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  • 本申请的题目为“基板构造及其电子装置”。本发明公开一种基板构造,包括基板、膜层结构以及多个导电构件。基板具有多个通孔;各个通孔具有容置空间以及界定该容置空间的内表面。膜层结构至少部分封闭所对应的这些通孔位于该基板的表面的开口;该膜层结构朝所...
  • 本公开提供了半导体装置及半导体结构。一种半导体装置包含基板、电路层、介电层、走线层、金属缓冲层及金属打线垫。电路层设置于基板的上表面。介电层设置于电路层的上表面。走线层设置于电路层的上表面且位于介电层中。金属缓冲层设置于走线层的上表面且位于...
  • 本申请提供一种芯片接合设备以及芯片接合方法。芯片接合设备包括承载模块、转移模块、限位模块、接合模块、控制模块以及监控模块。承载模块被配置以用于承载基板。转移模块被配置以用于运送多个芯片组件。当转移模块位于承载模块与限位模块之间时,控制模块驱...
  • 本发明属于电子装配工艺技术领域,具体涉及一种提高CBGA焊点可靠性的加胶工艺方法。包括:步骤1:CBGA器件完成电子装联后,在器件周边建立围坝限制胶水移动;步骤2:选择低CTE、高模量、高Tg值的胶水,在坝体与CBGA器件本体之间的缝隙之间...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开一种功率芯片的烧结方法,旨在解决现有单层厚PTFE膜烧结时残留氧气导致DBC/AMB基板铜层氧化的问题。该方法包括:热压单层PTFE膜边缘形成含上凸状结构、下凸状结构及对应凹槽的咬合结构,制得单层凹凸PTF...
  • 本发明公开了一种碳化硅功率器件模组及其封装方法,包含晶圆预处理与芯片封装:预处理通过电镀/溅射生长铜钛镍钼金属层,刻蚀成焊柱并预留气道,晶圆减薄后底部金属层刻蚀分区,划片得单芯片;进行封装,本发明通过铜钛镍钼缓冲层缓解热应力,利用焊柱与底部...
  • 本发明公开了一种碳化硅功率器件及其封装方法,包含晶圆预处理与芯片封装:预处理通过电镀/溅射生长铜钛镍钼金属层,刻蚀成焊柱并预留气道,晶圆减薄后底部金属层刻蚀分区,划片得单芯片;进行封装,本发明通过铜钛镍钼缓冲层缓解热应力,利用焊柱与底部分区...
  • 本发明涉及一种系统级封装结构及其引出端结构与制造方法,系统级封装结构包括封装基板及塑封层,封装基板包括第一面及相背的第二面,塑封层位于第一面及第二面,封装基板内部沿第一面至第二面方向设置多层金属线路层,至少一层金属线路层电性连接有引出端走线...
  • 本公开涉及一种带有引线绝缘的电子装置。电子装置(100)包含引线(109),所述引线带有从封装结构(108)向外延伸且经涂布有延伸到所述封装结构(108)的侧(103、104)的介电薄膜(114)的第一部分(115),及从所述第一部分(11...
  • 本发明公开了一种大电流肖特基二极管并联结构,用于将D1与D2两组二极管阳极端并联以形成共阳极端,包括输入汇流条和输出汇流条,所述输入汇流条一端同D1与D2两组二极管的共阳极端连接,该输入汇流条的另一端连接有蓄电池,二极管D1或二极管D2的阴...
  • 本发明涉及功率模块技术领域,具体涉及一种功率半导体模块的封装及信号输出结构,包括:形成于基板上的过渡金属块和塑封体;塑封体形成于基板上方并包裹电子元件、电路,以使得过渡金属块的顶表面暴露作为上层焊盘;输出端子与上层焊盘连接固定,作为功率半导...
  • 本发明涉及曲面基底元器件封装方法,涉及航空复合材料成型技术领域。包括步骤:所述基底为曲面构型,该曲面为不可展曲面,将所述不可展曲面划分为多个子曲面,所有子曲面构成完整不可展曲面,所述子曲面均为可展曲面;对应每个子曲面将封装材料裁切为对应小块...
  • 本申请公开了一种封装结构的制备方法,所述制备方法包括:提供引线框架,引线框架由若干个框架单元组成,框架单元包括基岛和管脚,框架单元之间通过连筋结构连接;贴装芯片,若干芯片与若干基岛的第一表面贴合;形成塑封层,塑封层包裹引线框架和芯片;在框架...
  • 本申请公开了一种封装结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供框架;提供第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括相对的有源面和背面,将所述第一半导体芯片的有源面贴装在所述框架上,所述第一半导体芯片与所述框架电连接;提供金属空腔,所述金属空腔包括...
  • 本发明公开了一种集成电路滤波器混合封装方法,本发明属于半导体封装领域,包括步骤一:贴片:将所述滤波器晶片与非滤波器晶片贴装在载板的表面,所述滤波器晶片与非滤波器晶片间距小于160微米;步骤二:底部填充:在所述非滤波器晶片底部填充底填胶。本发...
  • 本发明公开了一种压应力钝化方法,应用于薄势垒氮化镓毫米波器件,该方法通过界面钝化与应力工程的协同作用在器件表面形成具有压应力的叠层氮化硅钝化层,从而实现了器件钝化;其中,叠层氮化硅钝化层包括位于底层的界面功能层和位于界面功能层上的应力调制层...
  • 本发明涉及半导体封装领域,且公开了一种半导体封装用装料模,包括上模具,所述上模具的顶部设置有注塑口,所述注塑口的底部与上模具的顶部相固定连通,所述注塑口的内部设置有柱体,所述柱体的顶部呈环形阵列装设置有若干感应电极,若干所述感应电极的两侧均...
  • 本发明提供了一种基于扇出型的芯片封装方法,其能够在不重新设计高密度RDL层的前提下,有效补偿封装对位误差,从而提升封装体的连接可靠性和生产良率。其将封装单元作为一个整体,再布线层整体与对应的芯片坐标为基准进行同步预偏移,从而有效补偿封装对位...
  • 本案为一种功率半导体器件,包含:仅一个功率芯片,功率芯片的上表面设置第二电极和第三电极,功率芯片的下表面设置第一电极,第三电极用来控制第一电极和第二电极的连通或关断;驱动模块,用以驱动功率芯片,驱动模块包含驱动芯片;以及塑封结构,用以封装功...
  • 本公开提供了一种封装结构。所述封装结构包含第一衬底、第二衬底、连接元件和压缩元件。所述第二衬底安置在所述第一衬底上方。所述连接元件包含在所述第一衬底与所述第二衬底之间延伸以将所述第一衬底连接到所述第二衬底的第一接触件。所述压缩元件安置在所述...
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