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塑料加工应用技术
  • 一种飞机短舱与发动机尾喷管弹性连接结构
    一种飞机短舱与发动机尾喷管弹性连接结构_中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所_202520780991.3
    本申请属于飞机短舱与发动机尾喷管连接设计技术领域，具体涉及一种飞机短舱与发动机尾喷管弹性连接结构，包括弹性连接片；弹性连接片有多个，沿周向设置在飞机短舱与发动机尾喷管之间，构成整圈结构；弹性连接片包括依次连接的前部搭接区、中间过渡区、后部固...
    2026-04-18
  • 一种半导体单晶生长炉的晶体等径棱线控制系统
    一种半导体单晶生长炉的晶体等径棱线控制系统_上海汉虹精密机械有限公司_202511985952.8
    本发明公开了一种半导体单晶生长炉的晶体等径棱线控制系统，包括：生长炉本体，图像采集装置，图像处理装置，PLC控制器，本地控制装置；生长炉本体内安装有坩埚、提拉单元、加热单元，加热单元控制对坩埚的加热；提拉单元用于提拉坩埚中的生长柱；图像采集...
    2026-04-18
  • 基于时空同步控制的往复式高速喷墨打印路径优化方法
    基于时空同步控制的往复式高速喷墨打印路径优化方法_武汉佰致达科技有限公司_202610260614.6
    本发明公开了一种基于时空同步控制的往复式高速喷墨打印路径优化方法及相关装置，其中方法包括：根据CIP4文件生成点火脉冲密度图；根据喷头布局与密度图规划扫描条带的起止坐标、驻停冷却时间、重叠区域及羽化过渡宽度。通过运动轨迹预测器，融合实时位置...
    2026-04-18
  • 一种酿酒废水碳源化处理设备及污水处理方法
    一种酿酒废水碳源化处理设备及污水处理方法_四川化工职业技术学院_202511845745.2
    本发明涉及废水多级处理技术领域，具体是涉及一种酿酒废水碳源化处理设备及污水处理方法，包括处理池，处理池的一侧设有筛板；处理池内设有浮渣格栅，浮渣格栅的底部设有与处理池池底连接的支撑杆，浮渣格栅设有朝筛板延伸的凸起部，凸起部处形成用于收集浮渣...
    2026-04-18
  • 一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器
    一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器_中国科学院空天信息创新研究院_202211235320.6
    本发明提供一种基于GIS‑SOI‑GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器，由GIS层、SOI层和GOS层组成。GIS层包括上驱动电极、绝缘环、导体硅、多个通孔以及玻璃层上的凹槽，上驱动电极通过绝缘环与导体硅实现绝缘。SOI层由器件层、埋氧层和...
    2026-04-18
  • 一种螺旋桨及无人飞行器
    一种螺旋桨及无人飞行器_深圳市道通智能航空技术股份有限公司_202411760590.8
    本发明实施例涉及无人飞行器技术领域，尤其公开了一种螺旋桨及无人飞行器，包括桨叶、桨夹组件和垫片组件，所述桨夹组件包括桨座和桨夹，所述桨座和桨夹夹持所述桨叶，所述连接件穿过所述桨夹和桨叶后固定于所述桨座，所述垫片组件垫设于所述桨夹组件和所述桨...
    2026-04-18
  • 一种旋转角度可调节的异物钳及使用方法
    一种旋转角度可调节的异物钳及使用方法_北京中医医院延庆医院(北京市延庆区中医医院)_202511571997.0
    本发明涉及医疗器械技术领域，具体涉及一种旋转角度可调节的异物钳及使用方法。一种旋转角度可调节的异物钳，包括外管、内管、钳头和手柄件。手柄件通过拉索与钳头相连，内管套接在拉索外且与拉索同轴，手柄件能够带动拉索移动并使钳头缩回内管。内管上套设有...
    2026-04-18
  • 大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂
    大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂_湖南居锂新能源科技有限公司_202610197338.3
    本发明公开了一种大单晶磷酸铁锂的制备方法及大单晶磷酸铁锂。该方法通过少锂配方制得含锂铁反占位缺陷的大单晶前驱体，再将该前驱体制成极片组装电池，经过充循环处理收集活性物料，然后将活性物料与磷酸锂、聚多巴胺及氢氧化锂混合处理，经干燥、热处理制得...
    2026-04-18
  • PET离型膜制造智能管理方法及系统
    PET离型膜制造智能管理方法及系统_江阴华美光电科技有限公司_202512022653.0
    本发明适用于离型膜生产技术领域，尤其涉及PET离型膜制造智能管理方法及系统，所述方法包括：构建离型膜测量控制体系；构建平面坐标系，基于多对激光测距头测量第一基材厚度，构建第一测量轨迹和第二测量轨迹，输出第二基材厚度和涂层厚度；提取轨迹交点，...
    2026-04-18
  • 一种液压油过滤装置
    一种液压油过滤装置_苏州山河星程材料科技有限公司_202423043306.3
    本实用新型公开了一种液压油过滤装置，包括支撑固定架、过滤清理主体和移动调节过滤主体，所述过滤清理主体设置在所述移动调节过滤主体上，所述支撑固定架固定连接在所述移动调节过滤主体的底端，所述移动调节过滤主体包括输送软管、滑动调节框架、排放管、轨...
