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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610093744.5
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层在栅极结构与漏极结构之间形成至少一个电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，并靠近漏极结构及栅极结构的电子调节层与其均为非接触设置，电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子...
    2026-05-01
  • 半导体结构
    半导体结构_世界先进积体电路股份有限公司_202610023192.0
    本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。介电层堆叠设置于栅极电极上。介电层堆叠包...
    2026-05-01
  • 一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法
    一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511980367.9
    本发明公开了一种纳米柱阵列调控的增强型GaN HEMT器件及其制备方法；该器件包括：依次层叠的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；在势垒层上依次间隔设有源极、p‑GaN栅、p‑GaN纳米柱阵列和漏极；p‑GaN纳米柱阵列包括沿第一方向间...
    2026-05-01
  • 基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法
    基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511967825.5
    本发明公开了一种基于多向导通的大功率宽禁带半导体器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，缓冲层包括依次层叠的第一部分和第二部分，在第二部分、沟道层和势垒层组成的环状叠层结构的中心填充有静电屏蔽层，静电屏蔽...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511465253.0
    本公开提供一种能提高电流密度的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：第一沟道层，具有具备氮极性的第一上表面；铁电性氮化物半导体层，处于所述第一上表面之上，具有具备金属极性的第二上表面；第二沟道层，处于所述第二上表面之上，具有具备金属极...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511465247.5
    本公开提供一种能提高失真特性的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：氮化物半导体层，具有相互重叠的沟道层和阻挡层，并且具有第一方向的第一极化；源电极、漏电极以及栅电极，与所述氮化物半导体层接触；铁电体层，在俯视观察时处于所述栅电极与所...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202610105874.6
    本发明提供半导体器件及其制造方法，制造方法包括：在具有有源区和引出区的半导体衬底中形成第一和第二沟槽区，并界定第一和第二台面区域；形成覆盖沟槽内壁及各台面区域的场氧化层并填充第一多晶硅层；形成具有第一开口(露出有源区)和第二开口(露出第二台...
    2026-05-01
  • 以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件
    以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件_浙江摩珂达半导体有限公司_202512011349.6
    本发明公开了一种以欧姆接触增强栅端驱动能力的垂直JFET功率器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。针对现有垂直JFET因栅极有源区(P⁺区)电阻率高、驱动信号衰减严重而导致开关性能差的问题，本发明提出在栅极有源区表面形成金属欧姆接触...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511987369.0
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：形成底层结构，所述底层结构至少包括基底层和位于所述基底层上方的沟道层，以及位于所述沟道层上表面的势垒层，在所述势垒层的上方形成栅极结构的材料层；在所述栅极结构的材料层预设区域的上表面形成第一...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511985727.4
    本发明提供一种半导体器件的制备方法包括：形成底层结构，形成栅极结构的材料层；形成第一介质层；在所述第一介质层的一侧或两侧形成栅极结构的顶部侧墙；去除所述第一介质层；以所述顶部侧墙为掩膜，刻蚀栅极结构的材料层，以形成栅极结构；形成第一钝化层，...
    2026-05-01
  • 基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法
    基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法_西北工业大学_202610023115.5
    本申请属于微纳半导体电子器件技术领域，公开一种基于异面接触电极的可重构场效应晶体管及其制备方法。该晶体管自下而上包括SiO2/Si衬底、hBN钝化层、源/漏Au电极、MoTe2沟道、hBN介电层、石墨烯栅极和顶栅Au电极；源、漏电极与沟道形...
    2026-05-01
  • 一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法
    一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法_北京大学_202610034094.7
    本发明提出一种鳍式隧穿场效应晶体管的制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明将传统平面TFET器件与FinFET结构相结合，可以提高开态电流的同时保持低关态电流的优势，同时抑制双极电流，即在源区自对准制备扩展区，从而在栅源交叠处形成隧穿结，...
    2026-05-01
  • 氮化物半导体晶体管
    氮化物半导体晶体管_住友电气工业株式会社_202511273759.1
    本公开提供一种能提高失真特性的氮化物半导体晶体管。氮化物半导体晶体管具有：阻挡层，具有具备氮极性的第一上表面；沟道层，处于所述第一上表面之上，具有具备氮极性的第二上表面，具有第一方向的第一极化；以及铁电体层，处于所述第二上表面之上，具有与所...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法与外延片
    半导体器件及其制备方法与外延片_深圳平湖实验室_202610120356.1
    本申请涉及半导体领域，公开一种半导体器件及其制备方法与外延片。该半导体器件包括衬底、半导体膜层、第一电极和第二电极。衬底包括第一表面，衬底为单晶‑Ga2O3衬底，第一表面为单晶‑Ga2O3的(100)晶面或(001)晶面。半导体膜层设于衬底...
    2026-05-01
  • 具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件
    具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件_西安电子科技大学_202511967826.X
    本发明公开了一种具有复合终端结构且抗二次雪崩的二极管雪崩整形器件。该二极管雪崩整形器件包括负电极、SiC衬底、P型控制区、SiC外延层、波纹形P+区、JTE区、钝化层和正电极；波纹形P+区的第一凸起嵌设在SiC外延层之中，第一凸起在SiC衬...
    2026-05-01
  • 一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法
    一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511910998.3
    本发明提供一种氢离子注入的高压氮化镓肖特基二极管及其制备方法，包括：在氮化镓基外延片的P‑GaN帽层上光刻氢注入区域，进行氢离子注入，对器件进行低温退火，以使氢离子与Mg离子结合，形成高阻钝化区；在P‑GaN帽层远离氢注入区域的一侧边缘区域...
    2026-05-01
  • 一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法
    一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法_复旦大学_202511866265.4
    本发明公开了一种基于场板结构的安培级氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法；本发明的制备方法包括：准备一氧化镓衬底；在氧化镓衬底上生长SiO2，并在快速热退火设备中氧气氛围退火；对氧化镓衬底进行背部刻蚀，同时使用氢氟酸洗掉氧化镓衬底表面的SiO...
    2026-05-01
  • 深沟槽电容的加工方法及电容器
    深沟槽电容的加工方法及电容器_厦门大学_202610057928.6
    本发明公开了一种深沟槽电容的加工方法及形成的电容器，其是在玻璃的第一衬底中加工第一通槽，将其与第二衬底键合后，在第一衬底一侧沉积覆盖第一通槽表面的MIM多层形成第一电容，并制作连接线路。本发明可加工更高垂直度与深宽比的通槽结构，以此实现的深...
    2026-05-01
  • 具有高密度Z轴互连的3D计算电路
    具有高密度Z轴互连的3D计算电路_艾克瑟尔西斯公司_202511990129.6
    本发明的一些实施例提供了一种具有高密度Z轴互连的3D计算电路，该电路包括第一集成电路IC裸片，包括第一处理器核；以及第二IC裸片，被垂直安装在第一IC裸片上，IC裸片包括用于第一处理器核的第一高速缓存，其中，第一高速缓存在重叠区域处与第一处...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制备方法和半导体器件
    半导体结构及其制备方法和半导体器件_长江存储控股股份有限公司_202411406266.6
    本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体的技术领域。半导体结构包括层叠设置的多个晶圆组，相邻的两个晶圆组键合。晶圆组包括晶圆和第一互联部。晶圆的数量为多个，多个晶圆层叠设置，相邻的两个晶圆键合。晶圆包括绝缘介质...
    2026-05-01
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