Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
自行车,非机动车装置制造技术
  • 本申请涉及医用敷料技术领域,公开了一种胶原蛋白片材敷料及其制备方法。胶原蛋白片材敷料包括纤维性胶原蛋白、辅助成分、赋形剂以及保护剂;其中,纤维性胶原蛋白在组成中的固含量大于10mg/ml。胶原蛋白片材敷料的制备方法包括:制备均质匀浆;将均质...
  • 本申请公开了一种高压绕组,包括绕线体、高压线圈、高压绝缘层和出线端子,高压绝缘层为高温硫化硅橡胶,出线端子整体呈棱柱结构,出线端子包括相连的内接部和外接部,内接部用于连接高压绕组内部的导线,外接部用于连接高压绕组外部的连接件,内接部的外周开...
  • 本发明涉及聚脲防腐涂层技术领域,公开了一种改性氧化石墨烯和聚脲防腐涂料组合物以及制备聚脲防腐涂层的方法。该改性氧化石墨烯由异氰酸酯基硅烷对氧化石墨烯进行改性得到。该聚脲防腐涂料组合物含有聚脲防腐涂料组分A和聚脲防腐涂料组分B,所述聚脲防腐涂...
  • 本申请属于工业数据处理领域,具体涉及一种基于具身智能的训练数据生成方法、装置、设备及介质,包括:确定目标物体在机械臂坐标系的物体位姿数据;根据预先生成的图像采集位姿序列,控制机械臂的图像采集装置依次移动至每个图像采集位姿上采集目标物体的候选...
  • 本发明提出一种超结MOSFET器件及其加工方法,包括:衬底结构、漏极导体、耐压区、槽型栅极结构、栅极导体、第二基区、截止区、第一基区、源区和贯穿截止区,并嵌入第二耐压区的高k介质层,以及覆盖于源区顶部、第一基区顶部、截止区顶部以及高k介质层...
  • 本实用新型公开了一种通风空调安装用固定装置,包括有安装板、支撑板、驱动组件、传动组件、夹板和散热孔,装置在对空调进行安装时,在墙壁上开设与螺栓相匹配的定位孔,通过设置的定位螺栓将安装板固定在墙体上,拉动支撑板将支撑板拉出放置腔,将空调放置在...
  • 本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法,该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极,其中,缓冲区堆叠于衬底的上方;第一导电类型柱及第二导电类型柱...
  • 本发明公开了一种用于卷簧钢带的热处理系统,涉及钢带热处理技术领域,具有无需人工将钢带穿过淬火装置,从而使得淬火装置从头对钢带进行淬火的优点,其技术方案要点是:包括热处理箱以及设置在热处理箱内壁一侧的侧板,热处理箱上设有相对分布的进料口与出料...
  • 本发明提供了一种用于悬臂式叶轮的锁紧防松脱装置,涉及离心式风机、泵等设备技术领域。装置采用“静‑动”双重防松机制:静态上,通过锁紧螺母端面的防转销钉插入叶轮盲孔实现刚性机械止动;动态上,通过套设在螺母外、带有非对称结构的防转垫圈,利用旋转流...
  • 本发明涉及涂料、涂层、与发光装置,其中,涂料包括:改性粒子,包括:核心;以及具有环氧基的硅烷偶合剂或具有双键的硅烷偶合剂,接枝至核心的表面;以及反应性化合物,当具有环氧基的硅烷偶合剂接枝至核心的表面时,反应性化合物包括不含硅的多环氧化合物与...
  • 本发明公开了一种基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法,主要解决现有技术难以实现精准可控掺杂的问题。方案包括:绝缘衬底,二维材料沟道层,位于二维材料沟道层两端之上的源电极与漏电极,位于二维材料沟道层与源漏电极之上的栅介质层,位于栅介质...
  • 本发明属于锂电池技术领域,涉及一种PEDOT : PSS组合物作为粘结剂在制备锂离子电池负极中的应用,所述PEDOT : PSS组合物包括PEDOT : PSS水分散液和表面活性剂,所述PEDOT : PSS组合物作为粘结剂用于负极浆料中。...
  • 本公开的一个方式的图像处理装置具备:三维信息获取部,其从视觉传感器获取三维信息,该三维信息包含二维图像及二维位置的距离信息;图像识别部,其从所述二维图像中识别对象物的候选区域;重叠判定部,其判定所述候选区域是否重叠;以及距离判定部,其针对由...
  • 本发明公开了一种基于标准接口的社保卡PIN重置方法、系统及介质,所述方法包括以下步骤:配置加密模块、第一标准接口和分组加密算法;设置数据字符位;检测社保卡PIN重置需求,基于所述加密模块、所述第一标准接口、所述数据字符位和所述社保卡PIN重...
  • 本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制造方法,本发明通过形成第二导电类型柱区,在减小了栅氧化层尖峰电场、保护了栅氧化层的同时,利用柱形区与外延层形成的超结结构,在保证器件击穿特性不退化的前提下,明显减小了器件的漂移区电阻,从而有效...
  • 本发明公开了一种数据湖中隐私计算的处理方法,包括以下步骤:步骤一,建立数据连接;步骤二,分析处理调用;步骤三,加密模型构建;步骤四,生成计算沙盒;步骤五,隐私计算输出;步骤六,反馈还原输出;本发明,通过建立安全架构在数据调用之前将原始数据转...
  • 晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区,及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底...
  • 本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺,属于半导体器件技术领域,包括由若干个相互并列的MOS元胞构成,单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极;所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P...
  • 本实用新型涉及一种防锈的水泵壳体,特别涉及水泵技术领域。本实用新型包括泵体、拉伸衬盘、铸铁前盖,所述铸铁前盖背部中间处设有向后凸起的圆柱凸台,所述拉伸衬盘上与所述圆柱凸台相对应的位置上设有用于支撑所述圆柱凸台平面的衬盘平面,所述圆柱凸台底部...
  • 一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺,以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺,以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
技术分类