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  • 本发明属于半导体技术领域,公开了键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法,能同时兼顾金刚石核探测器的低阻抗欧姆接触与高键合拉力,其包括:金刚石;位于金刚石表面第一电极区域(氮终端金刚石表面)的键合拉力增强欧姆接触电极;位于金刚石表面...
  • 本申请公开了一种栅线及其制备方法、光伏电池,涉及光伏电池技术领域,其中,栅线的制备方法,包括:在栅线待制件上根据预设图形印刷第一浆料以形成第一栅线;根据预设图形,在第一栅线上印刷第二浆料以形成第二栅线。本申请提供的栅线制备方法,通过在第一栅...
  • 本发明提供一种异质结、制备方法及其应用,涉及光伏材料技术领域。本发明的异质结为ZnO纳米阵列/Sb2S3异质结,能够很好地解决Sb2S3薄膜载流子输运能力不足的问题,从而提高Sb2S3薄膜的电导率并增强器件整体的载流子输运性能,能大幅提高S...
  • 本发明公开一种背接触电池和光伏组件,涉及光伏技术领域,以优化载流子的传输路径,实现载流子的有效收集。背接触电池包括半导体基底、以及设置于半导体基底的背面上的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层和半导体基底的掺杂类型相同,第一半导体层包括...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池,包括S1082、采用激光诱导晶化工艺,对第二半导体开口区内的至少部分第二掺杂非晶硅层进行激光刻画,使得激光刻画区域的对应部分第二掺杂非晶硅层晶化形成第...
  • 本申请公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏领域。本申请方法包括:获取半导体衬底;使用电极浆料在半导体衬底表面制备电极;电极浆料包括导电金属颗粒60%~80%,有机载体15~30%,添加剂5~10%;导电金属颗粒包括银粉...
  • 本发明公开了一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法,涉及光伏太阳能板加工技术领域,包括设置于机箱上的承载台和设置于承载台上方的隔离罩,机箱内设置有第一驱动机构,并用于驱动隔离罩升降;机箱内设置有第二驱动机构,并用于驱动承载台平移;隔离罩内设...
  • 本发明公开了一种TBC电池的制备方法及TBC电池,该制备方法首先提供N型硅基底;其中,N型硅基底的第一表面包括呈叉指状交替排列的第一区域和第二区域,然后在第一区域与第二区域对应的第一表面上依次制备中间间隔层、第一隧穿氧化层和硼扩散掺杂层,并...
  • 本发明公开一种三结柔性太阳电池,包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层,所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池;然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜,在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层...
  • 本发明提供一种太阳能电池封装方法,涉及太阳能电池生产工艺的技术领域,包括:将基板玻璃和层压玻璃初步封装,并在边缘处预留间隙;在基板玻璃和层压玻璃的间隙内设置填充物,以形成玻璃结构;将玻璃结构置于真空容器中,并对真空容器抽真空处理;通过激光器...
  • 本发明提供一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用,涉及光伏材料技术领域。本发明提出CdS/Sb2S3薄膜的退火方法,为双面退火方法,一面在预加热至350‑400℃的第一平台上退火10‑20min,另一面继续在预加热至150‑180℃的...
  • 本发明提供一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用,涉及光伏材料技术领域。CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法,在CdS薄膜上沉积CdCl2,进行第一退火,获得第一薄膜;在第一薄膜上沉积Sb2(S, Se)3吸收...
  • 本发明公开了一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法。本发明先制备ZnO种子层,再通过水热法制备ZnO纳米线阵列;然后利用溶胶‑凝胶法结合退火处理在ZnO纳米线表面修饰In2O3纳米颗粒和致密包覆的CuO纳米颗粒,制...
  • 本发明涉及半导体光电器件制造技术领域,公开了一种基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法。该方法核心在于:采用沿[111]晶向10‑15°大角度斜切的Ge(001)衬底作为模板,直接化学气相沉积生长单...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体是一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法,制备方法包括以下步骤:1)制备硅基InP薄膜;2)在硅基InP薄膜上通过MOCVD外延生长正向两结太阳能电池;3)在GaAs衬底上通过MOCVD外延生...
  • 本发明公开了一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构的制备方法,包括:在n‑InP衬底上依次外延生长n‑InP缓冲层、m层n‑InAsxPy缓冲层、组分过冲层和晶格硬化层;m层n‑InAsxPy缓冲层中,m=4~8,x=0.1~0.6,y=0.4~...
  • 本发明涉及光伏电池技术领域,尤其涉及一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池。本发明提供的硅片的双面制绒方法,包括如下步骤:将N型单晶硅片依次进行清洗、抛光处理、表面氧化层去除和双面高温吸杂处理,得到干净的N型单晶硅片;将所述干净的N型...
  • 本发明涉及光伏技术领域,公开了一种硅表面选择性重掺杂的方法、光伏电池及其制备方法。该方法包括:采用轻掺杂工艺对晶硅硅片表面进行扩散掺杂,以在硅片上依次形成轻掺杂结构及掺杂硅玻璃;去除掺杂硅玻璃以裸露轻掺杂结构;采用波长小于或等于355nm、...
  • 本申请涉及太阳能光伏电池制造领域,尤其涉及一种用于TOPCon电池片自动化切折烫成型一体机。该设备通过集成化的多工位结构设计,实现从电池片精切、折叠、烫边、喷码、点胶、热冷压到检测分拣等多道工序的自动化连续处理,从而实现TOPCon电池片的...
  • 本发明公开了一种硅微条探测器的封装工装及方法,属于高能物理硅微条探测器技术领域,包括模块粘贴工装和探测器压合工装;所述模块粘贴工装包括粘贴吸附底座、定位条、若干硅片定位销、PCB板定位结构和配重压块;所述粘贴吸附底座分为若干吸附区;所述定位...
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