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自行车,非机动车装置制造技术
  • 基于联盟链和本地差分隐私的合同数据共享方法
    基于联盟链和本地差分隐私的合同数据共享方法_云南财经大学_202610061714.6
    本发明公开了基于联盟链和本地差分隐私的合同数据共享方法，包括5个实体和5个任务执行阶段；5个实体分别是：企业数据提供方、Group 1合同数据记录链、Group 2任务管理链、链下跨群调度器CGO和链下计算节点；5个任务执行阶段分别是：合同...
    2026-04-30
  • 一种潜水泵泵壳
    一种潜水泵泵壳_宁波枫盛机电有限公司_202520767934.1
    本申请涉及一种潜水泵泵壳，包括依次连接的顶壳、泵体和底座；顶壳，包括外壳体和内壳体；外壳体的长度小于内壳体的长度，并设置在内壳体外周，且与内壳体之间设置有定位柱和第一抵接块，定位柱和第一抵接块的长度大于外壳体的长度；泵体，形成有安装通道，安...
    2026-04-30
  • 一种海上变压器测试仪
    一种海上变压器测试仪_山东大学_202310085826.1
    本发明公开了一种海上变压器测试仪，包括外壳以及设置在所述外壳内的测试仪主体，还包括有活动支板，所述活动支板设置在所述外壳上；导轮组件，所述导轮组件设置在所述活动支板上并与地面接触，用于移动装置主体；联动组件，所述联动组件设置在所述外壳内，移...
    2026-04-30
  • 医疗数据采集中的安全加密方法及系统
    医疗数据采集中的安全加密方法及系统_重庆壹永科技集团有限公司_202511982960.7
    本发明涉及一种医疗数据采集中的安全加密方法及系统，属于医疗数据安全技术领域，解决了现有技术中医疗数据采集难以满足医疗场景下高实时、强隐私的安全需求的问题。方法包括采集医疗设备产生的医疗记录，并对每条医疗记录执行：基于当前医疗记录，提取语义信...
    2026-04-30
  • 焊缝质量检测方法及训练方法
    焊缝质量检测方法及训练方法_联合汽车电子有限公司_202210869631.1
    本发明提供了一种焊缝质量检测方法及训练方法。其中，所述焊缝质量检测方法包括如下步骤：获取第一灰度图，其中，所述第一灰度图基于至少两个光源依次照射被检对象获得，所述第一灰度图的数量和所述光源的数量相对应，所述光源输出平行光。基于所述第一灰度图...
    2026-04-30
  • 一种数据访问方法、装置、设备及介质
    一种数据访问方法、装置、设备及介质_北京优特捷信息技术有限公司_202610022406.2
    本发明实施例公开了一种数据访问方法、装置、设备及介质，该方法包括：根据目标用户标识查询预先建立的用户属性映射表，获取与目标用户标识匹配的至少一个用户标签；查询预先构建的数据字段映射表，获取与目标数据表对应的至少一个受控权限维度，以及与每个受...
    2026-04-30
  • 一种试验机的平衡控制方法、装置、电子设备和存储介质
    一种试验机的平衡控制方法、装置、电子设备和存储介质_中国长江三峡集团有限公司_202610018674.7
    本申请公开了一种试验机的平衡控制方法、装置、电子设备和存储介质，待测试验机与激振器连接，包括：响应于针对所述待测试验机的取平指令，检测所述待测试验机的应变数据和激振器参数信息；根据所述应变数据和所述激振器参数信息，从预设取平动作序列库中匹配...
    2026-04-30
  • 对称型LDMOS及其制造方法
    对称型LDMOS及其制造方法_东南大学_202511913174.1
    本发明涉及一种对称型LDMOS及其制造方法，所述对称型LDMOS包括：衬底；漂移区，至少部分衬底位于漂移区下方；沟槽栅结构，位于漂移区中，包括位于目标沟槽的内壁的栅介电层和位于目标沟槽中的栅极；体区，位于目标沟槽下方，体区的导电类型与所述漂...
    2026-04-30
  • 一种灭火器用阀门
    一种灭火器用阀门_广东振兴消防设备有限公司_202521068068.3
    本实用新型公开了一种灭火器用阀门，包括阀体，阀体内设有互通的活塞腔、灭火剂喷出通道、灭火剂引出通道和限位腔；阀芯，阀芯包括密封滑动连接于活塞腔内的活塞部和连接于活塞部上且随活塞部滑动的活塞杆部，活塞杆部的下端延伸至限位腔内，活塞杆部的下端设...
