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最新专利技术
  • 一种便于操作的碳化硅长晶炉设备
    一种便于操作的碳化硅长晶炉设备_上海纯子材料科技有限公司_202610053241.5
    本发明公开了一种便于操作的碳化硅长晶炉设备，涉及碳化硅长晶炉设备技术领域。本发明包括工作台，工作台上表面固定有长晶炉体，长晶炉体的顶部配合设置有顶盖；位于长晶炉体一侧的工作台上表面可转动安装丝杆，丝杆的端部转动安装在一横梁上，横梁的端部连接...
    2026-04-18
  • 一种自动清理废液的半导体生产用单晶炉
    一种自动清理废液的半导体生产用单晶炉_常州四杰机械科技有限公司_202610044381.6
    本发明涉及单晶炉技术领域，具体为一种自动清理废液的半导体生产用单晶炉，包括单晶炉主体、驱动组件以及排料阀组。单晶炉主体底部设有排废阀口，排料阀组中的旋流阀滑动套接于排废阀口内侧，并通过排液管与排液舱连通形成废液排放通道。驱动组件包括电机、键...
    2026-04-18
  • 一种垂直液相外延生长方法
    一种垂直液相外延生长方法_武汉高芯科技有限公司_202511939612.1
    本发明涉及一种垂直液相外延生长方法，包括如下步骤：采用垂直液相外延生长方式获得外延片；采用欠饱和状态的生长母液对外延片表面进行回熔处理，以减少外延片表面缺陷；对回熔处理后的外延片进行冷却，得到目标产品。本发明中，采用欠饱和状态的生长母液对外...
    2026-04-18
  • 一种基于二次取向提升中温拉伸性能的单晶高温合金材料及其制备方法和应用
    一种基于二次取向提升中温拉伸性能的单晶高温合金材料及其制备方法和应用_西北工业大学_202610051372.X
    本发明公开了一种基于二次取向提升中温拉伸性能的单晶高温合金材料及其制备方法和应用；对[001]方向的单晶铸件的断面标记二次取向，然后依据已标记的二次取向沿与二次取向成0o‑45o的方向切取单晶合金片，将单晶合金片进行热处理即得单晶高温合金材...
    2026-04-18
  • 一种降低半绝缘型碳化硅材料光学吸收的方法
    一种降低半绝缘型碳化硅材料光学吸收的方法_江苏天科合达半导体有限公司_202610047321.X
    本发明提供了一种降低半绝缘型碳化硅材料光学吸收的方法。该方法采用依次包括低温预处理、高温修复和梯度冷却的多阶段退火工艺，其中，低温预处理消除应力，高温修复针对性去除点缺陷，梯度冷却避免新缺陷产生，三者协同作用，有效减少碳化硅晶体中的缺陷数量...
    2026-04-18
  • 一种用于缺陷调控的氧化镓单晶的热处理方法
    一种用于缺陷调控的氧化镓单晶的热处理方法_清华大学_202511851013.4
    本发明涉及一种用于缺陷调控的氧化镓单晶的热处理方法。该氧化镓单晶的快速热处理方法，包括以下步骤：1)样品准备步骤；2)预处理步骤；3)退火步骤。本发明采用短时间快速升降温的处理策略，既可实现对缺陷谱系的精准控制，又可避免晶格热损伤及杂质扩散...
    2026-04-18
  • 一种富碲夹杂碲锌镉晶片的退火方法及退火装置
    一种富碲夹杂碲锌镉晶片的退火方法及退火装置_武汉高芯科技有限公司_202511836485.2
    本发明涉及半导体材料制造技术领域，具体涉及一种富碲夹杂碲锌镉晶片的退火方法及退火装置，包括如下步骤：S1、先将镉源装入退火坩埚内的一端，再将富碲夹杂碲锌镉晶片装入退火坩埚内的另一端，然后对退火坩埚进行真空封管；S2、将封管后的退火坩埚装入退...
    2026-04-18
  • 一种卤化物闪烁晶体的生长方法
    一种卤化物闪烁晶体的生长方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202610288991.0
    本发明提供了一种卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明首先在地面条件下通过加热固相脱水处理与熔铸工艺，将松散原料制备成高纯度、高致密度的预制单晶；然后将预制单晶装入“铂金‑石英‑陶瓷”三级复合封装组件，具体的，本发明利用内层...
    2026-04-18
  • 分子层数可控的二维有机晶体图案化生长方法
    分子层数可控的二维有机晶体图案化生长方法_苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司_202311855595.4
    本申请公开了一种分子层数可控的二维有机晶体图案化生长方法，包括在氧化硅基底表面制备光刻胶网格状图案，光刻胶网格状图案包括阵列排布的露出氧化硅基底表面的若干镂空部；对氧化硅基底进行表面亲水修饰；将C8‑BTBT和C10‑BTBT混合溶解至挥发...
    2026-04-18
  • 一种亲油性好的改性晶须、阻燃电池隔膜及制备方法和应用
    一种亲油性好的改性晶须、阻燃电池隔膜及制备方法和应用_河北金力新能源科技股份有限公司_202610016680.9
    本发明涉及电池隔膜技术领域，提出了一种亲油性好的改性晶须、阻燃电池隔膜及制备方法和应用。一种亲油性好的改性晶须，亲油性好的改性晶须包括以下重量份组分原料：无机镁盐晶须100份、表面活性剂0.2~1份、偶联剂0.5~3份，偶联剂为铝钛复合偶联...
