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最新专利技术
  • 一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法
    一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法_昆明物理研究所_202610067678.4
    本发明公开了一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法，通过对热处理系统进行模拟测温及温场修正，控制薄膜放置区域内的温差，保证热处理过程薄膜面内的高温场均匀性，抑制由于热处理过程温场不均匀导致的额外应力引入。本发明通过台阶升温和台阶降温过程的设计...
    2026-05-01
  • 硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法
    硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法_天合光能股份有限公司_202610048096.1
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法，旨在解决现有技术中一次沉积形成的硼掺杂p+发射极无法兼顾表面复合速率和接触性能的问题。为此目的，本发明通过在硅衬底的正面至少沉积两层硼硅玻璃层，并在相邻...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池装配设备及装配方法
    一种太阳能电池装配设备及装配方法_新余学院_202610027821.7
    本发明公开一种太阳能电池装配设备及装配方法，涉及太阳能电池组装技术领域；包括底座，底座的侧面顶端设置有夹持机构和吸附机构，夹持机构用于夹持框架，吸附机构用于吸附转移电池片；在底座的底部两端分别预备堆叠有框架和电池片，底座上还设置有作业台；底...
    2026-05-01
  • 碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备
    碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备_成都中建材光电材料有限公司_202511933278.9
    本发明公开了碲化镉薄膜太阳能电池的退火方法及设备，退火方法包括：采用整形为矩形光斑或线状光斑的激光束对碲化镉薄膜表面进行辐照，所述辐照路径覆盖所述碲化镉薄膜待退火区域。本申请中采用线形光斑或均匀化矩形光斑进行退火，具有如下优势，激光能量仅作...
    2026-05-01
  • 一种半片式硅片插片装置及工艺
    一种半片式硅片插片装置及工艺_无锡江松科技股份有限公司_202511919304.2
    本发明提供了一种半片式硅片插片装置及工艺，包括装插线，还包括装插线上的双设备架，双设备架内设置有浸洗装置和硅片供料机构，双设备架内还设置有取片机构、插片执行机构和洗吸一体机构，本发明通过洗吸一体机构将硅片的冲洗和吸片结构结合，通过冲洗硅片所...
    2026-05-01
  • 一种热压制备方法、导电背板及光伏组件
    一种热压制备方法、导电背板及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511821347.7
    本申请公开了一种热压制备方法、导电背板及光伏组件，热压制备方法包括：提供层叠件；通过加热装置对所述层叠件进行非接触式加热，所述加热装置与所述层叠件之间间隔设置；通过压合装置对所述层叠件进行压合。本申请中在加热过程中使加热装置与层叠件之间存有...
    2026-05-01
  • 一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备
    一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备_苏州晶拓半导体科技有限公司_202511812367.8
    本发明提出一种晶硅太阳电池臭氧气体钝化设备，包括控制柜，其内设置有臭氧发生器，其输入端通过第一管道通入氧气，输出端通过第二管道与钝化槽连接，第二管道与第三管道相通；在第二管道上，钝化槽之前设置有臭氧浓度检测仪；第二管道与钝化槽内的环形匀流管...
    2026-05-01
  • 一种电池串串连方法
    一种电池串串连方法_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202511799395.0
    本发明公开了一种电池串串连方法，涉及电池串生产技术领域，包括：电池组预制工序和应用电池组叠设为电池串的叠串工序，预制工序中将电池片和若干间隔排布焊带使用第一胶膜固定连接为电池组，焊带中的第一连段被第一胶膜覆盖固连在电池片第一表面，焊带中的第...
    2026-05-01
  • 电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统
    电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202411434236.6
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种电极制备设备、电池片、组件、方法及电池生产系统，该电极制备设备包括：电池片；信息收集装置，所述信息收集装置与所述电池片之间有相对运动；和电极制备装置，被配置为在所述电池片上进行电极的制备，本申请通过信息收...
    2026-05-01
  • 光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法
    光伏组件及其制备方法、N-TOPCON电池片的制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202410101737.6
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法、N‑TOPCON电池片的制备方法，属于光伏组件技术领域，在N型硅片背面依次沉积氧化硅隧穿层、第一掺杂磷的N+POLY硅层、第二氧化硅层和第二掺杂磷的N+POLY硅层；对背表面进行无氧高温晶化，得到叠层N...
