Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510737622.0
    一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底；在衬底上形成有源鳍区、源/漏图案、栅极结构和栅极间绝缘层；形成全高度接触部；形成全高度栅极接触部；使全高度接触部的第一子集和全高度栅极接触部的第二子集凹陷以分别形成减高接触部和减高栅极接触部；形成...
    2026-05-01
  • 双向阻断半导体器件的封装结构及封装方法
    双向阻断半导体器件的封装结构及封装方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202610344767.9
    本发明提供一种双向阻断半导体器件的封装结构及封装方法，封装结构包括：第一MOS管芯片及第二MOS管芯片，背面分别具有第一漏区和第二漏区，第一漏区与第二漏区面对面直接键合，形成导电键合界面，以使第一MOS管芯片与第二MOS管芯片沿垂直方向堆叠...
    2026-05-01
  • 一种贴装桥式整流器件及其制造方法
    一种贴装桥式整流器件及其制造方法_阳洪涛_202610066544.0
    本发明公开了一种贴装桥式整流器件及其制造方法，属于半导体器件封装与功率电子技术领域。包括第一金属底板及第二金属底板，第一金属底板及第二金属底板均为横向设置，第一金属底板在横向方向上依次设置正面放置的第一二极管芯片及倒装放置的第三二极管芯片，...
    2026-05-01
  • 一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法
    一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法_中国南方电网有限责任公司_202512039137.9
    本发明属于电力电子功率模块设计与优化技术领域，涉及一种低电感Si/SiC混合半桥功率模块结构设计方法。包括：设计Si/SiC混合半桥功率模块，选用大容量Si IGB搭配小容量SiC MOSFET；对混合半桥功率模块内芯片焊料层进行差异化设计...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_重庆奕能科技有限公司_202610063459.9
    本申请公开了一种半导体器件，包括衬底；外延层；沟槽栅结构；其中，所述沟槽栅结构包括沿第一方向延伸的多个U向沟槽栅，和沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个V向沟槽栅，所述多个U向沟槽栅沿与所述第一方向相垂直的方向相互平行排列，所述多个V向...
    2026-05-01
  • 半导体结构的制造方法及半导体器件
    半导体结构的制造方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202610339571.0
    本发明公开了一种半导体结构的制造方法及半导体器件。根据本发明实施例的半导体结构的制造方法包括提供一衬底，并在所述衬底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行图形化以形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面注入锗离子，形成改性层；去除所述伪栅及所述改性层；以...
    2026-05-01
  • 一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法
    一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202610073306.2
    本发明涉及一种基于复合光阻与改进举离工艺的pHEMT栅极制造方法，包括低速旋转晶圆，将E‑beam光阻液均匀地铺展到整个晶圆，将转速提至3000～4000 rpm进行甩胶，使用热板对E‑beam光阻进行软烤；经电子束写，进行显影，形成Y栅底...
    2026-05-01
  • 一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺
    一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺_福建省福联集成电路有限公司_202610009029.9
    本发明涉及一种基于界面强化层的砷化镓栅极刻蚀与金属化工艺，包括在source 跟drain 金属上均涂布第一光阻层，采用套刻工艺定义帽层蚀刻宽度，采用湿法蚀刻对衬底蚀刻出沟道；步骤S2、将第一光阻层去除，涂布聚酰亚胺PI层；步骤S3、涂布第...
    2026-05-01
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202511332800.8
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品。提供一种能够高效地进行选择性成膜的技术。具有进行下述(a)和(b)、并且与第2表面上相比优先地在第1表面上形成包含金属元素的膜的成膜工序，(a)：进行(a1)对衬底供给包...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411456773.0
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面上形成沿第一方向延伸的鳍；在所述衬底上形成覆盖所述鳍的第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层表面形成第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成沿第二方向延伸的硬掩膜层，其中所...
