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最新专利技术
  • 具有高密度Z轴互连的3D计算电路
    具有高密度Z轴互连的3D计算电路_艾克瑟尔西斯公司_202511990129.6
    本发明的一些实施例提供了一种具有高密度Z轴互连的3D计算电路，该电路包括第一集成电路IC裸片，包括第一处理器核；以及第二IC裸片，被垂直安装在第一IC裸片上，IC裸片包括用于第一处理器核的第一高速缓存，其中，第一高速缓存在重叠区域处与第一处...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制备方法和半导体器件
    半导体结构及其制备方法和半导体器件_长江存储控股股份有限公司_202411406266.6
    本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体的技术领域。半导体结构包括层叠设置的多个晶圆组，相邻的两个晶圆组键合。晶圆组包括晶圆和第一互联部。晶圆的数量为多个，多个晶圆层叠设置，相邻的两个晶圆键合。晶圆包括绝缘介质...
    2026-05-01
  • 存储器装置和该存储器装置的制造方法
    存储器装置和该存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510562844.3
    本申请涉及存储器装置和该存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括：形成包括交替层叠的第一层间绝缘层和第一牺牲层的第一层叠物，第一牺牲层具有第一蚀刻速率；在第一层叠物上方形成第二层叠物，该第二层叠物包括交替层叠的第二层间绝缘层和第二...
    2026-05-01
  • 存储器装置
    存储器装置_英特尔NDTM美国有限公司_202411463209.1
    本发明提供一种存储器装置，其包括：衬底；设置在衬底上的由堆叠体构成的多个存储器阵列；和设置在多个存储器阵列彼此之间的阶梯结构，在堆叠体的边缘处设置有贯穿多个电介质层和导电层的不作为存储单元发挥作用的第一伪柱(11、21)，在阶梯结构中设置有...
    2026-05-01
  • 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202511389616.7
    本公开的实施例提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件包括：基板；堆叠结构，堆叠结构包括垂直且交替地堆叠在基板上的电介质图案和导电图案；源极导电图案，源极导电图案位于堆叠结构上；上导线，上导线位于堆叠结构与源极导电图案之间...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411466742.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成保护层；在保护层上形成叠置结构；基于第一沟槽，对第一沟槽两侧的多层第一绝缘层进行刻蚀并形成多层第一导电层；基于第二过孔，对第二过孔外周的多层第一绝缘层...
    2026-05-01
  • 用于图案化的方法以及存储器结构
    用于图案化的方法以及存储器结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764728.6
    本公开描述了一种用于存储单元中的条带区域的图案化工艺，用于移除多晶硅线之间的材料。图案化工艺包括：在插入第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层。图案化工艺还...
    2026-05-01
  • 存储器及存储器的制备方法
    存储器及存储器的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610377289.1
    本公开提供了一种存储器及存储器的制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器包括：衬底，包括相邻分布的第一中心区和第二中心区，以及位于第一中心区和第二中心区之间的边缘区；第一存储阵列，位于第一中心区；第二存储阵列，位于第二中心区；第一选择晶体管，...
    2026-05-01
  • 一种三维动态随机存取存储器及其制造方法
    一种三维动态随机存取存储器及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202512032047.7
    本发明公开了一种三维动态随机存取存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，用于提高动态随机存取存储器的存储密度。所述三维动态随机存取存储器包括：呈立体阵列分布的多个存储单元、以及用于将不同存储单元隔离开的介质结构。每个存储单元包括：晶体管和电...
    2026-05-01
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510949791.0
    提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括；存储器单元区域，包括存储器单元；以及核心/外围区域，包括电容器。电容器包括下电极和上电极，第一电位电平通过第一金属图案被施加至下电极，并且下电极形成在核心/外围区域上，比第一电位电平低的第二...
