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最新专利技术
  • 封装基板及其制备方法
    封装基板及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511901585.9
    本申请属于半导体封装领域，实施例提供一种封装基板及其制备方法。封装基板包括：介质层，所述介质层具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一个第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述第一表面上，且与所述第一表面的边缘正对；至少一个第二缓冲层，所述第二...
    2026-05-01
  • 嵌入式功率模块及其制造方法
    嵌入式功率模块及其制造方法_深圳赛意法微电子有限公司_202511929662.1
    本发明公开了嵌入式功率模块及其制造方法，嵌入式功率模块包括基板组件、端子组件、芯片与导电组件，基板组件包括基板；端子组件包括多个端子；芯片设置于基板；导电组件包括多个第一导电连接件，第一导电连接件分别与芯片以及对应的端子电连接；至少部分第一...
    2026-05-01
  • 用于半导体芯片的导电覆盖矩阵
    用于半导体芯片的导电覆盖矩阵_半导体元件工业有限责任公司_202511496584.0
    在一个实施例中，一种装置包括半导体芯片，半导体芯片包括在半导体芯片的表面处暴露的第一焊盘和第二焊盘。该装置还包括导电覆盖矩阵，导电覆盖矩阵耦接到半导体芯片的表面，导电覆盖矩阵包括耦接到第一焊盘的第一导电覆盖结构和耦接到第二焊盘的第二导电覆盖...
    2026-05-01
  • 功率电子电路装置和制造方法
    功率电子电路装置和制造方法_赛米控丹佛斯电子股份有限公司_202511464462.3
    本发明提出一种功率电子电路装置，其具有第一基底导体轨道和第二基底导体轨道，功率半导体部件布置在第一基底导体轨道上并且在背离第一基底导体轨道的表面上具有部件接触区域，所述功率电子电路装置具有多个不间断的引线接合连接部，每个引线接合连接部具有在...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511378183.5
    本发明的目的在于提供能够扩大半导体装置的有效面积且减少栅极信号的延迟的技术。半导体装置(100)具备：半导体基板(1)，规定了活性区域(2)和作为活性区域的外侧区域的终端区域(3)；第1栅极焊盘(4)，配置于活性区域的第1边的中央部；第1栅...
    2026-05-01
  • 具有冗余数据线的多小芯片半导体器件
    具有冗余数据线的多小芯片半导体器件_硅存储技术股份有限公司_202411457453.7
    一种半导体器件，该半导体器件包括第一小芯片与第二小芯片之间的接口，该接口包括数据线和冗余数据线。该第一小芯片和该第二小芯片包括输入/输出模块，每个输入/输出模块电耦合到这些数据线中的一条数据线。该第一小芯片的每个输入/输出模块被配置为通过其...
    2026-05-01
  • 集成电路器件和方法
    集成电路器件和方法_台积电(中国)有限公司_202411813544.X
    一种集成电路(IC)器件，包括：互连层，包括第一互连结构和在第一方向上与第一互连结构间隔开的第二互连结构，第一互连结构和第二互连结构在第一方向上以第一间距布置；以及钝化结构，位于第一互连结构和第二互连结构上。钝化结构包括位于第一互连结构之上...
    2026-05-01
  • 具有聚合物焊垫的半导体元件及其制备方法
    具有聚合物焊垫的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510452814.7
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一基底，包括一正面和与该正面平行的一背面；一接合介电质，设置在该第一基底的该正面上；一重分布层，设置在该接合介电质和该第一基底的该正面之间；一第一介电层，设置在该第一基底的该正面和该...
    2026-05-01
  • 一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用
    一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用_南京矽邦半导体有限公司_202610102244.3
    本申请涉及一种QFN半导体器件的引脚结构、加工方法以及应用，其涉及半导体器件领域，其包括QFN半导体器件的引脚，引脚上开设有贯穿底面和侧端面的导料槽，使得锡料能够填充至导料槽；加工方法为在引线框架的引脚部位的底面加工出连接槽，引线框架的切割...
    2026-05-01
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(江阴)有限公司_202610100453.4
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括基岛以及位于所述基岛的外侧的引脚，所述基岛包括相对分布的正面和背面，所述引脚沿垂直于所述基岛的正面的方向延伸；第一芯片，贴装于所述基岛的正面上，且所述第一芯片与所述引脚电连...
