个第一层上。再者，至少一个第二层可以是氮化物基半导体...
    2026-04-17
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054678.9
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-17
  • 一种高强度丝麻混纺织物及其制造工艺
    一种高强度丝麻混纺织物及其制造工艺_吴江市新申织造有限公司_202610274921.X
    本发明属于混纺织物技术领域，具体涉及一种高强度丝麻混纺织物及其制造工艺。本发明旨在解决现有的丝麻混纺织物强度不足，功能改性效果差的问题。本发明将麻纤维进行溶胀和活化后，浸轧处理并与丝纤维混纺得到改性混纺纤维；以丝纤维作为甲经轴，改性混纺纤维...
    2026-04-17
  • 梯度失效式绝缘的触点结构及其制备方法
    梯度失效式绝缘的触点结构及其制备方法_东莞市中一合金科技有限公司_202511175877.9
    本申请涉及电接触元件领域，特别是一种梯度失效式绝缘触点结构及其制备方法。该触点由下至上依次包括铁质基层、铜质导电中间层及银合金接触层。所述铜导电中间层的表面中部区域下凹形成安装槽，该安装位沿触点宽度方向的开口尺寸不超过铜质导电中间层上表面总...
    2026-04-17
  • 一种偏心磁钢驱动式的多接头继电器
    一种偏心磁钢驱动式的多接头继电器_浙江格蕾特电器股份有限公司_202512048161.9
    一种偏心磁钢驱动式的多接头继电器，其包括底座，线圈组件，磁钢组件，动簧组件，静簧组件，以及屏蔽组件。所述磁钢组件包括滑动块，第一永磁铁，第二永磁铁，第一衔铁片，以及第二衔铁片。所述第二永磁铁相对于滑动块中心偏心设置，以增强与线圈组件轭铁间的...
    2026-04-17
  • 一种高压变频器移相变压器二次侧短路保护电路
    一种高压变频器移相变压器二次侧短路保护电路_上海电气富士电机电气技术有限公司_202511995020.1
    本发明涉及高压变频与工业电气保护技术领域，具体涉及一种高压变频器移相变压器二次侧短路保护电路，包括主断路器、电流采样模块、电压反馈信号处理模块、信号判断模块和上位机；其中，电流采样模块直接采集二次侧绕组电流并转换为交流电压信号，经电压反馈信...
    2026-04-17
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202520627308.2
    本申请公开一种继电器，包括接触腔体、接触组件和激发器组件。接触腔体具有接触腔室；接触组件包括两个静接触件和动接触件，静接触件相对于接触腔体固定设置，动接触件可动地设于接触腔室内，用于与两个静接触件接触或分离；激发器组件连接于接触腔体的内壁面...
    2026-04-17
  • 检测电气开关装置的离散的断开和闭合状态的系统和方法
    检测电气开关装置的离散的断开和闭合状态的系统和方法_伊顿智能动力有限公司_202511436808.9
    一种用于在电气开关装置中使用的设备，该电气开关装置包括操作机构，该操作机构具有能量储存装置、凸轮组件、极轴以及可分离触头。该设备包括：保持装置；释能检测器，构造成邻近凸轮组件设置并且基于凸轮组件的位置来检测能量储存装置的释能状态；极轴位置检...
    2026-04-17
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202520627280.2
    本申请公开一种继电器，包括接触腔体、至少一组接触组件和执行单元。接触腔体具有接触腔室；接触组件包括两个静接触件，静接触件具有装设于接触腔体的顶部的静部件，静部件具有伸入接触腔室内的插入部，静接触件还具有位于接触腔室内的触点部，两个插入部之间...
    2026-04-17
  • 投影仪
    投影仪_精工爱普生株式会社_202520791609.9
    投影仪。提高光的利用效率。投影仪(100)具备具有绿色入射侧基板(243G)的绿色液晶面板(24G)，绿色入射侧基板包含入射玻璃基板(249G)、公共电极(417)、以及形成在入射玻璃基板上的多个第1微透镜(247G)，多个第1微透镜分别将...
    2026-04-17
  • 一种用于铁路直流远供模块的热插拔电路
    一种用于铁路直流远供模块的热插拔电路_北京力源兴达科技有限公司_202512032691.4
    本申请公开了一种用于铁路直流远供模块的热插拔电路，包括输入端口用于接入直流母线；输出端口用于连接负载设备；过压保护电路并联用于将输入电压限制在设定范围内；过流保护模块用于采样输入电流并进行过流保护；过流保护模块的输出端与所述电源启动控制电路...
    2026-04-17
  • 半导体结构、光电器件及制造方法
    半导体结构、光电器件及制造方法_阿落斯半导体有限公司_202480056592.0
    本发明涉及一种制造半导体结构的方法。该方法包括：‑提供衬底；‑在该衬底上外延制造基本上应变弛豫或无应变的GaN层，其穿透位错密度优选为1 x 107 cm‑2至1 x 109 cm‑2；以及‑在该GaN层上方外延制造有源层结构，该有源层沿堆...
    2026-04-17
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