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最新专利技术
  • 用于改善非织造材料的强度特性的方法、非织造材料以及强度组合物的用途
    用于改善非织造材料的强度特性的方法、非织造材料以及强度组合物的用途_凯米拉公司_202480062116.X
    本发明涉及用于改善非织造材料的强度特性的方法。该方法包括形成包含纤维素基纤维的非织造材料网，以及任选地干燥该非织造材料网。将强度组合物施加至非织造材料网。该强度组合物包含(i)乙二醛化聚丙烯酰胺和(ii)天然聚合物，该天然聚合物选自非带电和...
    2026-04-30
  • 具有纳米多孔纤维的无纺布
    具有纳米多孔纤维的无纺布_亚琛工业大学公共法人_202480054084.9
    本发明涉及一种用于制备具有纳米多孔纤维的无纺布的方法。所述方法至少具有以下步骤：提供(10)纺丝溶液，所述纺丝溶液具有纤维原料、尤其聚合物，以及溶剂，由所述纺丝溶液生产(12)原纤维(20)，尤其通过将所述纺丝溶液通过毛细管挤出；借助于加速...
    2026-04-30
  • 具有水分芯吸和水分隐藏特性的衣物
    具有水分芯吸和水分隐藏特性的衣物_耐克创新有限合伙公司_202480062616.3
    一种衣物可以包括具有水分芯吸和隐藏特性的织物。该织物可以策略性地定位，使得亲水层(具有芯吸特性)邻近穿着者的皮肤表面定位，并且使得具有水分隐藏特性的疏水层定位在具有水分芯吸特性的层的外部。
    2026-04-30
  • 混合半导体晶圆及其形成方法
    混合半导体晶圆及其形成方法_微芯片技术股份有限公司_202480062809.9
    一种方法包括对一定体积的碳化硅(SiC)粉末执行压制操作以形成多晶SiC(poly‑SiC)锭，以及将该poly‑SiC锭分成多个poly‑SiC晶圆基底。该方法还包括对于相应poly‑SiC晶圆基底，将硅(Si)晶圆结构键合到该相应pol...
    2026-04-30
  • 用于检测熔融多晶硅的泄漏的装置
    用于检测熔融多晶硅的泄漏的装置_韩华思路信株式会社_202580004833.1
    本公开内容涉及用于检测熔融多晶硅的泄漏的装置。根据本公开内容的一个实施方案，所述用于检测熔融多晶硅的泄漏的装置可以包括：被配置成使多晶硅熔化的坩埚；被配置成加热坩埚的加热器；布置在坩埚下方并被配置成容纳从坩埚泄漏的熔融多晶硅的托盘；以及被配...
    2026-04-30
  • 镍系合金镀覆液
    镍系合金镀覆液_株式会社JCU_202480058826.5
    本发明的课题在于提供均匀电沉积性优异、能够以更均匀的膜厚形成Ni‑Cr‑(Mo/W)系合金覆膜的镀覆液和镀覆方法。一种Ni‑Cr‑(Mo/W)系合金覆膜形成用的镀覆液，其含有：包含镍、铬以及钼和/或钨的离子源的金属离子源；以及选自由氨、胺和...
    2026-04-30
  • 用于生产铝的方法
    用于生产铝的方法_株式会社博迈立铖_202480061518.8
    用于生产铝的这种方法用于从铝合金材料获得纯度高于所述铝材料的铝，该方法的特征在于：将阴极电极9和阳极电极7浸入电解液11中，该阳极电极7包含含有0.1至24质量%的Si的铝合金材料；以0.1至25 mA/cm2的电流密度在阳极电极7中电解液...
    2026-04-30
  • 一种包含等离激元纳米粒子的混合电极及包含该电极的电解系统
    一种包含等离激元纳米粒子的混合电极及包含该电极的电解系统_博泰克斯氢能有限公司_202480058918.3
    本申请涉及一种包含等离激元纳米粒子的混合电极及包含该电极的电解系统。根据本申请实施例的混合电极及包含该电极的电解系统，可以利用等离激元‑活性电极(Antenna‑reactor)复合电极，在电化学反应中借助等离激元现象使催化剂表面再活化。
    2026-04-30
  • 用于可消耗的二维层状半导体或导体材料的电化学分解的装置和方法
    用于可消耗的二维层状半导体或导体材料的电化学分解的装置和方法_烯克斯·索尼娅技术有限公司_202480062827.7
    本发明涉及一种用于可消耗的二维层状半导体或导体材料的电化学分解的装置和方法，包括至少一个电解池和用于将可消耗的二维层状半导体或导体材料输送到电解质中的进给系统。
    2026-04-30
  • 抑制表面活性剂分解的方法、以及铝或铝合金的清洗方法
    抑制表面活性剂分解的方法、以及铝或铝合金的清洗方法_日本帕卡濑精株式会社_202480062552.7
    本发明的目的在于提供一种即使不添加稳定剂也能够大幅抑制表面活性剂的分解的技术。通过一种方法来解决问题，上述方法为抑制含有无机酸、铁离子以及0.1～10g/L的表面活性剂的铝或铝合金用清洗液中的表面活性剂分解的方法，上述清洗液的pH为2以下，...
