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最新专利技术
  • 在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构
    在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480061176.X
    本文公开了FeFET晶体管和相关的集成电路。晶体管(1612a)的沟道层可以由非晶氧化物半导体形成。可以被利用的非晶氧化物半导体的示例包括氧化铟、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝...
    2026-05-01
  • 混合沟道功率半导体器件及其制造方法
    混合沟道功率半导体器件及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060541.5
    提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括碳化硅衬底、形成在碳化硅衬底的第一侧的硅层、形成在硅层上的栅极氧化物层、形成在栅极氧化物层上的栅极端子、形成在碳化硅衬底的与第一侧相对的第二侧的漏极端子、以及形成在碳化硅衬底的第一侧并且位于硅层的相对...
    2026-05-01
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062040.0
    一种半导体结构可以包括具有表面的衬底、形成在表面上的隔离结构、形成在表面上邻近隔离结构的有源区、在隔离结构和有源区上方延伸的栅极、以及形成在有源区内的源极区。源极区可以包括邻近栅极的第一部分和隔离结构形成的第一子区和邻近栅极的第二部分形成的...
    2026-05-01
  • 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
    薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001703.8
    本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：衬底基板，设置在衬底基板上的第一半导体有源层、栅极、源极和漏极；所述源极与所述第一半导体层的源极接触区连接，所述漏极与所述第一半导体层的...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063008.4
    提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一导电层、第一金属氧化物层、栅极绝缘层及第一栅电极。第二晶体管包括第二导电层、第三导电层、第二金属氧化物层、栅极绝缘层及第二栅电极。第一绝缘...
    2026-05-01
  • 用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触
    用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触_国际商业机器公司_202480049122.1
    本发明的实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一晶体管，其具有第一源极/漏极(S/D)区域；第二晶体管，其具有第二S/D区域，该第二晶体管堆叠在第一晶体管的顶部上；以及第一S/D接触，其由第一晶体管的第一S/D区域和第二晶体管的第...
    2026-05-01
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202480003292.6
    提供了用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。在一个方面中，半导体装置包括沿第一方向相互交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。所述第一堆叠体包括：相互交替的一个或多个第一导电层和一个或多个第一隔离层，以及相互交替的第二导电层和第...
    2026-05-01
  • 包含到掺杂半导体源极尖端的顶部源极接触部的三维存储器器件及其形成方法
    包含到掺杂半导体源极尖端的顶部源极接触部的三维存储器器件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480059915.1
    在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。间隔物材料层被形成为导电层或者随后被导电层替换。穿过交替堆叠形成存储器开口。在存储器开口中形成存储器材料层、半导体源极结构、竖直半导体沟道、电介质芯和漏极区。在形成漏极区之后使半导体源极结构中的...
    2026-05-01
  • 具有均匀单元接触轻掺杂漏极区的竖直布置全环绕栅极晶体管
    具有均匀单元接触轻掺杂漏极区的竖直布置全环绕栅极晶体管_美光科技公司_202480051784.2
    本文中的一些实施方案提供存储器装置及形成方法。所述存储器装置包含竖直布置的多个存储单元及多个对应全环绕栅极晶体管。形成所述存储器装置的方法包含使用单个沟槽来移除衬垫材料且形成界定全环绕栅极晶体管的单元接触轻掺杂漏极区的凹槽。使用单个沟槽来移...
    2026-05-01
  • 存储装置及电子设备
    存储装置及电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480063202.2
    提供一种功耗低的存储装置。该存储装置所包括的存储单元被交错配置且设置在字线与位线正交的交叉区域，并且相邻的字线的高度彼此不同。通过采用这种结构，可以减少每一个字线的存储单元个数，而可以降低读出数据时的功耗。此外，可以将连接于读出放大器的一对...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063014.X
    提供一种易于微型化的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一电极、第二电极、栅极绝缘层以及栅电极。半导体层具有筒状部分。栅电极具有位于筒状部分的内侧的部分。栅极绝缘层具有位于半导体层与栅电极之间的部分。第二电极具有位于第一电极的上方的部分。...
