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塑料加工应用技术
  • 注塑件生产用风干装置
    注塑件生产用风干装置_常州市鹏泽塑料有限公司_202520903773.4
    本申请涉及一种注塑件生产用风干装置，属于注塑件生产的技术领域，其包括工件篮及风干机构，所述风干机构包括风干槽、支撑台、前端切水组件、后端切水组件及挡杆，所述支撑台设置在所述风干槽内，所述前端切水组件和后端切水组件分别设置在所述支撑台两侧，所...
    2026-04-17
  • 一种真空三合一干燥机的清洗液回收装置
    一种真空三合一干燥机的清洗液回收装置_常州苏正干燥设备有限公司_202520477754.X
    本实用新型提供一种真空三合一干燥机的清洗液回收装置，涉及真空三合一干燥机领域，包括罐体组件，所述罐体组件的一侧设置有传输组件，且传输组件的底部设置有收液组件；本实用新型通过第一电磁阀和第四电磁阀的配合，可控制排液管和输液管的流通，以此来限制...
    2026-04-17
  • 基于预铺形核碳源的异质外延单晶金刚石及其制备方法
    基于预铺形核碳源的异质外延单晶金刚石及其制备方法_征世科技(江苏)有限公司_202511878524.5
    本发明公开了一种基于预铺形核碳源的异质外延单晶金刚石及其制备方法。该方法包括：S10、获取异质衬底；S20、在异质衬底的一侧形成形核碳源层；S30、在形核碳源层远离异质衬底一侧形成铱金属层；S40、采用MPCVD工艺，引入不含碳前驱工艺气体...
    2026-04-17
  • 具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法
    具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法_环球晶圆股份有限公司_202080107738.1
    公开用于制备用于外延生长的单晶硅衬底的方法。所述方法可涉及在锭片段的生长期间控制(i)生长速度v及/或(ii)轴向温度梯度G，使得v/G小于临界v/G及/或小于取决于所述锭的硼浓度的v/G值。还公开用于制备外延晶片的方法。
    2026-04-17
  • 一种大尺寸氮化镓单晶HVPE生长反应器
    一种大尺寸氮化镓单晶HVPE生长反应器_山东晶镓半导体有限公司_202520611296.4
    本实用新型涉及氮化镓单晶生长技术领域，具体涉及一种大尺寸氮化镓单晶HVPE生长反应器。反应器包括炉腔、炉体；炉体包括炉盖、炉筒、炉底盘以及炉筒外部的加热器；炉盖、炉筒、炉底盘之间构成炉腔；炉腔内由上至下依次设置有镓舟和衬底托，镓舟上端与炉盖...
    2026-04-17
  • 一种橡胶制品加工用硫化成型装置
    一种橡胶制品加工用硫化成型装置_广州市三行科技有限公司_202520859545.1
    本实用新型公开了一种橡胶制品加工用硫化成型装置，属于橡胶制品加工技术领域，包括用于支撑橡胶制品的支撑架，所述支撑架的顶部安装有固定板，所述固定板的顶部安装有用于过滤的过滤箱，所述过滤箱的内部连通有进气管，所述进气管的外周设置有多个用于排气的...
    2026-04-17
  • 一种钠助熔剂法生长氮化镓单晶的自适应温度补偿方法
    一种钠助熔剂法生长氮化镓单晶的自适应温度补偿方法_江西科技师范大学_202610082495.X
    本发明公开了一种钠助熔剂法生长氮化镓单晶的自适应温度补偿方法，属于半导体晶体生长技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性氛围下，将钠、镓、碳与籽晶共同置于坩埚中，将坩埚装入高压反应釜，抽真空后充入氮气并升温至预定温度、压力；计算动态调控温度函数...
    2026-04-17
  • 一种智能印线机的定位识别机构
    一种智能印线机的定位识别机构_泉州市裕盛智创机械有限公司_202521164318.3
    本实用新型公开的是一种智能印线机的定位识别机构，包括设备本体，设备本体包括机箱、操作台和印线腔，操作台设置有传送带，印线腔前侧设有激光定位仪，印线腔内置有CCD视觉识别装置，CCD视觉识别装置包括CCD摄像头、光源、图形采集卡和计算机，CC...
    2026-04-17
  • 一种轮胎及其加工方法
    一种轮胎及其加工方法_邵梦_202311759061.1
    本发明涉及轮胎领域，更具体的说是一种轮胎及其加工方法。包括加工有多个安装螺母的安放孔的实心轮胎，实心轮胎上通过螺栓可拆卸连接有多个防滑垫，每个防滑垫上均固接有多个减压块，每个减压块上均通过螺纹可拆卸连接有外壁加工有多个凹槽的抓地钉。该方法包...
    2026-04-17
  • 一种基于PVT的超厚碳化硅晶体生长设备及工艺
    一种基于PVT的超厚碳化硅晶体生长设备及工艺_安晟光电(江苏)有限公司_202610162771.3
    本发明公开了碳化硅生产技术领域的一种基于PVT的超厚碳化硅晶体生长设备及工艺，包括粉料加工单元、生长结晶单元、提拉旋转系统以及籽晶固定单元。本发明通过设置可以控制晶体生长过程中提拉与旋转的提拉旋转系统、单独的粉料升华区与粉料升华加热系统以及...