    2026-04-30
  • 包括垂直场效应晶体管的集成电路器件
    包括垂直场效应晶体管的集成电路器件_三星电子株式会社_202010540612.5
    提供了集成电路器件。集成电路器件可以包括垂直场效应晶体管(VFET)，该垂直场效应晶体管包括：在衬底中的底部源极/漏极区、在底部源极/漏极区上的沟道区、在沟道区上的顶部源极/漏极区、以及在沟道区的侧面上的栅结构。沟道区可以具有十字形上表面。
    2026-04-30
  • 半导体超结功率器件
    半导体超结功率器件_苏州东微半导体股份有限公司_202111128640.7
    本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个宽度相同的p型柱，相邻的两个所述p型柱之间的间距相同；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一...
    2026-04-30
  • 个人背负式风机
    个人背负式风机_蚌埠龙凯焊接防护科技有限公司_202521209266.7
    本实用新型给出了一种个人背负式风机，属于个人防护装备技术领域。针对现有单人风机存在的滤芯气流分布不均导致寿命短、密封性差的问题，采用三级腔室壳体结构和均压式过滤系统。风机外壳由内侧壳体、中间隔板、上外壳体及下外壳体构成，内侧壳体内壁曲率适配...
    2026-04-30
  • 一种新式水冷风扇
    一种新式水冷风扇_东莞其力行科技有限公司_202520815973.4
    本实用新型公开了一种新式水冷风扇，其将壳体内部作为可蓄水的第一空间，并将水帘机构和离心风机安装于第一空间中，在壳体一侧设置了具有第二空间的连接件，在壳体开设有第一开口使第二空间与第一空间连通，在连接件开设了第二开口使第二空间与外界连通。工作...
    2026-04-30
  • 二次电池用水系粘结剂组合物、二次电池电极用浆料组合物、二次电池电极以及二次电池
    二次电池用水系粘结剂组合物、二次电池电极用浆料组合物、二次电池电极以及二次电池_旭化成株式会社_202310064050.5
    本发明涉及二次电池用水系粘结剂组合物、二次电池电极用浆料组合物、二次电池电极以及二次电池。一种二次电池用水系粘结剂组合物，其包含聚合物颗粒和相对于上述聚合物颗粒100重量份为0.001重量份～1.0重量份的1, 2‑苯并异噻唑啉‑3‑酮，上...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202010110647.5
    一种半导体器件包括：下半导体衬底；与所述下半导体衬底交叠的上半导体衬底，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上...
    2026-04-30
  • 一种基于动态亚胺键的可自修复环氧树脂及其制备方法
    一种基于动态亚胺键的可自修复环氧树脂及其制备方法_山东非金属材料研究所_202610033312.5
    本发明属于新材料技术领域，具体提供了一种基于动态亚胺键的可自修复环氧树脂及其制备方法，发明人首先提供了一种含亚胺键固化剂，该固化剂由甲基环己二胺与香草醛反应获得，并利用该固化剂进行环氧树脂的固化，确保其具有良好的初始力学性能，且可实现该自修...
    2026-04-30
  • 一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺
    一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺_济南晶恒电子有限责任公司_202610121591.0
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺，包括漏极金属，漏极金属上方有N+型衬底漏极区，N+型衬底上方设置有N‑型外延层，N‑型外延层中交替分布有P型柱和N型柱，P型柱顶部设置有宽度收窄的收窄...
    2026-04-30
  • 一种云盘菜单权限管控的方法、装置及存储介质
    一种云盘菜单权限管控的方法、装置及存储介质_中国建设银行股份有限公司_202512012484.2
    本申请实施例提供一种云盘菜单权限管控的方法、装置及存储介质，该方法包括：设置云盘菜单对应的操作权限；根据目标用户的岗位属性及岗位菜单映射规则确定目标用户可见的所有叶子节点菜单；基于云盘菜单的层级关系和叶子节点菜单，对目标用户构建菜单树，菜单...
    2026-04-30
  • 基于多模态墙面渗水检测方法、装置、计算机设备及介质
    基于多模态墙面渗水检测方法、装置、计算机设备及介质_马鞍山钢铁股份有限公司_202310109363.8
    本发明公开了一种基于多模态墙面渗水检测方法、装置、计算机设备及介质，属于检测技术领域。本发明采用光学镜头和红外镜头对易渗水墙面进行监控，具体步骤包括：S10、获取光学镜头和红外镜头采集的图像数据；S20、对图像数据进行切帧操作，得到每一帧的...
    2026-04-30
  • 一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
    一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510092613.0
    本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该氧化物半导体薄膜晶体管包括衬底；栅电极，位于所述衬底上；栅介质层，位于所述栅电极上；有效诱导层，所述有效诱导层包括从下到上设置的沟道层a、沟道层b和沟道颗粒层，所述沟道层a位于所述栅介质...
    2026-04-30
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