    2026-04-30
  • 复合构件
    复合构件_揖斐电株式会社_202480061982.7
    本发明提供一种复合构件，其不需要卷绕作业，也能够容易地应对复杂的形状，并且即使在高温下加热的情况下，也能够抑制绝缘覆膜的烧毁、剥离的发生，能够保持优异的绝缘性和耐热性。复合构件(1)具有金属制的基材(2)和包覆基材(2)的表面的至少一部分的...
    2026-04-30
  • 电工钢板绝缘覆膜组合物、电工钢板及其制造方法
    电工钢板绝缘覆膜组合物、电工钢板及其制造方法_浦项股份有限公司_202380102455.1
    根据本发明的一个实施例的电工钢板用绝缘覆膜组合物，其包含100重量份的二氧化硅、50至200重量份的金属氢氟酸、5至150重量份的钒酸盐和30至300重量份的树脂。
    2026-04-30
  • 镁合金部件的防腐蚀处理的方法、相关的防腐蚀水溶液和部件
    镁合金部件的防腐蚀处理的方法、相关的防腐蚀水溶液和部件_空客直升机_202480049525.6
    本发明涉及一种用于镁合金部件的防腐蚀处理的方法，在该方法中，将该部件在具有给定温度且含有高锰酸根离子MnO4‑和磷酸二氢根离子H2PO4‑的防腐蚀水溶液中浸没给定时间。根据本发明，在浸没该部件之前，所述防腐蚀水溶液含有摩尔离子浓度为大于或等...
    2026-04-30
  • 柔性衬底上的能够弯曲的镍镀层
    柔性衬底上的能够弯曲的镍镀层_麦克德米德乐思公司_202480062660.4
    一种在衬底上产生柔性镍磷镀层的方法。衬底包括其上具有铜层的介电材料。方法包括以下步骤：(1)利用钯活化溶液活化该衬底以催化该衬底，以及2)使所活化的衬底与包含以下各项的无电镀镍磷镀液接触：(i)镍离子源；(ii)次磷酸根离子源；(iii)至...
    2026-04-30
  • 具有热壁混合流反应器及可拆卸反应器底板的CVD系统
    具有热壁混合流反应器及可拆卸反应器底板的CVD系统_维易科仪器公司_202480062323.5
    一种化学气相沉积系统，包括反应室和可拆卸晶圆承载器，该可拆卸晶圆承载器包括被配置为支撑晶圆的晶圆承载器主体。该系统包括支撑晶圆承载器主体的可拆卸盖板，和设置在盖板下方用于支撑该盖板的基座底座。由于可拆卸盖板的第一嵌套结构与基座底座的第二嵌套...
    2026-04-30
  • 氮化镓膜、其制造方法、层叠基材、半导体元件和电子设备
    氮化镓膜、其制造方法、层叠基材、半导体元件和电子设备_东曹株式会社_202480063082.6
    本发明提供一种即使不在高温下进行热处理也具有高导电性的氮化镓膜、其制造方法、层叠基材、半导体元件和电子设备。氮化镓膜是含有氢的氮化镓膜。氢的含量可为1.0×1019原子/cm3以上。氮化镓膜也可含有掺杂剂。掺杂剂的含量可为1.0×1020原...
    2026-04-30
  • Fe基非晶合金及Fe基非晶合金薄带
    Fe基非晶合金及Fe基非晶合金薄带_日本制铁株式会社_202480063413.6
    本公开的一个方案的Fe基非晶合金以原子％计，含有B：8.0％，以上18.0％以下、Si：0％以上，2.0％以下、C：0.10％以上，5.00％以下、P：0.10％以上，3.50％以下、Mn：0％以上，0.60％以下、Fe：78.00％以上，...
    2026-04-30
  • 钢棒及钢棒制造方法
    钢棒及钢棒制造方法_现代制铁株式会社_202480063414.0
    本发明一实施例的钢棒制造方法包括：步骤(a)，将钢棒再加热至1000～1080℃，所述钢棒包含0.14～0.43重量百分比的碳(C)、0.40～1.75重量百分比的锰(Mn)、0.05～0.30重量百分比的硅(Si)、大于0.0重量百分比～...
    2026-04-30
  • 碱性水电解装置用不锈钢钢材、碱性水电解装置用构件及其制造方法、以及碱性水电解装置
    碱性水电解装置用不锈钢钢材、碱性水电解装置用构件及其制造方法、以及碱性水电解装置_日本制铁株式会社_202580005008.3
    一种碱性水电解装置用不锈钢钢材，其以质量基准计，含有C：0.100%以下、Si：1.00%以下、Mn：0.30~3.00%、Ni：10.00~35.00%、P：0.0300%以下、S：0.0030%以下、Cr：16.0~28.0%、N：0....
    2026-04-30
  • 钢板
    钢板_日本制铁株式会社_202480063080.7
    提供一种钢板，其即使C含量超过0.90%也能够兼顾优异的淬透性和优异的冷加工性。基于本发明的钢板以质量%计C：超过0.90%且为1.30%以下、Si：0.01～0.50%、Mn：0.20～1.30%、P：0.100%以下、S：0.100%以...
    2026-04-30
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