    2026-04-17
  • 一种一体化支架模具
    一种一体化支架模具_珠海市天木塑胶有限公司_202520699127.0
    本实用新型涉及模具技术领域，尤其涉及一种一体化支架模具。所述一体化支架模具包括底板，所述底板顶部的四角均设有立柱，所述立柱上设有固定连接的下模和活动连接的上模，且所述底板上设有用于下料的顶升组件；所述顶升组件包括支撑框，所述支撑框底部的两侧...
    2026-04-17
  • 一种塑胶产品生产用存放架
    一种塑胶产品生产用存放架_宜兴市托普塑胶制品有限公司_202520974777.1
    本实用新型公开了一种塑胶产品生产用存放架，涉及塑胶产品存放设备技术领域，包括安装架，安装架底部通过支架设置万向轮，安装架内部通过转动轴设置放置架，安装架顶部设置安装壳，安装壳内部转动设置安装轴，安装轴上通过键连接设置第一锥齿轮，转动轴上位于...
    2026-04-17
  • 一种基于滑块导轨结构的带束层检测装置切换设备
    一种基于滑块导轨结构的带束层检测装置切换设备_贵州轮胎股份有限公司_202520522862.4
    本申请涉及轮胎生产设备技术领域，尤其是涉及一种基于滑块导轨结构的带束层检测装置切换设备，其包括0#带束层导开检测装置、滑块导轨结构和气动控制系统。滑块导轨结构支撑并引导检测装置水平滑动，气动控制系统通过三位四通手动换向阀和二位三通电磁阀控制...
    2026-04-17
  • 一种高温高压下钛掺杂的无水铁尖晶石单晶的制备方法
    一种高温高压下钛掺杂的无水铁尖晶石单晶的制备方法_中国科学院地球化学研究所_202211350007.7
    本发明公开了一种高温高压下钛掺杂的无水铁尖晶石单晶的制备方法，以固态的透明–半透明的三角形碳酸亚铁晶体、固态的异丙醇铝粉末、固态的草酸粉末、液态的叔丁醇钛和液态的稀硝酸为起始原料，根据铁尖晶石化学计量比配料，制备出铁尖晶石粉末样品；将铁尖晶...
    2026-04-17
  • 一种新型钡锑碲硫晶体及其制备方法和应用
    一种新型钡锑碲硫晶体及其制备方法和应用_福州大学_202510041519.2
    本发明公开了一种新型钡锑碲硫晶体及其制备方法和应用，所述新型钡锑碲硫晶体的结构式为BaSbTe2S；所述新型钡锑碲硫晶体的结构为：结构中Ba含有2个晶体学位点，Sb含有2个晶体学位点，Te含有4个晶体学位点，S含有2个晶体学位点；其中，Sb...
    2026-04-17
  • 手术用器械的末端工具
    手术用器械的末端工具_利思梅德株式会社_202511462343.4
    本发明的一实施例提供一种手术用器械的末端工具，所述手术用器械的末端工具包括：末端工具枢纽部，所述第一钳部结合滑轮、所述第二钳部结合滑轮、所述第一钳部辅助滑轮组件和所述第二钳部辅助滑轮组件可旋转地布置在所述末端工具枢纽部，所述末端工具枢纽部将...
    2026-04-17
  • 一种碲锌镉晶片的退火方法
    一种碲锌镉晶片的退火方法_广东先导微电子科技有限公司_202310243494.5
    本发明公开了一种碲锌镉晶片的退火方法，包括：S1、将碲锌镉晶片和碲粉放入退火炉的不同位置中，将退火炉密封后抽真空；S2、将退火炉缓慢升温至790‑805℃，进行保温；S3、缓慢降温，即得。该退火方法操作容易、工艺流程短、工艺可控性强、所需时...
    2026-04-17
  • 一种剥离液生产用多级过滤装置
    一种剥离液生产用多级过滤装置_江苏龙东新材料有限公司_202311833240.5
    本发明涉及剥离液生产设备技术领域，具体是一种剥离液生产用多级过滤装置，所述剥离液生产用多级过滤装置包括：过滤设备，所述过滤设备内部设置有除垢机构，除垢机构由动力组、传动组和清洁组件组成，清洁组件安装于过滤设备内部且与动力组和传动组之间传动连...
    2026-04-17
  • 一种适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚
    一种适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚_湖州东尼半导体科技有限公司_202610051385.7
    本发明涉及一种适用于电阻法的碳化硅长晶坩埚，属于半导体材料制备技术领域。该坩埚包括侧壁、底部、上盖及由侧壁和底部围成的内腔。侧壁包括上侧壁和下侧壁，内腔对应分为上腔和下腔。上腔为等直径圆柱形，下腔为自上而下渐扩的锥台形。该结构能显著优化原料...
    2026-04-17
  • 层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法
    层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法_季华实验室_202610115797.2
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法。所述层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料的制备方法，包括如下步骤：将Ge3Sb4Se7材料研磨后置于石英管中，加入碘颗粒，真空封装于石英管中，...
    2026-04-17
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