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  • 本申请提供一种半导体器件及半导体器件制造方法。该半导体器件包括:半导体基底;接触金属层,设置于所述半导体基底上,所述接触金属层为肖特基接触金属层或欧姆接触金属层;中间金属层,设置于所述接触金属层的远离所述半导体基底的一侧;金属连线层,设置于...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体用陶瓷加热器修复方法,通过在修复前对待修复加热器在不同温度下的材料参数进行测定并拟合形成插值函数,结合三维建模与仿真技术,能够准确模拟加热器在实际工况下的热力响应行为,为后续薄膜沉积修复工艺提供数据...
  • 本发明公开一种微流道的加工方法与微流道冷板,其中,一种微流道的加工方法,包括以下步骤:在多个金属箔片的表面分别加工镂空网格;层叠设置加工有镂空网格的多个所述金属箔片,以使多个所述金属箔片的网孔连通;将层叠设置的多个所述金属箔片冶金结合,以使...
  • 一种半导体器件的制造方法,包括如下工序:对于彼此之间配置有导热片的发热体以及散热体,在所述导热片的厚度方向上施加压力,使所述发热体与所述散热体经由所述导热片而粘接,所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40M...
  • 本发明公开了一种新能源汽车自动泊车软件的嵌入式芯片,包括基板、PCB板、焊接引脚、散热机构、嵌入式芯片本体、散热孔、导热件、散热凸点和支撑机构,所述基板的下端固定连接有焊接引脚,所述基板上设置有散热机构,所述PCB板的上端设置有嵌入式芯片本...
  • 一种半导体设备,包括:壳体,限定内部空间;支撑托架,被配置为沿从壳体的第一端部向壳体的第二端部的第一方向在内部空间内滑动;基板,在支撑托架的表面上;一个或多个半导体元件,安装在基板上;散热构件,在壳体的内表面与一个或多个半导体元件之间;以及...
  • 在现有技术中,存在散热片无法充分跟随半导体模块背面的底板翘曲的情况,散热片和底板之间的接触面积相对于底板的面积不足,因此散热路径不均匀,热量无法充分传递到翅片的问题。因此,本公开的目的在于提供一种散热片,其能够通过充分确保散热片和底板之间的...
  • 本发明公开了一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法,包括:功率芯片,为高能量密度、高发热的高功率半导体芯片;导热基板,为常用的热沉基板;金刚石沉积层,为在导热基板上沉积形成的图形化金刚石薄膜;过渡层,设于金刚石沉积层远离导热基板的一侧,...
  • 本发明涉及堆叠散热封装结构技术领域,公开了堆叠散热封装结构及其制备方法,包括安装板,安装板上内设置有安装槽,安装槽上两侧端部设置有凹槽,凹槽之间均匀设有散热槽;安装板上设有芯片组件,芯片组件卡接安装在牢固组件上,牢固组件固定设在牢固座上,牢...
  • 本申请属于半导体技术领域,公开一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法,通过将TEC散热器与MOS芯片紧密集成,并利用TEC散热器的主动制冷能力,在MOS芯片开启前使TEC散热器预先启动,从而在MOS芯片开启的瞬时提供快速、局部的热抑制,能够...
  • 本发明公开一种微流道层与微流道冷板,其中,微流道层包括多个金属箔片,每一金属箔片分别具有镂空网格,多个金属箔片的网孔连通设置,所述金属箔片的网线经过有相邻所述金属箔片的网孔,这样,冷却流体流经相邻两金属箔片时产生扰动,以此降低了固液界面的热...
  • 本发明涉及芯片散热领域,尤其涉及一种环路热管散热装置,蒸发器由蒸发端盖、蒸发底面及烧结多孔毛细芯组成,烧结多孔毛细芯将蒸发器的内腔分隔为上部的储液腔和下部的蒸发区域,蒸发底面的内表面设有微米级微槽道结构,并且烧结多孔毛细芯焊接于蒸发底面上。...
  • 本发明属于散热技术领域,尤其涉及一种具有晶格结构气冷相变散热器,包括外壳,外壳内设有腔体,外壳上设有连通腔体的第一进气口和第一出气口;晶格结构,晶格结构内设有多个第一气体通道以及多个第二气体通道,第一进气口与第一出气口与第一气体通道连通;相...
  • 本公开涉及一种双向静电放电检测器。一种设备可包含:熔丝,其耦合在双向静电放电ESD元件与第一接合触点之间,所述熔丝经配置以接收在所述第一接合触点与第二接合触点之间产生的ESD放电电流,且所述熔丝经配置以响应于所述ESD放电电流超过阈值电流量...
  • 本申请提供一种芯片、温度测量方法、电子设备,涉及半导体技术领域,通过电压端和电流端测得的值,可以计算得到导通晶体管中栅极的实际电阻值,从而得到导通晶体管的实际温度。该芯片包括多个电压端、多个电流端、以及相同的多个晶体管。相邻两个晶体管在行方...
  • 本公开提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统,可以应用于半导体技术领域。该太阳能电池包括:具有至少一组图形化标记,每组图形化标记均包括多个图形化子标记,图形化标记具有第一特征,第一特征用于区分多个图形化子标记,不同图形化...
  • 本发明属于半导体封装技术领域,公开了一种高可靠性SOP(Small Outline Package,小外形封装)引线框架及其制作方法。该方法包括:S1预处理;S2底层沉积;S3应力调节层沉积;S4功能顶层沉积;优选的,还包括S5化学气相沉积...
  • 本发明公开了一种异构集成基板及其加工方法,包括:将第一基板的超薄铜层电镀增厚、形成阻挡层,在阻挡层上制作出内层线路图形雏形和焊盘雏形;对焊盘雏形及其旁边预设范围内的阻挡层覆膜保护,选择性闪蚀,制得内层线路图形;去膜得中间板A;将设有通槽的第...
  • 本发明公开了一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法,该制备方法包括准备清洗、沉积无定形氮化硼的第一介质层、形成光刻胶掩膜、沉积导电材料制传输线导体、去除掩膜、沉积无定形氮化硼的第二介质层,获得无定形氮化硼介质包覆的重布线层传输线结...
  • 本申请提供一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块,涉及芯片封装技术领域。功率芯片封装方法包括:获取功率芯片,对功率芯片的各个空旷区进行填充塑封处理,形成塑封体。对塑封体的表面进行处理,使其表面平整, 以形成塑封芯片单元。将塑封芯片单元...
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