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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510721569.5
    本发明提出一种半导体装置，包含：一衬底；一阱区，位于所述衬底中；一顶掺杂区，位于所述阱区中；一第一层间介电层，位于所述阱区上；至少一接触通孔，位于所述第一层间介电层中；一第一下金属层，位于所述第一层间介电层中；一第二层间介电层，位于所述第一...
    2026-05-01
  • 一种超结型沟槽功率器件
    一种超结型沟槽功率器件_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202610142696.4
    公开了一种超结型沟槽功率器件，包括：衬底；外延层；沟槽栅结构，位于外延层中，沟槽栅结构包括沟槽，覆盖沟槽的底部和侧壁的第一栅介质层以及位于沟槽中的第一栅极导体；体区，位于沟槽栅的第一侧，并且与沟槽栅结构相邻；源区，位于体区中，并且与沟槽栅结...
    2026-05-01
  • 一种超结型功率器件
    一种超结型功率器件_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202610140024.X
    公开了一种超结型功率器件，至少包括第一元胞和第二元胞，所述第一元胞和所述第二元胞各自包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；第二掺杂类型的掺杂柱，位于所述外延层中；栅极结构，位于所述外延层上，所述栅极结构包括位于外延...
    2026-05-01
  • 半导体器件、芯片、电子设备
    半导体器件、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411479301.7
    本申请提供一种半导体器件、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在第一沟道与导电结构的重合区域处形成耗尽区，实现低饱和电压和高输出阻抗。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上的垂直晶体管，垂直晶体管包括第一极、第一沟道、第二极、第一栅结构。沿...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511821944.X
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括依次层叠设置的第一沟道、介质隔离层和第二沟道；所述介质隔离层包括依次层叠设置的第一应力层、隔离层和第二应力层；所述第一应力层邻近所述第一沟道。本申请中所述半导体...
    2026-05-01
  • 铁电晶体管器件及其制造方法和非易失性存储器
    铁电晶体管器件及其制造方法和非易失性存储器_苏州实验室_202610385911.3
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种铁电晶体管器件及其制造方法和非易失性存储器，该铁电晶体管器件包括衬底和栅极叠层；衬底内掺杂有源极区和漏极区，其间设有沟道区；栅极叠层设置在沟道区上，包含交替层叠的多个铁电层和多个介电层；铁电层中形成多个...
    2026-05-01
  • 一种SiC金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
    一种SiC金属氧化物半导体场效应管及其制备方法_浙江大学_202610378906.X
    本申请涉及一种SiC金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，包括：基底、第二导电类型的阱区、第二导电类型的体区、第一导电类型的外延层、第一导电类型的源极掺杂区、沟道叠层、场区叠层、第一导电类型的漏极掺杂区和栅极结构。其中，沟道叠层包括沿第一方...
    2026-05-01
  • 一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法
    一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法_上海朕芯微电子科技有限公司_202610135687.2
    本发明公开了一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法，半导体晶圆及制备在所述半导体晶圆上的器件，在所述器件上布置有金属沉积层，所述金属沉积层仅覆盖于所述器件的源极、栅极和漏极上。通过使用掩模板进行选择性蒸发在晶圆的正面和/或背面形成金属沉积...
    2026-05-01
  • 一种集成栅电阻的沟槽型功率器件结构及其制作方法
    一种集成栅电阻的沟槽型功率器件结构及其制作方法_西安龙威半导体有限公司_202511531889.0
    本发明公开了一种集成栅电阻的沟槽型功率器件结构及其制作方法，包括：衬底；衬底包括第一、第二部分衬底；若干沟槽形成于第一部分衬底内；多晶硅栅形成于每个沟槽内；每个沟槽内设计有集成栅电阻区，集成栅电阻区对应沟槽内多晶硅栅为部分填充；多晶硅栅与第...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610386103.9
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层，位于衬底上；势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；钝化层，位于势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，贯穿钝化层以及势垒层，并从钝化层向衬底方向至少延伸至沟道...
