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最新专利技术
  • 晶体管以及包括晶体管的显示装置
    晶体管以及包括晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511225502.9
    公开一种晶体管以及包括晶体管的显示装置。所述晶体管包括：氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在第一方向上具有第一源极‑漏极区、沟道和第二源极‑漏极区；上栅极，设置在所述氧化物半导体层的上方并且被配置为与所述沟道交叠，并且栅极绝缘膜插置在所述上...
    2026-05-01
  • 一种TFT器件及其制备方法
    一种TFT器件及其制备方法_电子科技大学_202610102724.X
    本发明公开了一种TFT器件及其制备方法，涉及电子器件技术领域，提高器件开关比。通过纳米压印技术在介质层表面直接形成波纹图案，再沉积异质结沟道层，利用波纹界面的电荷调控效应提升器件性能；该方法避免了传统光刻工艺的复杂性，实现了低成本、大面积制...
    2026-05-01
  • 一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法
    一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法_山东石油化工学院_202610109126.5
    本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种ITO接触IGZO的的薄膜晶体管结构及其制备方法。通过在第一层绝缘层后制备第二层金属层，然后使用第一层电极层保护有源层与第二层金属层的接触区域，本发明能够有效避免传统薄膜晶体管结构中第二层金属层对有...
    2026-05-01
  • 一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法
    一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511911006.9
    本发明公开了一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法，涉及碳化硅功率器件技术领域，该器件包括：衬底、漂移区、P+埋层、沟道层、第一P+栅区、第二P+栅区、N+源区、源极、栅极和漏极，其中，第一P+栅区在垂直方向上延伸并与P+埋层...
    2026-05-01
  • 碳化硅功率器件及其制造方法
    碳化硅功率器件及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202411475695.9
    本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，在碳化硅衬底中形成终端结构，所述终端结构围绕所述阱区，所述终端结构包括m个间隔的环形注入区以及n个间隔的注入补偿区，m、n为正整数并且m≥n，并且，自所述阱区起n个所述注入补偿区和n个所述环形注入...
    2026-05-01
  • 一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法_广东电网有限责任公司广州供电局_202511964708.3
    本发明公开了一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明通过构建自下而上层叠设置的基底、缓冲层、二维导电屏蔽层、介电间隔层、二维半导体沟道、顶栅介质层、顶栅金属层和封帽层，以及在二维半导体沟道的两端，分别设置有漏极...
    2026-05-01
  • 复合型终端结构及制备方法
    复合型终端结构及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610027047.X
    本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种复合型终端结构及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种复合型终端结构，所述终端结构包括呈第一导电类型的半导体基板以及设置于所述半导体基板终端区内的JTE横向终端扩展结构，其中，所述JTE横向终端...
    2026-05-01
  • 超结半导体功率器件及其制造方法
    超结半导体功率器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610110537.6
    本发明提供一种超结半导体功率器件，包括重掺杂的第一导电类型衬底，在重掺杂的第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有沟槽；在沟槽中填充有第二导电类型掺杂单晶硅，形成第二导电类型柱状外延；从而在第一导电类型外延层中形...
    2026-05-01
  • 一种L形源区结构的SiC MOSFET
    一种L形源区结构的SiC MOSFET_北京航空航天大学_202511972505.9
    本申请提供一种L形源区结构的SiC MOSFET，包括：衬底和设置在衬底正面上的漂移区，在漂移区两侧的限定区域内分别设置第一体区和第二体区；在第一体区上方设置第一基区、两个第一源区和第二源区；两个第一源区分别设置于第一基区上方和第一体区的两...
    2026-05-01
  • 新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管
    新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管_世恩半导体科技(苏州)有限公司_202310402003.7
    本发明提供一种新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管，包括：从左往右依次设置的源区、沟道区和漏区，沟道区的左侧为薄端，右侧为厚端，源区埋置在沟道区的薄端，源区右侧与沟道区之间有一层低k绝缘体层，沟道区的厚端与厚度相等的漏区连接；沟道区上...
    2026-05-01
  • 绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆
    绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511830184.9
    本申请提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆，该绝缘体上硅衬底包括：基底；设置在所述基底上的绝缘层；以及设置在所述绝缘层上的多晶硅叠层，所述多晶硅叠层包含由导电中间层所分隔的多个多晶硅陷阱子层，其中，所述导电中间层被配置成与相...
    2026-05-01
  • 一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法
    一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610073245.X
    本发明涉及一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法，包括定义高频半导体器件的主动区范围；定义器件源极、漏极图形，并进行源极、漏极金属蒸镀，同时进行高温回火；定义器件栅极图形，形成 Y 型栅极；在Gate区域沉积光阻将栅极覆盖后，烘...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411456773.0
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面上形成沿第一方向延伸的鳍；在所述衬底上形成覆盖所述鳍的第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层表面形成第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成沿第二方向延伸的硬掩膜层，其中所...
    2026-05-01
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202511332800.8
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品。提供一种能够高效地进行选择性成膜的技术。具有进行下述(a)和(b)、并且与第2表面上相比优先地在第1表面上形成包含金属元素的膜的成膜工序，(a)：进行(a1)对衬底供给包...
    2026-05-01
  • 一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺
    一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺_福建省福联集成电路有限公司_202610009029.9
    本发明涉及一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺，包括在source 跟drain 金属上均涂布第一光阻层，采用套刻工艺定义帽层蚀刻宽度，采用湿法蚀刻对衬底蚀刻出沟道；步骤S2、将第一光阻层去除，涂布聚酰亚胺PI层；步骤S3、涂布第...
    2026-05-01
  • 一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法
    一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202610073306.2
    本发明涉及一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法，包括低速旋转晶圆，将E‑beam光阻液均匀地铺展到整个晶圆，将转速提至3000～4000 rpm进行甩胶，使用热板对E‑beam光阻进行软烤；经电子束写，进行显影，形成Y栅底...
    2026-05-01
  • 半导体结构的制造方法及半导体器件
    半导体结构的制造方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202610339571.0
    本发明公开了一种半导体结构的制造方法及半导体器件。根据本发明实施例的半导体结构的制造方法包括提供一衬底，并在所述衬底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行图形化以形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面注入锗离子，形成改性层；去除所述伪栅及所述改性层；以...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_重庆奕能科技有限公司_202610063459.9
    本申请公开了一种半导体器件，包括衬底；外延层；沟槽栅结构；其中，所述沟槽栅结构包括沿第一方向延伸的多个U向沟槽栅，和沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个V向沟槽栅，所述多个U向沟槽栅沿与所述第一方向相垂直的方向相互平行排列，所述多个V向...
    2026-05-01
  • 一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法
    一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法_中国南方电网有限责任公司_202512039137.9
    本发明属于电力电子功率模块设计与优化技术领域，涉及一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法。包括：设计Si/SiC混合半桥功率模块，选用大容量Si IGB搭配小容量SiC MOSFET；对混合半桥功率模块内芯片焊料层进行差异化设计...
    2026-05-01
  • 一种贴装桥式整流器件及其制造方法
    一种贴装桥式整流器件及其制造方法_阳洪涛_202610066544.0
    本发明公开了一种贴装桥式整流器件及其制造方法，属于半导体器件封装与功率电子技术领域。包括第一金属底板及第二金属底板，第一金属底板及第二金属底板均为横向设置，第一金属底板在横向方向上依次设置正面放置的第一二极管芯片及倒装放置的第三二极管芯片，...
    2026-05-01
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