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最新专利技术
  • 一种半导体内引线键合质量检测方法
    一种半导体内引线键合质量检测方法_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202610360270.6
    本发明公开了一种半导体内引线键合质量检测方法，涉及半导体封装测试技术领域，用于检测具有 PN 结的半导体封装器件的内引线键合质量。本方法通过搭建正向偏置测试回路，向被测半导体器件 PN 结施加 1.8V‑2.2V 的恒定直流正向偏置电压，通...
    2026-05-01
  • 图案对齐方法、设备和存储介质
    图案对齐方法、设备和存储介质_全芯智造技术股份有限公司_202610368672.0
    本公开的实施例涉及图案对齐方法、设备和存储介质。在此提出的方法包括：获取与晶圆有关的第一图像和第二图像，其中第一图像包括第一图案，第二图像包括第二图案，并且第二图案包括与第一图案对应的子图案；响应于确定第一图案的至少一部分具有周期性，基于第...
    2026-05-01
  • 一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805171.7
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变锗晶圆、成像芯片及其形成方法，受主衬底包括透明玻璃衬底，短波红外波段的光透过率极高，使得短波红外波段的光能够到达张应变锗层，而且透明玻璃衬底还可以使可见光透过，可见光也可以到达张应变锗层。通过透明玻璃衬底使得更...
    2026-05-01
  • 氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法
    氮化硅上锗晶圆及其制造方法、阵列芯片及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805274.3
    本申请提供一种氮化硅上锗晶圆及其制造方法，一种阵列芯片及其制造方法，方法包括：在第一硅衬底上形成第1个目标层，刻蚀第1个目标层形成多个凹槽，形成第1个锗层，第1个锗层填充凹槽以及覆盖第1个目标层，通过第1个锗层的横向过生长，将硅/锗之间的异...
    2026-05-01
  • 玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法
    玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805330.3
    本申请提供一种玻璃衬底上张应变射频锗晶圆、成像芯片及其形成方法，形成施主衬底和受主衬底，受主衬底包括玻璃衬底，以及位于玻璃衬底上的富陷阱层、二氧化硅层和介质层，将施主衬底和受主衬底进行直接晶圆键合处理，得到键合结构，去除键合结构中的硅衬底，...
    2026-05-01
  • 一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法
    一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202311805338.X
    本申请提供一种高阻硅衬底上锗晶圆、成像芯片及制造方法，施主衬底包括层叠的初始硅衬底、缓冲层、二极管结构和键合层；键合层为氧化铝层；形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的高阻硅衬底、富陷阱层和绝缘层；以键合层朝向绝缘层的方向键合施主衬底和受主衬...
    2026-05-01
  • 一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法
    一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法_上海征世科技股份有限公司_202511944473.1
    本发明公开了一种无偏角(111)单晶金刚石衬底及其制备方法，该制备方法包括：选取偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底；在偏角小于5°的(111)单晶金刚石衬底的表面形成(111)晶面原子台阶；在具有(111) 晶面原子台阶的衬底表面自选择...
    2026-05-01
  • 一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法
    一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512047433.3
    本发明提供一种空间用锗衬底砷化镓太阳电池及制备方法，所述制备方法至少包括步骤：制备第一锗基外延片，第一锗基外延片具有基础厚度的锗衬底；于第一锗基外延片的锗衬底侧依次进行粗磨、应力退火、塑性精磨和化学腐蚀，得到第四锗基外延片，第四锗基外延片具...
    2026-05-01
  • 一种键合晶圆环切加工方法
    一种键合晶圆环切加工方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610007927.0
    本发明提供了一种键合晶圆环形切割加工方法，包括，提供一键合晶圆，所述键合晶圆边缘设置有用于晶圆标识对位的缺口，所述缺口深度为Vh，对键合晶圆进行两次环形切割，第一次环形切割时切割宽度覆盖所述缺口深度；第二次环形切割时，在第一次环形切割形成的...
    2026-05-01
  • 一种可调节的硅片粗糙度的制备方法
    一种可调节的硅片粗糙度的制备方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020706.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种可调节的硅片粗糙度的制备方法，包括：对于低haze需求的硅片，在≤750℃的惰性气氛下退火，保持硅片表面光滑；对于高haze需求的硅片：在1000–1300℃温度和氢气气氛下热处理，通过调节温度、氢气...
