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最新专利技术
  • 对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法
    对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法_东京毅力科创株式会社_202512035566.9
    涉及一种对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法。提供一种抑制所配置的设备的占用面积的增大并且利用磁悬浮对基板进行输送的技术。对基板进行处理的装置使用基板输送模块，该基板输送模块包括：载物台，其载置所述基板；行进板；以及第2磁体，其在与第...
    2026-05-01
  • 对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法
    对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法_东京毅力科创株式会社_202512035570.5
    涉及一种对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法。提供一种抑制所配置的设备的占用面积的增大并且利用磁悬浮对基板进行输送的技术。对基板进行处理的装置使用基板输送模块，该基板输送模块包括：载物台，其载置所述基板；行进板；以及第2磁体，其在与第...
    2026-05-01
  • 基于康达效应的镂空半圆环晶圆承载件及均匀加热方法
    基于康达效应的镂空半圆环晶圆承载件及均匀加热方法_旭竹精密科技(无锡)有限公司_202610201015.7
    本发明涉及晶圆承载技术领域，公开了一种基于康达效应的镂空半圆环晶圆承载件及均匀加热方法，包括支架，所述支架的侧面固定连接有晶圆手臂，所述晶圆手臂的顶部固定连接有支撑凸点，所述晶圆手臂和支撑凸点用于对晶圆进行承载，所述晶圆手臂和支撑凸点的材质...
    2026-05-01
  • 一种石英工装及其应用、半导体零部件的加工方法
    一种石英工装及其应用、半导体零部件的加工方法_长沙华实半导体有限公司_202610380989.6
    本申请提供了一种石英工装及其应用、半导体零部件的加工方法。所述石英工装包括工装本体和可拆卸安装于工装本体底部的吸附底板；工装本体和吸附底板的材质均为石英；工装本体上表面设有工件放置槽，工件放置槽内开设有第一排气孔，工装本体中部开设有第二排气...
    2026-05-01
  • 使用灰阶测量和X射线表征的材料表征
    使用灰阶测量和X射线表征的材料表征_应用材料以色列公司_202511465171.6
    公开了一种用于使用高采样率扫描电子显微镜(SEM)和低采样EDX来表征样品的非破坏性且局部化的方法，所述方法是通过构建相关曲线图来进行的，由此允许对典型地要求EDX分析的特征的迅速表征。
    2026-05-01
  • FC-BGA基板涨缩的闭环智能补偿方法与系统
    FC-BGA基板涨缩的闭环智能补偿方法与系统_武汉新创元半导体有限公司_202512024150.7
    本发明公开了一种FC‑BGA基板涨缩的闭环智能补偿方法，包括：对FC‑BGA基板完整制程中的关键测量站点建立样本数据库，存储各关键测量站点的涨缩数据及产品加工信息，筛选关键影响因子并构建多元线性回归预测模型；将新生产订单的加工信息输入多元线...
    2026-05-01
  • 纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备
    纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备_香港城市大学_202411435431.0
    本说明书涉及纳米压印技术领域，提供了一种纳米压印半导体制造中的加工误差检测方法、装置及设备，该方法包括：获取半导体结构的相邻两个纳米柱阵列层的谐振参数；以所述谐振参数为输入，根据偏移距离与谐振参数的关系曲线确定所述相邻两个纳米柱阵列层的加工...
    2026-05-01
  • 一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置
    一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置_北京信息科技大学_202411448846.1
    一种基于绝热填充材料的无线晶圆温度测量装置，涉及半导体测试设备技术领域。本发明主要用于半导体设备加工过程中测量晶圆表面温度场的分布，包括晶圆外壳、温度测量电路和电子器件绝热部分；所述温度测量电路功能包括：温度测量数据采集、数据存储以及数据发...
    2026-05-01
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511442244.X
    本发明提供基片处理装置和基片处理方法，能够高精度地获取被处理体的状态。基片处理装置包括：处理容器，其能够对被处理体一边加热一边供给处理气体来进行处理；载置台，其设置于处理容器内，在上表面具有载置上述被处理体的多个凹部；孔部，其形成于载置台，...
    2026-05-01
  • 一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法
    一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法_浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司_202511802328.X
    本发明涉及半导体硅片制造技术领域，尤其是一种基于坐标转换的硅片切割方向形貌自动检测方法，包括：S1、粘接设备自动测量并记录Notch标志相对于设定基准线的偏转角φ；将该偏转角φ及其对应的晶锭批次标识一同上传至MES系统数据库；S2、测试机台...
