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最新专利技术
  • 一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构
    一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构_北京卫星制造厂有限公司_202511849549.2
    本发明公开一种基于柔性板底部填充的GaN器件双面散热结构，GaN器件通过焊点与陶瓷基板电气互连，GaN器件与陶瓷基板间的电气互连采用纳米金属材料烧结工艺；GaN器件底部电极之间烧结柔性绝缘覆铜板，柔性绝缘覆铜板位于GaN器件和陶瓷基板之间；...
    2026-05-01
  • 一种高效散热的HPD功率模块
    一种高效散热的HPD功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511929210.3
    本发明涉及功率模块技术领域，特别涉及一种高效散热的HPD功率模块。所述高效散热的HPD功率模块包括散热组件，模块组件，以及外壳。所述散热组件包括第一底板，第二底板，第三底板，散热基板，以及散热翅片。所述第二底板设置有进液流道和出液流道，所述...
    2026-05-01
  • 一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法
    一种基于硅基碳化硅中介层的封装结构及其制备方法_武汉理工大学_202610004766.X
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于硅基碳化硅中介层的CoWoS封装结构及其制备方法，硅基碳化硅中介层包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底双面经抛光处理且其中一面外延生长有3C‑SiC散热层，在单晶硅衬底上布满硅通孔。本发明的CoWoS...
    2026-05-01
  • 一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺
    一种集成电路芯片封装结构及其制造工艺_江苏荧磁半导体有限公司_202610096344.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种集成电路芯片封装结构，包括基座与环氧树脂，基座上方设有芯片，芯片两侧设有多组用于为芯片提供工作电压的引脚，基座与引脚之间设有用于固定芯片的粘接层，芯片上方设有多组用于散热的翅片，翅片下方设有用于传导热...
    2026-05-01
  • 芯片封装结构和电子设备
    芯片封装结构和电子设备_上海艾为微电子技术有限公司_202610116165.8
    本申请公开一种芯片封装结构和电子设备；芯片封装结构包括：芯片、引线框架、第一导热引线和封装层；芯片与引线框架电连接；芯片的至少部分表面被封装层包覆；第一导热引线的至少部分位于封装层内，且第一导热引线的第一端与引线框架连接，第一导热引线的第二...
    2026-05-01
  • 一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件
    一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件_许继电气股份有限公司_202512012239.1
    本发明提供了一种复合式散热器、功率半导体器件散热系统及换流阀组件，属于半导体器件散热技术领域。复合式散热器包括基板，基板内部设有冷却液流道，基板表层设有相变工质流道；相变工质的沸点大于功率半导体器件稳态工况下基板表层的温度，且小于功率半导体...
    2026-05-01
  • 一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法
    一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610009285.8
    本发明公开了一种自冷却液冷式2.5D芯片共封装方法，属于半导体封装技术领域，该方法先采用CoWoS‑TIV制程制备含高深宽比微通道结构及第一键合件的芯片封装结构，再制备含歧管结构及第二键合件的芯片封装盖板结构，二者键合形成含微流道系统的密封...
    2026-05-01
  • 用于大功率器件的双面散热器
    用于大功率器件的双面散热器_苏州毫厘电子技术股份有限公司_202610019804.9
    本发明提供一种用于大功率器件的双面散热器，双面散热器包括：进液孔和出液孔；上部通道，上部通道的进液端连通进液孔；下部通道，下部通道位于上部通道的下方，且其出液端连通出液孔，上部通道和下部通道均能够对大功率器件进行散热；转接通道，转接通道包括...
    2026-05-01
  • 一种周期性不对称特斯拉微通道两相冷板及其制造方法
    一种周期性不对称特斯拉微通道两相冷板及其制造方法_东南大学_202610171558.9
    本发明公开了一种周期性不对称特斯拉微通道两相冷板及其制备方法，冷板包括盖板、基板、不对称特斯拉微通道及分液腔；盖板与基板盖合形成密封结构，盖板两侧设工质进出口；基板中间设若干平行等间距的不对称特斯拉微通道；不对称特斯拉微通道由上下两侧周期性...
    2026-05-01
  • 具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法
    具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法_意法半导体国际公司_202511485703.2
    本发明涉及具有降低空间电荷效应的金属屏蔽的电子器件及其制造方法。一种半导体裸片包括半导体衬底和在半导体衬底上延伸的介电层。高压模块在半导体衬底上延伸。金属保护环延伸到介电层中并且完全环绕高压模块。裸片进一步包括延伸到保护环的外部的至少一个电...