    2026-05-01
  • 一种太阳能无机储能材料及其制备方法
    一种太阳能无机储能材料及其制备方法_梁展慧_202311219400.7
    本发明涉及储能材料，更具体的说是一种太阳能无机储能材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：将安装框装夹在多个装夹板之间；步骤二：驱动切割刀具转动，切割刀具对安装框的侧边进行切割形成安装槽；步骤三：安装框转动，切割刀具对安装框的四周进行...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池片及其制造方法
    一种太阳能电池片及其制造方法_梁海霞_202311219233.6
    本发明涉及太阳能电池片制造领域，特别是一种太阳能电池片及其制造方法；包括以下步骤：在太阳能电池片的下端安装矩形定位板；将装有矩形定位板的太阳能电池片放置在制造装置中，通过制造装置对太阳能电池片进行运输；利用太阳能电池片下端的定位板使其卡入制...
    2026-05-01
  • 用于成像装置的对数响应像素
    用于成像装置的对数响应像素_意法半导体国际公司_202511526821.3
    本公开涉及用于成像装置的对数响应像素。更具体而言，涉及一种对数响应像素，包括感光电路元件以及至少一个二极管连接的双极结型晶体管。该至少一个二极管连接的双极结型晶体管具有耦合到至少一个二极管连接的双极结型晶体管的第一导电节点的基极。至少一个二...
    2026-05-01
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511000581.3
    公开了一种图像感测装置。在实施方式中，图像感测装置包括：基板，该基板包括像素区域和位于像素区域外部的外围区域，外围区域包括焊盘区和位于像素区域和焊盘区之间并包括多个突起和多个凹部的第一粘附增强结构；多个第一基板隔离结构，多个第一基板隔离结构...
    2026-05-01
  • 图像传感器及图像传感器的制造方法
    图像传感器及图像传感器的制造方法_豪威科技股份有限公司_202510623943.8
    本发明提供一种图像传感器及图像传感器的制造方法，所述图像传感器包括半导体衬底、光电转换区、半导体突出部分、浮动扩散区和转移栅极。光电转换区形成在半导体衬底中，光电转换区根据入射光而产生电荷。半导体突出部分从半导体衬底突出并向上延伸到光电转换...
    2026-05-01
  • 图像传感器和包括图像传感器的电子装置
    图像传感器和包括图像传感器的电子装置_三星电子株式会社_202511493115.3
    提供了图像传感器和包括图像传感器的电子装置。该图像传感器包括传感器基板和纳米光学透镜阵列，传感器基板包括包含多个连续布置的第一像素的第一像素组、包含多个连续布置的第二像素的第二像素组、包含多个连续布置的第三像素的第三像素组、以及包含多个连续...
    2026-05-01
  • 一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法
    一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法_格科半导体(上海)有限公司_202411489623.X
    本发明公开了一种用于改善图像传感器的工艺缺陷的处理方法，包含：步骤1，提供一晶圆，所述晶圆包含金属互连层；步骤2，在所述晶圆表面沉积一介质层，所述介质层至少包含Si元素、N元素，所述介质层能与含O活性粒子反应形成SiOxNy；步骤3，通入含...
    2026-05-01
  • 一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法
    一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法_格科半导体(上海)有限公司_202610070374.3
    一种背照式图像传感器及其制造方法和晶圆键合方法，在晶圆的正面制备图像传感器以形成器件晶圆，提供载体晶圆准备与器件晶圆键合，在器件晶圆的顶面生长第一介质层，沉积第一介质层时提供的射频功率大于1300W，在第一介质层的顶面上生长第二介质层，将第...
    2026-05-01
  • 硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法
    硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610056728.9
    本发明公开了一种硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法：1)制备光子引擎，集成光/电集成电路并通过铜针垂直互连，光输入端设透镜耦合器；2)将CIS芯片通过微凸块倒装于第一RDL层，感光区镂空，采用TIV技术形成内嵌第一铜柱的垂直互连通道，...
    2026-05-01
  • 一种探测器及其制备方法
    一种探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511891890.4
    本发明属于半导体探测器技术领域，具体涉及一种探测器及其制备方法。解决了现有探测器集成结构晶圆面积利用率低、电路与探测器之间串扰噪声高，以及热阻高、需开发传感器和读出电路的异质集成工艺等问题。一种探测器，包括：衬底；读出电路层：设置于所述衬底...
    2026-05-01
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