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最新专利技术
  • 层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法
    层叠体、晶体管、层叠体的制造方法及晶体管的制造方法_株式会社尼康_202480060670.4
    一种层叠体，依次包括基板、胺产生层、铜配线层及铜配线保护层。
    2026-04-28
  • 碳化硅功率MOSFET及其制造方法
    碳化硅功率MOSFET及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060196.5
    提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在碳化硅衬底的表面上植入富硅层，以及在碳化硅衬底的表面上的富硅层上生长栅极氧化物层。
    2026-04-28
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的横向扩展的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062041.5
    半导体结构可以包括衬底、形成在衬底上的有源区、沿平行于衬底的表面的第一方向在有源区上延伸的栅极区，以及在平行于表面且垂直于第一方向的第二方向上在有源区内并且与栅极区相邻形成的源极区。源极区可以包括第一子区域和第二子区域，使得第二子区域在第一...
    2026-04-28
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_富士电机株式会社_202580004798.3
    碳化硅半导体装置(10)具备第一导电型的碳化硅半导体基板(11)、第一导电型的第一半导体层(12)、重复交替地配置有第一导电型的第一柱区(25)和第二导电型的第二柱区(24)的并列pn区(26)、第二导电型的第二半导体层(13)、第一导电型...
    2026-04-28
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580004769.7
    本发明提供一种半导体装置，其是具备晶体管部和二极管部的半导体装置，所述半导体装置具备第一导电型的漂移区、多个沟槽部、第二导电型的基区、掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区、以及掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的接触区，多个...
    2026-04-28
  • 具有占位位置余量的半导体结构
    具有占位位置余量的半导体结构_国际商业机器公司_202480059699.0
    提供了一种具有改进的占位位置裕度的半导体结构。在实施例中，半导体结构包括纳米片晶体管，该纳米片晶体管包括多个间隔开且竖直叠堆的半导体沟道材料纳米片、包绕每个半导体沟道材料纳米片的栅极结构、位于栅极结构的第一侧上的第一源极/漏极区和位于栅极结...
    2026-04-28
  • 半导体装置
    半导体装置_TDK株式会社_202480060843.2
    本发明的技术问题在于在具有在漂移层设置有外周沟槽的构造的半导体装置中有效地抑制施加了反向电压时产生的电场的集中。半导体装置(1)具备：半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、与漂移层(30)接触的阳极电极(40)、以...
    2026-04-28
  • 半导体装置
    半导体装置_TDK株式会社_202480060832.4
    本发明的技术问题在于在具有在漂移层设置有外周沟槽的构造的半导体装置中有效地抑制施加了反向电压时产生的电场的集中。半导体装置(1)具备：半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、与漂移层(30)接触的阳极电极(40)、以...
    2026-04-28
  • 半导体器件
    半导体器件_罗姆股份有限公司_202480059385.0
    半导体器件具有：半导体基板(1)；设置于半导体基板(1)上的绝缘层(2)；埋设于绝缘层(2)内，将多个电阻层电连接而成的电阻器(R)；与电阻器(R)的第一端部电连接的第一电极(E1)；与电阻器(R)的第二端部电连接的第二电极(E2)；和多个...
    2026-04-28
  • 每列包含非整数平均数量的存储器开口填充结构的存储器设备
    每列包含非整数平均数量的存储器开口填充结构的存储器设备_桑迪士克科技股份有限公司_202580004675.X
    一种存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠沿着第一水平方向延伸，其中导电层包括字线和上覆于字线的漏极侧选择栅极电极；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构竖直延伸穿过交替堆叠。存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包...
    2026-04-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480001642.5
    提供了用于管理半导体装置中的导电结构的方法、装置、系统和技术。在一个方面，半导体装置包括存储单元。存储单元中的每个存储单元包括具有在第一沟槽结构中沿第一方向延伸的栅极结构的晶体管。该半导体装置还包括位于第一存储单元和第二存储单元的晶体管之间...