    2026-05-01
  • 一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法
    一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法_广东工业大学_202511878797.X
    一种用于芯片表面构建电磁屏蔽铜薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S100、将铜盐与还原剂按一定质量比混合并进行匀质处理，制得铜前驱体油墨；S200、将所述铜前驱体油墨沉积于芯片表面形成油墨层；S300、对所述油墨层进行烧结处理，形成致密...
    2026-05-01
  • 一种抗辐照大电流SiC器件封装结构
    一种抗辐照大电流SiC器件封装结构_重庆大学_202610060709.3
    本发明公开了一种抗辐照大电流SiC器件封装结构，属于功率半导体封装技术领域。其包括至少两个子单元模块、微型共模电感、互连铜柱及环形流道散热器；子单元模块含上下半桥臂与并联SiC MOSFET芯片，微型共模电感集成于驱动回路，互连铜柱连接子单...
    2026-05-01
  • 一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法
    一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法_广东长兴半导体科技有限公司_202610326671.X
    为克服现有3D堆叠封装芯片存在芯片间电磁干扰和散热不良的问题，本发明提供了一种抗电磁干扰的多芯片堆叠封装结构及其制备方法，多芯片堆叠封装结构包括芯片载板、第一芯片、第二芯片、封装胶层和复合磁屏蔽片，所述第一芯片位于所述芯片载板上，所述复合磁...
    2026-05-01
  • 一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法
    一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法_复旦大学_202511949391.6
    本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过静电屏蔽提升铁电存储器读写操作可靠性的方法。本发明是在铁电存储器的铁电材料与电极界面区域引入静电屏蔽导电结构，以加快界面层电荷注入速度，降低铁电退极化场，实现铁电存储器在快速操作过程中正负写电压...
    2026-05-01
  • 用于芯片的过流保护开关和芯片
    用于芯片的过流保护开关和芯片_深圳奥简科技有限公司_202511913411.4
    本申请提供了一种用于芯片的过流保护开关和芯片，该过流保护开关包括：第一加热件、限流件和第二加热件，第一加热件用于连接输送电流的第一电极；限流件上设置第一加热件，限流件的有效宽度的范围为0.5μm‑10μm，限流件的有效长度的范围为：1μm‑...
    2026-05-01
  • 一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法
    一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法_江苏瀚思瑞半导体科技有限公司_202511954494.1
    本发明公开了一种带铜引脚陶瓷基板的制作方法，包括如下步骤：S1，无氧铜箔超声清洗，后续进行粗化处理；S2，通过蚀刻、冲压或者激光切割的方式，去除无氧铜箔表面的对应区域，形成多个窄铜条作为铜引脚的图形化结构；S3，在陶瓷基片上预先形成镂空区域...
    2026-05-01
  • 一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法
    一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511999477.X
    本发明公开了一种嵌入式异质芯片混合系统级封装的制作方法，包括以下步骤：S1，制备基板，利用介电材料制备多层封装基板结构，且多层封装基板内部和表面设有金属线路，多层封装基板中嵌设有有铜柱；S2，设置金属罩，在多层封装基板表面设置金属罩；S3，...
    2026-05-01
  • 磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺
    磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610005016.4
    本发明公开了一种磁控式防倾斜铜针结构及其封装工艺，包括以下步骤：S1、提供多个铜针，每一所述铜针的一端形成有一铁磁性金属层；S2、在基板上的焊点处形成锡膏层；S3、在施加一第一磁场的环境中，将所述铜针转移至所述基板上，使所述铜针以其设有所述...
    2026-05-01
  • 封装器件及其形成方法
    封装器件及其形成方法_江阴长电先进封装有限公司_202610010407.5
    本发明涉及一种封装器件及其形成方法。所述封装器件的形成方法，包括如下步骤：形成封装体，所述封装体包括相对分布的第一主面和第二主面，且所述封装体包括芯片以及塑封所述芯片的主塑封层，且所述芯片暴露于所述封装体的所述第一主面；于所述封装体的所述第...
    2026-05-01
  • 封装结构及其封装方法
    封装结构及其封装方法_长电科技(江阴)有限公司_202610020402.0
    本发明提供一种封装结构及其封装方法，所述封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板包括绝缘边筋区域以及被所述绝缘边筋区域包围的导电功能区域；于所述导电功能区域正面形成封装组件；于所述绝缘边筋区域背面形成背面导电层，所述背面导电层与所述导电功能...
    2026-05-01
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