    2026-04-18
  • 一种非阿基米德马赛克晶格结构及其化合物材料
    一种非阿基米德马赛克晶格结构及其化合物材料_上海交通大学_202610051536.9
    本发明属于凝聚态物理与量子材料领域，公开了一种非阿基米德马赛克晶格结构及其化合物材料。所述晶格为由至少三种不同类型的几何形状(含三角形、四边形和五边形等)在二维平面内通过共边或共角方式密排拼接而成的周期性网络，突破传统阿基米德晶格框架。首次...
    2026-04-18
  • 一种CuInTe2基热电半导体晶体及其制备方法
    一种CuInTe2基热电半导体晶体及其制备方法_乌镇实验室_202512041274.6
    本发明提供了一种CuInTe2基热电半导体晶体及其制备方法，属于半导体晶体领域。CuInTe2基热电半导体晶体的原料包括单质Cu、单质In、单质Te，其中，单质Cu、单质In、单质Te的摩尔比为1 : (0.8‑1.2) : (2‑2.2)...
    2026-04-18
  • 一种银铟碲基半导体晶体及其制备方法
    一种银铟碲基半导体晶体及其制备方法_乌镇实验室_202511805015.X
    本发明涉及半导体晶体领域，公开了一种银铟碲基半导体晶体及其制备方法，该技术方案将单质银、单质铟和单质碲放入坩埚内真空密封，再将坩埚置于摇摆炉中熔融制成原料，再将原料真空密封在坩埚中，将密封的坩埚进行垂直熔融生长制成银铟碲基半导体晶体，垂直熔...
    2026-04-18
  • 一种以硅-二氧化硅为基底的CVD生长碲化银单晶的方法
    一种以硅-二氧化硅为基底的CVD生长碲化银单晶的方法_上海理工大学_202511232245.1
    本发明提出一种以硅‑二氧化硅为基底的CVD生长碲化银单晶的方法，用于制备单晶Ag2Te，涉及二维材料制备技术领域，其步骤包括：通过固相烧结法合成多晶Ag2Te前驱体：将Ag粉末与Te粉末按化学计量比混合，在马弗炉中进行密封反应，生成多晶Ag...
    2026-04-18
  • 一种用于GaN生长炉的下置升降式衬底传输机械装置
    一种用于GaN生长炉的下置升降式衬底传输机械装置_山东晶镓半导体有限公司_202512050286.5
    本发明提出了一种用于GaN生长炉的下置升降式衬底传输机械装置，包括升降机构和密封组件，升降机构包括升降杆和用于驱动升降杆移动的驱动设备，升降杆顶端滑动穿过生长炉底端延伸至生长炉内，且升降杆顶端设有承载托盘模块，密封组件包括波纹管和双密封圈，...
    2026-04-18
  • 一种碳化硅晶体的生长装置
    一种碳化硅晶体的生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610199202.6
    本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置，涉及碳化硅晶体技术领域。碳化硅晶体的生长装置包括：坩埚主体；位于坩埚主体内部的环形气腔结构；位于坩埚主体开口处的坩埚盖；固定在坩埚盖上的籽晶；在垂直于坩埚盖所在平面的方向上，环形气腔结构的正投影覆盖籽晶...
    2026-04-18
  • 单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片
    单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片_青海晶科能源有限公司_202610202440.8
    本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片。该单晶炉包括导流筒和坩埚，导流筒位于坩埚的顶侧；还包括调节机构，该调节机构具有第一调节件和第二调节件，第一调节件一端可转动连接于导流筒底部外侧壁，另一端可转动连接于第二调节...
    2026-04-18
  • 一种纵向螺旋式HFCVD金刚石沉积系统及沉积方法
    一种纵向螺旋式HFCVD金刚石沉积系统及沉积方法_中材人工晶体研究院有限公司济南金刚石分公司_202512009738.5
    本发明公开了一种纵向螺旋式HFCVD金刚石沉积系统及沉积方法，沉积系统包括位于基体侧部的多个螺旋灯丝，螺旋灯丝沿竖直方向设置，多个螺旋灯丝沿横向呈等距分布，螺旋灯丝的两端分别与预拉伸结构相连，螺旋灯丝远离基体的一侧与支撑结构相连；预拉伸结构...
    2026-04-18
  • 一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法
    一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511810020.X
    本发明公开了一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法，该设备包括炉体、外管和内管，它们依次嵌套设置并形成反应室，在反应室内连通有用于输送ClF3气体和氮气的第五进气管。该工艺方法，包括向设备的反应室中通入ClF3气体对反...
    2026-04-18
  • 一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法
    一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法_西安电子科技大学_202511931930.3
    本发明公开了一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法，属于半导体领域，包括提供金刚石衬底；对金刚石衬底进行光刻处理，以在金刚石衬底的上表面光刻形成点阵图案，点阵图案中相邻两个点之间的距离等于外电场频率对应的波长；采用刻蚀工艺或者离子...
    2026-04-18
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