    2026-05-01
  • 一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法
    一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511831114.5
    本发明涉及硅片制造技术领域，尤其是一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法，包括在硅片notch部位进行倒模，倒模完毕后剥离硅片，将notch对应的倒模部位割开，对割开处进行拍照后利用软件对图像进行分析得出结果，或者放置于显微镜下进...
    2026-05-01
  • 一种晶圆的检测方法、系统及介质
    一种晶圆的检测方法、系统及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511859289.7
    本公开提供了一种晶圆的检测方法、系统及介质；该检测方法包括：将单张待测晶圆划分出至少两个区域；在至少两个区域中的第一区域执行第一检测流程，以获取第一区域的第一检测数据；在至少两个区域中的第二区域执行第二检测流程，以获取第二区域的第二检测数据...
    2026-05-01
  • 一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法
    一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020699.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法，包括：外延前先测量硅片的重量W前；外延后再次测量硅片的重量W后；计算外延层厚度，外延层厚度=外延前后重量差/硅的密度ρ/外延面面积S，即(W后‑W...
    2026-05-01
  • 一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备
    一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备_上海晶盟硅材料有限公司_202512023056.X
    本发明属于外延片改善领域，具体的说是一种外延片SFQR改善的分析方法及平坦度测量设备，包括以下步骤：S1：使用平坦度机台量测外延片后，生成SFQR Map文件和Thickness Profile文件，S2：利用Thickness Profi...
    2026-05-01
  • 绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池
    绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512033795.7
    本申请提供了一种绒面晶硅衬底的检测方法、绒面晶硅衬底和钙钛矿叠层电池，检测方法包括：提供具有绒面结构的晶硅衬底；在晶硅衬底具有绒面结构的一侧形成液膜，液膜由至少一种液体形成；对晶硅衬底的液膜进行光照，并检测绒面结构表面处的颗粒物数量，在颗粒...
    2026-05-01
  • 一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法
    一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法_北京星源空间技术有限公司_202610007855.X
    本发明公开了一种砷化镓电池焊后微损伤筛选方法，包括以下步骤：步骤一，测控装置部署；步骤二，测控装置初始化；步骤三，电路状态切换；步骤四，并联电阻计算；步骤五，损伤判定与分流；本发明利用电阻焊后的保压阶段同步开展检测，无需额外增加生产工序，避...
    2026-05-01
  • 半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法
    半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法_上海交通大学_202610020309.X
    本发明提供了一种半导体器件制备方法、中间导电层电导率测试结构及测试方法。所述测试结构包括：基板，其上划分有主体区和沿主体区外周均匀分布的多个形状相同的测试区，所述测试区的数量和圆心角能够使得测试结构整体中心对称；中间导电层沉积于基板上，中间...
    2026-05-01
  • 基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法
    基于虚拟弧长主轴的晶圆检测螺旋扫描运动系统及方法_太原理工大学_202610058985.6
    本发明涉及超精密运动控制及半导体检测装备技术领域，现有的螺旋扫描控制技术多基于“时间域”参数化，触发信号存在抖动或延迟，光谱采集点在物理空间上的分布不均匀，导致重构的晶圆Mapping图出现几何畸变，无法精确通过坐标回溯缺陷位置，本发明公开...
    2026-05-01
  • 一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统
    一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统_上海新微技术研发中心有限公司_202610077069.7
    本发明提供了一种改善化学机械抛光后膜层均匀性的方法及系统，其中方法包括，在沉积有器件结构的晶圆上，沉积一层抛光介质层，并测量所述抛光介质层上多个测量点的膜层厚度，基于多个所述测量点的厚度生成厚度分布图；在所述抛光介质层上方全局均匀的沉积一层...
    2026-05-01
  • 一种半导体内引线键合质量检测方法
    一种半导体内引线键合质量检测方法_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202610360270.6
    本发明公开了一种半导体内引线键合质量检测方法，涉及半导体封装测试技术领域，用于检测具有 PN 结的半导体封装器件的内引线键合质量。本方法通过搭建正向偏置测试回路，向被测半导体器件 PN 结施加 1.8V‑2.2V 的恒定直流正向偏置电压，通...
    2026-05-01
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