    2026-05-01
  • 具有厚度不均匀的气隙保护结构的半导体元件及其制备方法
    具有厚度不均匀的气隙保护结构的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510461864.1
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一位元线、一导电层、一着陆垫、以及一气隙保护结构。该基板包括多个衬垫，设置于该基板中一沟槽的侧表面上。该位元线设置于该基板上。该隔离间隔物设置于该位元线的一侧壁上。该隔离间隔物包...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411706224.4
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括衬底、埋入式字线结构与介电阻挡层。埋入式字线结构位于衬底中。埋入式字线结构包括埋入式字线。埋入式字线位于衬底中。介电阻挡层位于埋入式字线结构上方的衬底中。位于衬底中的介电阻挡层的宽度大...
    2026-05-01
  • 一种半导体结构及存储器件
    一种半导体结构及存储器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411472742.4
    本公开实施例涉及一种半导体结构，包括：基底，基底包括有源区和外围区；位线结构，位于有源区且平行于基底表面层叠设置，位线结构的至少一端具有台阶结构；垂直字线与位线结构电连接；第一导通结构位于外围区，第一导通结构的一端与基底连接，第一导通结构的...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411466268.4
    本公开实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体主体、栅极结构和介质填充部。半导体主体沿第一方向延伸，栅极结构位于半导体主体沿第一方向延伸的侧壁，介质填充部至少位于栅极结构背离半导体主体的一侧，其中栅极结构包...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411466141.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体柱和栅极结构，半导体柱沿第一方向延伸，栅极结构位于半导体柱沿第一方向延伸的侧壁，栅极结构包括栅极层和阻挡层，阻挡层位于栅极层背离半导体柱的一侧。
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411463786.0
    提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底；有源区，有源区设置于衬底中，呈阵列排布；隔离层，隔离层设置于有源区之间；字线结构，字线结构穿过有源区并将有源区分成节点区和位线区；扩展槽，扩展槽部分设置于节点区中，部分设置于隔离层中；扩...
    2026-05-01
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511490985.5
    一种半导体器件包括：设置在衬底上的有源图案；设置在有源图案上的源极/漏极图案；设置在有源图案上并且连接到源极/漏极图案的沟道图案；设置在沟道图案上的栅电极；设置在源极/漏极图案上的有源接触；设置在栅电极上的层间绝缘层；设置在层间绝缘层上并且...
    2026-05-01
  • 一种旋转直驱式吸咀快换装置
    一种旋转直驱式吸咀快换装置_快克智能装备股份有限公司_202610360588.4
    本发明涉及芯片贴装技术领域，尤其涉及一种旋转直驱式吸咀快换装置，包括转盘、吸咀组件、施力杆、旋转驱动机构及升降驱动机构，转盘包括下盘体、上环体及连接壁，三者围合形成有凹陷区，旋转驱动机构部分伸入所述凹陷区；本发明将旋转驱动机构部分伸入转盘的...
    2026-05-01
  • 一种集成电路板加工用SMT贴片自动贴片装置
    一种集成电路板加工用SMT贴片自动贴片装置_常州市科启新电子有限公司_202610166759.X
    本申请公开了一种集成电路板加工用SMT贴片自动贴片装置，属于集成电路板加工领域，包括底座，所述底座的顶端通过定位滑杆固定有顶板，所述顶板的下方通过定位滑杆滑动装配有贴片压板，所述顶板的顶端装配有与贴片压板连接的液压推杆，所述底座的上表面滑动...
    2026-05-01
  • 一种新能源汽车电机控制器结构
    一种新能源汽车电机控制器结构_智新科技股份有限公司_202610241499.8
    本申请涉及一种新能源汽车电机控制器结构，其包括：第一壳体，其内部通过多个隔离件分隔为若干相互独立的屏蔽腔体，屏蔽腔体至少包括滤波器腔、中间器件腔以及三相铜排腔；直流铜排，与第一壳体一体成型，直流铜排的一端伸入滤波器腔，其另一端伸入中间器件腔...
    2026-05-01
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