    2026-05-01
  • 电场调制的p-GaN栅增强型HEMT及其制备方法
    电场调制的p-GaN栅增强型HEMT及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511944480.1
    本发明公开了一种电场调制的p‑GaN栅增强型HEMT及其制备方法，p‑GaN栅增强型HEMT包括：自下而上依次叠加的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，沿着势垒层上表面的一端到另一端依次设置有的源极、帽层、调制层阵列和漏极以及位于帽层之...
    2026-05-01
  • 一种GaN HEMT器件结构及其制备方法
    一种GaN HEMT器件结构及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511844547.4
    一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，器件结构包括：衬底；位于所述衬底上的GaN沟道层、势垒层、栅极结构、以及介质层，所述栅极结构两侧的GaN沟道层与势垒层接触以形成二维电子气，并且所述栅极结构两侧具有源漏区；位于所述源漏区内的欧姆接触...
    2026-05-01
  • 氮化镓器件结构及其制备方法
    氮化镓器件结构及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511799687.4
    本申请涉及一种氮化镓器件结构及其制备方法，该氮化镓器件结构包括：衬底，所述衬底上形成有器件源极、器件漏极和主栅极结构，所述主栅极位于所述器件源极与所述器件漏极之间；辅助栅极结构，位于所述主栅极结构与所述器件漏极之间；互连金属层，同时覆盖所述...
    2026-05-01
  • 晶体管器件、晶体管器件的制备方法
    晶体管器件、晶体管器件的制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411451409.5
    本申请公开了一种晶体管器件、晶体管器件的制备方法，晶体管器件包括依次层叠设置的衬底、掺杂缓冲层、沟道层和势垒层，以及势垒层背离衬底的一侧设有漏极、源极和栅极；其中，掺杂缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层背离...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610114742.X
    本发明提供半导体器件及其制造方法，通过对侧墙介质层进行分区氟离子注入，使侧墙介质层沿高度方向自上而下形成第一分区和第二分区，其中第一分区基于氟离子注入形成表面致密层，使表面致密层在刻蚀工艺中的刻蚀速率低于第二分区。这样，对侧墙介质层进行刻蚀...
    2026-05-01
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512023791.0
    根据各种实施例，提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包括：形成栅极全环场效晶体管，所述栅极全环场效晶体管包括多个堆叠通道层及源极/漏极区域；在第一温度下执行沉积工艺以在所述源极/漏极区域上方形成第一磊晶层，使得所述多个堆叠通...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件
    一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件_广州辰微电子科技有限公司_202511920121.2
    本发明公开了一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件，其中碳化硅欧姆接触的制备方法包括：提供具有外延层的碳化硅衬底，所述外延层的暴露表面为第一表面，所述衬底的暴露表面为第二表面，所述第一表面和/或第二表面的目标欧姆接触位置形成...
    2026-05-01
  • 一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法
    一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法_西南交通大学_202511751539.5
    本发明公开了一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法，属于半导体技术领域，步骤如下：通过外延生长在N+衬底上依次形成N‑漂移区和CSL区；将Si材料层键合到CSL区上，形成Si/SiC异质结；通过两次离子注入，依次制备P沟道区和N+...
    2026-05-01
  • 制造包括二维材料的半导体器件的方法
    制造包括二维材料的半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511504600.6
    提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上提供二维材料层；以及向二维材料层供应蚀刻剂以从二维材料层去除残留物。向二维材料层供应蚀刻剂包括：向其中提供有衬底的腔室供应第一处理气体；向腔室供应微波以在腔室中形成第一等离子体；以及向腔室...
    2026-05-01
  • 超级结结构及其制造方法、超级结器件
    超级结结构及其制造方法、超级结器件_华润微电子(重庆)有限公司_202411487247.0
    本发明涉及一种超级结结构及其制造方法、超级结器件，所述方法包括：获取形成有第一导电类型层的基板；在第一导电类型层上形成对准标记；基于对准标记的位置，通过图案化在第一导电类型层形成若干沟槽；在各沟槽中形成第二导电类型柱；在各第二导电类型柱上方...
    2026-05-01
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