    2026-05-01
  • 一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备
    一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备_嘉盛半导体(苏州)有限公司_202610082544.X
    本发明提出一种氮化镓功率器件封装结构与电子设备，包括主体结构，主体结构包括：基板，基板包括中央焊盘区及其对应的多个互连外引脚，基板还包括相对于中央焊盘区独立设置的第一独立外引脚、第二独立外引脚；并排粘贴于中央焊盘区的DBC陶瓷基板和氮化镓芯...
    2026-05-01
  • 一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备
    一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备_天水华天科技股份有限公司_202610012727.4
    本发明公开了一种具有支撑筋结构的引线框架、集成电路和电子设备，本发明涉及IC制造半导体封装技术领域，是一种高压隔离电路封装件，一种引线框架包括：至少一个基岛，每一个所述基岛布置一个芯片；多条第一引线；多个内引脚，其通过所述第一引线与所述芯片...
    2026-05-01
  • 一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件
    一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件_上海快贴电子有限公司_202512051979.6
    本申请涉及封装技术领域，公开了一种微电子组件的低空洞封装方法及微电子组件，方法包括步骤：S1、提供封装基板；S2、制备具有第一活性等级的锡膏；S3、将制备的锡膏均匀涂覆在封装基板互联焊盘上；S4、将电子元件贴装于封装基板的内部互联焊盘上；S...
    2026-05-01
  • 一种芯片封装基座结构及成型方法
    一种芯片封装基座结构及成型方法_东莞市佑普精密五金有限公司_202512026004.8
    本发明属于芯片封装技术领域，尤其涉及芯片封装基座结构及成型方法，包括包括第一连接组件、第二连接组件和第三连接组件；第一连接组件包括多个第一导电板，第一导电板的一端形成第一连接端，第一连接板包括有第一竖直部，第一翻折部和第一基板；第二连接组件...
    2026-05-01
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_上海先封科技有限公司_202511857447.5
    一种封装结构及其形成方法，其中方法包括：提供临时载板；在所述临时载板上形成临时键合层；在所述临时键合层上形成重布线层；在所述重布线层的切割道区域形成切割开口，所述切割开口的侧壁呈阶梯形貌；基于所述切割开口对所述临时键合层和所述临时载板进行切...
    2026-05-01
  • 一种提升COF载带线路铜厚的生产方法
    一种提升COF载带线路铜厚的生产方法_合肥颀材科技有限公司_202610115098.8
    本发明公开了一种提升COF载带线路铜厚的生产方法，包括：提供铜箔，依次进行的涂布、曝光、显影、蚀刻、Ni/Cr刻蚀、PI刻蚀、微蚀、除胶和镀锡和阻焊印刷步骤；其中，所述微蚀的步骤包括：对铜线路进行微蚀，使得Ni/Cr层线路的宽度大于铜线路的...
    2026-05-01
  • 一种封装基板及其制备方法
    一种封装基板及其制备方法_上海美维科技有限公司_202610067499.0
    本发明提供一种封装基板及其制备方法，封装基板的制备方法包括步骤：提供一合金芯板层，合金芯板层包括相对设置的第一面及第二面，合金芯板层在20 ℃~300 ℃温度范围内的热膨胀系数小于5.6 ppm/℃，弯曲强度范围是400 MPa~700 M...
    2026-05-01
  • 封装结构及其封装方法
    封装结构及其封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610020402.0
    本发明提供一种封装结构及其封装方法，所述封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板包括绝缘边筋区域以及被所述绝缘边筋区域包围的导电功能区域；于所述导电功能区域正面形成封装组件；于所述绝缘边筋区域背面形成背面导电层，所述背面导电层与所述导电功能...
    2026-05-01
  • 封装器件及其形成方法
    封装器件及其形成方法_江阴长电先进封装有限公司_202610010407.5
    本发明涉及一种封装器件及其形成方法。所述封装器件的形成方法，包括如下步骤：形成封装体，所述封装体包括相对分布的第一主面和第二主面，且所述封装体包括芯片以及塑封所述芯片的主塑封层，且所述芯片暴露于所述封装体的所述第一主面；于所述封装体的所述第...
    2026-05-01
  • 磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺
    磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610005016.4
    本发明公开了一种磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺，包括以下步骤：S1、提供多个铜针，每一所述铜针的一端形成有一铁磁性金属层；S2、在基板上的焊点处形成锡膏层；S3、在施加一第一磁场的环境中，将所述铜针转移至所述基板上，使所述铜针以其设有所述...
    2026-05-01
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