    2026-04-28
  • 对基板作业机
    对基板作业机_株式会社富士_202380102436.9
    对基板作业机具备：作业执行部，基于已准备的作业条件，对多个基板中的各基板执行预定的对基板作业；变更时间取得部，取得所述作业条件被变更或发生了变化的变更时间；及检查执行部，在所述变更时间以后检查对所述基板的所述对基板作业的执行结果，在将所述执...
    2026-04-28
  • 电磁波屏蔽薄膜
    电磁波屏蔽薄膜_拓自达电线株式会社_202480061129.5
    本发明提供一种电磁波屏蔽薄膜，其不易发生由加热导致的导电性粘接剂层的膨胀，耐焊料流动性充分高。本发明的电磁波屏蔽薄膜的特征在于，其依次层叠有保护层、金属层和导电性粘接剂层，上述导电性粘接剂层包含：重均分子量Mw为50000以上的环氧树脂、具...
    2026-04-28
  • 电气连接单元
    电气连接单元_矢崎总业株式会社_202580004796.4
    一种电气连接单元，包括：第一部件；第二部件；第一电子部件；第二电子部件；第一汇流条；金属部件；以及第一导热部件。第一汇流条包括第一端部、第二端部和延伸部。延伸部呈板状，并沿着第一部件延伸。金属部件相对于第一部件布置于与第二部件相反的一侧。第...
    2026-04-28
  • 热扩散构件和包括该热扩散构件的电子装置
    热扩散构件和包括该热扩散构件的电子装置_三星电子株式会社_202480061530.9
    根据本文中公开的实施例的电子装置可以包括：壳体；第一电子部件，布置在壳体内部的第一区域中；第二电子部件，布置在壳体内部的与第一区域不同的第二区域中；以及热扩散构件，布置在从第一区域到第二区域形成的散热区域中，并且包括对应于第一区域的第一部分...
    2026-04-28
  • 用于两相浸没冷却的系统和方法
    用于两相浸没冷却的系统和方法_科慕埃弗西有限公司_202480061022.0
    一种浸没冷却系统包括设备和电子装置，该设备含有包含E‑1, 1, 1, 2, 2, 5, 5, 6, 6, 6‑十氟‑3‑己烯的热传递流体，其中在该设备和该电子装置中使用的材料由能够与该热传递流体兼容的材料制成。还提供了一种方法，其中该浸没...
    2026-04-28
  • 用于冷却外壳控制和自适应学习的系统及方法
    用于冷却外壳控制和自适应学习的系统及方法_动态数据中心解决方案公司_202480050718.3
    系统和方法涉及自适应控制系统，这些系统可以与冷却系统诸如冷却机柜外壳一起实现。历史运行数据可以用于建立当前运行参数，然后传感器读数可以用于根据一个或更多个度量测量性能。然后可以将所述一个或更多个度量与历史运行数据的度量的比较用于在当前状况超...
    2026-04-28
  • 开放式机架框架
    开放式机架框架_维谛公司_202480061583.0
    一种电子设备机架系统可以包括彼此平行设置的多个框架组件、多个上轨式横向构件以及多个下轨式横向构件。横向构件可以联接至框架组件。横向构件可以以固定的、彼此间隔开的关系支承框架组件中的相邻框架组件。每个框架组件可以包括第一框架立柱、第二框架立柱...
    2026-04-28
  • 电气连接单元和金属部件
    电气连接单元和金属部件_矢崎总业株式会社_202580004800.7
    一种电气连接单元，其包括第一汇流条和金属部件。第一汇流条的至少一部分为板状。金属部件布置于第一汇流条与作为电子部件或第二汇流条的连接对象部件之间。金属部件将第一汇流条与连接对象部件电连接。金属部件的至少一部分的厚度大于第一汇流条的板厚。
    2026-04-28
  • 印刷电路板用材料及印刷电路板的制造方法
    印刷电路板用材料及印刷电路板的制造方法_东洋铝株式会社_202480062126.3
    印刷电路板用材料(10)通过在金属箔(11)的至少一个面(11a)上至少依次层叠催化剂层(12)和含有聚酰亚胺树脂的粘接层(13)而制成，聚酰亚胺树脂的酰亚胺基团浓度为8%以上且26%以下。
    2026-04-28
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