    2026-04-18
  • 一种空气净化单元清洗装置
    一种空气净化单元清洗装置_中国五冶集团有限公司_202411581528.2
    本发明属于鼓风机空气廊道技术领域，特别涉及一种空气净化单元清洗装置。其技术方案为：一种空气净化单元清洗装置，包括清洗箱体，清洗箱体的一侧内壁设置有用于移入空气净化单元的滑轨，滑轨上安装有第一磁吸旋转装置，第一磁吸旋转装置吸附有用于夹持空气净...
    2026-04-18
  • 基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统
    基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统_合肥众波功能材料有限公司_202511852912.6
    本发明提供一种基于自适应调控的单晶炉拉晶收尾参数控制方法及系统，包括通过分布式传感器网络和加工设备接口，采集收尾起始点的生产数据和参数数据并进行处理后，得到晶体当前的状态数据；对晶体当期的状态数据执行相似度比对获得收尾阶段的初始工艺参数，基...
    2026-04-18
  • 长晶炉设备
    长晶炉设备_王启任_202520125121.2
    一种长晶炉设备，包含长晶坩埚机构、晶种预备机构及晶种设置机构。所述长晶坩埚机构包括长晶坩埚组件。所述长晶坩埚组件具有坩埚上盖。所述晶种预备机构包括晶种预存坩埚及预存上盖。所述预存上盖以其底面供晶种设置。所述预存上盖能与所述晶种预存坩埚相配合...
    2026-04-18
  • 一种3D打印轮毂盖及其制造方法
    一种3D打印轮毂盖及其制造方法_裕克施乐塑料制品(太仓)有限公司_202610076992.9
    本发明属于汽车配件制造技术领域，具体涉及一种3D打印轮毂盖及其制造方法。本发明提供的轮毂盖通过3D打印一体成型，包括刚性较大的环状主框架和连接在主框架内且刚性较小的副框架，主框架上设有安装扣，副框架中央设有展示块。副框架为三维网络结构，通过...
    2026-04-18
  • 发光面板及其制作方法
    发光面板及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511733403.1
    本公开提供了一种发光面板及其制作方法。所述发光面板包括：多个外延单元、驱动背板、金属挡光结构、多个聚光结构、钝化层和透明导电层；多个外延单元阵列间隔分布在驱动背板上，多个外延单元的第一面与驱动背板电连接，钝化层覆盖多个外延单元的侧壁，且钝化...
    2026-04-18
  • 一种螺杆钻具旁通阀及螺杆钻具
    一种螺杆钻具旁通阀及螺杆钻具_天津德华石油装备制造有限公司_202310742611.2
    本申请涉及一种螺杆钻具旁通阀及螺杆钻具，属于钻井设备的技术领域，其包括阀体，阀体内安装有阀套和阀芯，阀套和阀芯之间安装有复位弹簧，所述阀芯背离阀套的一侧设置有过滤斗，过滤斗与阀体之间固定连接，过滤斗与阀芯之间设置有连通阀，连通阀和过滤斗之间...
    2026-04-18
  • AlN单晶基板
    AlN单晶基板_日本碍子株式会社_202380099965.8
    本发明提供虽然是直径100mm以上的大尺寸、但未发生开裂的AlN单晶基板。该AlN单晶基板由AlN单晶构成，且具有直径100mm以上的尺寸。
    2026-04-18
  • 用于制造光学制品的方法和相关联的光学制品
    用于制造光学制品的方法和相关联的光学制品_依视路国际公司_202480059510.8
    一种用于制造光学制品的方法，所述方法包括：‑提供(100)两个基础基材(10)，每个基础基材(10)包括两个相反的光学表面(12a，12b)，并且将基础基材(10)放置在打印组件(20)中；‑提供要通过喷墨打印在每个基础基材(10)上打印的...
    2026-04-18
  • 一种用于碳化硅感应晶体生长的气流控制装置
    一种用于碳化硅感应晶体生长的气流控制装置_厦门天三半导体有限公司_202520788149.4
    本实用新型公开了一种用于碳化硅感应晶体生长的气流控制装置，属于气流控制装置领域，其包括工作台，其上具有一安装平面，在该工作台所具有的安装平面上依次设有一气流控制箱、滑轨、连接板。本实用新型的用于碳化硅感应晶体生长的气流控制装置，通过布设的压...
    2026-04-18
  • 一种高质量氧化镓外延片的快速制备方法及高质量氧化镓外延片
    一种高质量氧化镓外延片的快速制备方法及高质量氧化镓外延片_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202610320310.4
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高质量氧化镓外延片的快速制备方法及高质量氧化镓外延片。该制备方法采用HVPE工艺，包括第一生长步骤和第二生长步骤；第一生长步骤控制VI/III比为2.5~5，持续生长1~2h，第二生长步骤控制VI/II...
    2026-04-18
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