    2026-05-01
  • 一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法
    一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202610023766.4
    本发明提供一种绝缘体上硅晶圆及其制备方法，包括第一衬底，第一埋氧层设置在所述第一衬底上，氮化硅中间层设置在所述第一埋氧层上，第二埋氧层设置在所述氮化硅中间层上，第二衬底设置在所述第二埋氧层上。本发明的有益效果是通过在第一埋氧层与第二埋氧层之...
    2026-05-01
  • SOI衬底结构及其制备方法
    SOI衬底结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202610159676.8
    本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法, 该结构包括从下至上堆叠的底硅层、埋氧层和顶硅层, 且在距离底硅层上表面的第一深度处形成氮离子的第一浓度峰值区, 以在底硅层内形成第一O‑N‑O电子束缚结构; 和/或在距离埋氧层下表面的第二深度处...
    2026-05-01
  • 一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法
    一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202610013172.5
    本发明提供一种基于SOI衬底制备带硅通孔的薄片晶圆的方法，执行以下步骤：S1.提供一SOI衬底，SOI衬底包括底硅层、埋氧层及顶硅层，顶硅层的厚度小于150μm；S2.利用刻蚀工艺，在顶硅层中形成贯穿的硅通孔；S3.在顶硅层表面及硅通孔的侧...
    2026-05-01
  • 金属互连层及其制备方法
    金属互连层及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610371023.6
    本申请涉及一种金属互连层及其制备方法，包括：提供一衬底；于衬底上沿平行于第一表面的第一方向交替排布的介质叠层及初始金属导线；初始金属导线的侧壁上包括凸出部，凸出部沿第一方向嵌入介质叠层内；刻蚀介质叠层，于相邻初始金属导线之间形成凹槽后，形成...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511504449.6
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板、在基板上的半导体芯片、以及在基板和半导体芯片之间的接合层，其中接合层包括过渡金属、具有比过渡金属的熔点低的熔点的低熔点金属、贵金属以及其合金，在第一方向上，接合层中的贵金属的百分比在接合层的中心部...
    2026-05-01
  • 一种铜互连结构及其制造方法
    一种铜互连结构及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202411443881.4
    本申请提供了一种易于与大尺寸金属丝形成良好电连接性能焊点的用于集成电路芯片中的铜互连结构。该铜互连结构包括铜表面，金属阻挡层和可焊接金属层。所述铜互连结构包括在所述金属阻挡层上形成的厚度范围在0.03微米至0.05微米之间的可焊接金属层。
    2026-05-01
  • 一种异质芯片封装方法和结构
    一种异质芯片封装方法和结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511790941.4
    本发明涉及异质芯片封装方法和结构技术领域，具体为一种异质芯片封装方法和结构，包括：基板，基板的顶部开设有两组焊接槽，焊接槽中分别焊接有第一芯片与第二芯片，第一芯片与第二芯片的顶部的两侧分别焊接有第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片；有益效...
    2026-05-01
  • 一种复合衬底多芯片的液冷散热系统
    一种复合衬底多芯片的液冷散热系统_曙光数据基础设施创新技术(北京)股份有限公司_202512043718.X
    本申请涉及一种复合衬底多芯片的液冷散热系统，所述系统包括复合衬底的多芯片散热封装装置、第一供回液模块、回液支路、换热模块、驱动模块、供液支路以及第二供回液模块依此连通所形成的冷却循环回路；其中，所述复合衬底的多芯片散热封装装置，包括有复合衬...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202610030607.7
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：封装组件，具有相对的第一表面和第二表面，封装组件包括位于第一表面的第一引脚和第二引脚；半导体开关元件，埋设于封装组件内，半导体开关元件具有朝向第一表面的第三表面，以及朝向第...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及半导体器件制备方法
    一种半导体器件及半导体器件制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202610076426.8
    本申请提供了一种半导体器件及半导体器件制备方法，该半导体器件通过设置第一表面区域与漏极靠向导电层的第一接触面连接，且覆盖全部第一接触面，设置第二表面区域与漏极焊盘靠向导电层的第二接触面连接，且覆盖全部第二接触面，能够最大限度提高漏极与漏极焊...
    2026-05-01
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