    2026-05-01
  • 一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法
    一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610073245.X
    本发明涉及一种GaN HEMT的半弧形空气场板结构及制备方法，包括定义高频半导体器件的主动区范围；定义器件源极、漏极图形，并进行源极、漏极金属蒸镀，同时进行高温回火；定义器件栅极图形，形成 Y 型栅极；在Gate区域沉积光阻将栅极覆盖后，烘...
    2026-05-01
  • 绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆
    绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511830184.9
    本申请提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆，该绝缘体上硅衬底包括：基底；设置在所述基底上的绝缘层；以及设置在所述绝缘层上的多晶硅叠层，所述多晶硅叠层包含由导电中间层所分隔的多个多晶硅陷阱子层，其中，所述导电中间层被配置成与相...
    2026-05-01
  • 新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管
    新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管_世恩半导体科技(苏州)有限公司_202310402003.7
    本发明提供一种新型高k栅介质源区延伸双栅隧道场效应晶体管，包括：从左往右依次设置的源区、沟道区和漏区，沟道区的左侧为薄端，右侧为厚端，源区埋置在沟道区的薄端，源区右侧与沟道区之间有一层低k绝缘体层，沟道区的厚端与厚度相等的漏区连接；沟道区上...
    2026-05-01
  • 一种L形源区结构的SiC MOSFET
    一种L形源区结构的SiC MOSFET_北京航空航天大学_202511972505.9
    本申请提供一种L形源区结构的SiC MOSFET，包括：衬底和设置在衬底正面上的漂移区，在漂移区两侧的限定区域内分别设置第一体区和第二体区；在第一体区上方设置第一基区、两个第一源区和第二源区；两个第一源区分别设置于第一基区上方和第一体区的两...
    2026-05-01
  • 超结半导体功率器件及其制造方法
    超结半导体功率器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202610110537.6
    本发明提供一种超结半导体功率器件，包括重掺杂的第一导电类型衬底，在重掺杂的第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有沟槽；在沟槽中填充有第二导电类型掺杂单晶硅，形成第二导电类型柱状外延；从而在第一导电类型外延层中形...
    2026-05-01
  • 复合型终端结构及制备方法
    复合型终端结构及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610027047.X
    本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种复合型终端结构及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种复合型终端结构，所述终端结构包括呈第一导电类型的半导体基板以及设置于所述半导体基板终端区内的JTE横向终端扩展结构，其中，所述JTE横向终端...
    2026-05-01
  • 一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法_广东电网有限责任公司广州供电局_202511964708.3
    本发明公开了一种二维半导体场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件技术领域。本发明通过构建自下而上层叠设置的基底、缓冲层、二维导电屏蔽层、介电间隔层、二维半导体沟道、顶栅介质层、顶栅金属层和封帽层，以及在二维半导体沟道的两端，分别设置有漏极...
    2026-05-01
  • 碳化硅功率器件及其制造方法
    碳化硅功率器件及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202411475695.9
    本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，在碳化硅衬底中形成终端结构，所述终端结构围绕所述阱区，所述终端结构包括m个间隔的环形注入区以及n个间隔的注入补偿区，m、n为正整数并且m≥n，并且，自所述阱区起n个所述注入补偿区和n个所述环形注入...
    2026-05-01
  • 一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法
    一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511911006.9
    本发明公开了一种抗单粒子烧毁的接地埋层SiC JFET及制备方法，涉及碳化硅功率器件技术领域，该器件包括：衬底、漂移区、P+埋层、沟道层、第一P+栅区、第二P+栅区、N+源区、源极、栅极和漏极，其中，第一P+栅区在垂直方向上延伸并与P+埋层...
    2026-05-01
  • 一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法
    一种ITO接触IGZO的薄膜晶体管结构及其制备方法_山东石油化工学院_202610109126.5
    本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种ITO接触IGZO的的薄膜晶体管结构及其制备方法。通过在第一层绝缘层后制备第二层金属层，然后使用第一层电极层保护有源层与第二层金属层的接触区域，本发明能够有效避免传统薄膜晶体管结构中第二层金属层对有...
    2026-05-01
首页 上一页 3 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证