    2026-05-01
  • 具有用于3D DRAM的厚导电楼梯式阶梯的微电子装置及相关系统及形成方法
    具有用于3D DRAM的厚导电楼梯式阶梯的微电子装置及相关系统及形成方法_美光科技公司_202480061840.0
    一种微电子装置包含堆叠结构，其具有个别地延伸穿过阵列区域而进入与所述阵列区域水平相邻的楼梯区域的层级。所述阵列区域包含至少一个存取装置。所述楼梯区域包含在所述层级的端处具有阶梯的楼梯结构。所述层级中的至少一些个别地包含导电区、绝缘区及半导体...
    2026-05-01
  • 复合体、电磁波吸收体、噪声抑制体以及复合体的制造方法
    复合体、电磁波吸收体、噪声抑制体以及复合体的制造方法_国立大学法人东北大学_202480062978.2
    复合体具备基材和分散于所述基材中的无机材料，所述无机材料具有：母材，具有磁性；和包覆材料，包覆所述母材，并且具有强磁性。
    2026-05-01
  • 密封电气装置及其制造方法
    密封电气装置及其制造方法_森萨塔科技公司_202380102711.7
    一种制造气密密封电气装置的方法包括提供通向装置的内部容积的开口。该方法还包括经由开口用回填气体回填内部容积。一旦回填，该方法包括将球或其他塞子设置到开口中以密封开口。还可以在开口和塞子的界面处执行附加密封操作。
    2026-05-01
  • 无线通信系统中处理小区DRX和小区DTX状态的方法和装置
    无线通信系统中处理小区DRX和小区DTX状态的方法和装置_三星电子株式会社_202480062252.9
    本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种由无线通信系统中的用户设备(UE)执行的方法，该方法包括：从基站接收包括指示无线电资源控制(RRC)非活动状态的配置的信息的消息；在UE非活动层(AS)上下文中存储除了关于不连续发...
    2026-05-01
  • 用户设备的方法、装置、存储介质、基站的方法及基站
    用户设备的方法、装置、存储介质、基站的方法及基站_LG电子株式会社_202480061541.7
    当UE对第一小区DTX/DRX配置被激活的小区进行去激活并且然后接收针对该小区的激活命令时，UE可以在激活该小区的同时激活针对该小区的第二小区DTX/DRX配置。
    2026-05-01
  • 检测无响应用户设备
    检测无响应用户设备_戴尔产品有限公司_202380102842.5
    一种系统可以与用户设备传送宽带蜂窝通信。该系统可以指导用户设备根据分组数据汇聚协议协议数据单元格式来执行发送保活报告周期信号的迭代。响应于确定发送保活报告周期信号的迭代中的连续阈值数目的保活报告周期信号尚未被接收到，该系统可以发起关于用户设...
    2026-05-01
  • 多链路设备的同时链路操作
    多链路设备的同时链路操作_三星电子株式会社_202480063030.9
    无线网络中的非接入点(AP)多链路设备(MLD)，非AP MLD包括存储器和耦合到存储器的处理器，处理器被配置为从AP MLD接收指示对同时链路数量的推荐的第一帧，并且向AP MLD发送指示非AP MLD是否打算遵循该推荐的第二帧。
    2026-05-01
  • 具有许可和未许可的多载波中的SL RLF
    具有许可和未许可的多载波中的SL RLF_交互数字专利控股公司_202480062884.5
    侧链(SL)无线发射和接收单元(WTRU)可以被配置成：与对等端WTRU建立允许使用多个SL载波的单播链路；以及在至少第一SL载波上向所述对等端WTRU发射数据。所述WTRU基于所检测到的连续混合自动重传请求(HARQ)不连续发射(DTX)...
    2026-05-01
  • 管理流量的基于上行链路PDU集的处置
    管理流量的基于上行链路PDU集的处置_谷歌有限责任公司_202480062983.3
    为了将用户设备(UE)进行配置以进行协议数据单元(PDU)会话，该UE在非接入层(NAS)层处从网络接收对用以建立或修改PDU会话的请求的响应；在应用层处从网络接收对于PDU会话的上行链路PDU集处置信息；以及根据PDU集处置信息处理上行链...
    2026-05-01
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