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最新专利技术
  • 研磨树脂膜的方法及制造电路连接体的方法
    研磨树脂膜的方法及制造电路连接体的方法_株式会社力森诺科_202480026255.7
    一种研磨树脂膜的方法，包括：通过热处理使包含具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物的热硬化性树脂膜半硬化；以及在供给包含二氧化硅粒子的研磨剂的同时通过化学机械研磨对半硬化的树脂膜进行研磨。一种制造电路连接体的方法，包括研磨树脂膜。
    2026-04-18
  • 用于减轻半导体切割中的裂缝蜿蜒的系统及方法
    用于减轻半导体切割中的裂缝蜿蜒的系统及方法_美光科技公司_202480052415.5
    本文中公开用于减轻裂缝蜿蜒的系统及方法。在一些实施例中，所述方法包含在晶片的上表面的计划刻划区上方形成金属层，接着选择性地图案化及/或蚀刻所述金属层以在所述计划刻划区上方形成多个隔离线。接着，所述方法可包含将钝化材料沉积于所述多个隔离线上方...
    2026-04-18
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480059356.4
    由设于腔室的底面上的基板保持装置保持基板。由刷臂保持的刷装置被按压到基板上而对基板进行清洗。在刷臂中，刷装置由刷装置保持体保持，该刷装置保持体由刷支承轴、第1连结部件、第2连结部件及旋转支承机构连结而成。保持刷装置的刷装置保持体还由双动式气...
    2026-04-18
  • 经由侧面气体注入进行目标气体输送
    经由侧面气体注入进行目标气体输送_应用材料公司_202480056728.8
    本公开内容提供一种用于处理基板的设备和方法。所述设备包括限定处理体积的腔室主体。所述设备进一步包括底环和安置在处理体积中的基板支撑件。气源组件与腔室主体的入口流体连通。排气组件与腔室主体的出口流体连通。侧面注入组件与第一气源流体连通，其中侧...
    2026-04-18
  • 半导体制造设备的前级管线阀清洗设备及用于其的等离子体发生装置
    半导体制造设备的前级管线阀清洗设备及用于其的等离子体发生装置_LOTCES有限公司_202580004585.0
    根据本发明，提供一种等离子体发生装置，是在具有工艺腔室、供从所述工艺腔室排出的排出气体流动的腔室排气管及设置在所述腔室排气管上以调节所述腔室排气管的内部压力的压力调节阀的半导体制造设备中，在所述腔室排气管上设置于所述压力调节阀的上游以产生用...
    2026-04-18
  • 将气体分配到容器的方法及装置
    将气体分配到容器的方法及装置_恩特格里斯公司_202480058038.6
    提供一种用于控制到衬底容器中的冲洗气体的流的方法及冲洗流分配模块。所述冲洗流分配模块包含冲洗模块，所述冲洗模块包括用于接收冲洗气体的流的入口、用于调节所述冲洗气体的流动方向的止回阀、过滤器及过滤器保持器。扩散器保持器及扩散装置可附接到所述过...
    2026-04-18
  • 基板搬运机器人系统以及基板检测方法
    基板搬运机器人系统以及基板检测方法_川崎重工业株式会社_202480058403.3
    该基板搬运机器人系统(100)具备：机器人(20)，搬运基板(101)；照射部(50)，对保持于机器人(20)的基板(101)的主表面(101a)照射具有规定形状的检测光(L1)；拍摄部(40)，通过拍摄基板(101)来拍摄在基板(101)...
    2026-04-18
  • 经掺杂类金刚石碳
    经掺杂类金刚石碳_应用材料公司_202480058149.7
    本公开内容提供处理基板的方法。方法包括将包括烃化合物的沉积气体流入处理腔室的处理容积，处理容积具有定位在静电卡盘上的基板。通过将第一RF偏压施加至静电卡盘在基板处产生等离子体，以在基板上沉积类金刚石碳膜。类金刚石碳膜被金属掺杂物掺杂以形成经...
    2026-04-18
  • 半导体装置
    半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480058874.4
    [问题]提供有利于实现以下的技术：设置有具有期望的配线结构和良好电特性的通孔电极和配线层的半导体装置，以及这种半导体装置的制造方法。[解决方案]该半导体装置包括在堆叠方向上布置的第一半导体基板、第二半导体基板和第三半导体基板，并且所述第一半...
    2026-04-18
  • 自对准背侧互连件
    自对准背侧互连件_高通股份有限公司_202480057844.1
    公开了用于半导体结构的技术。在一方面，一种半导体结构包括栅极堆叠，该栅极堆叠沿着第一方向在该半导体结构的前部分中延伸，该栅极堆叠包括第一栅极结构；第一沟道结构，该第一沟道结构设置在整个第一栅极结构上并且沿着第二方向延伸；第一源极/漏极(S/...
    2026-04-18
  • 在发热电气部件和散热器之间的连接元件以及包括该连接元件的电路板
    在发热电气部件和散热器之间的连接元件以及包括该连接元件的电路板_布鲁萨电子公司_202480059139.5
    本发明涉及一种在发热电气部件(101)和散热器(102)之间的连接元件(100)。该连接元件的特征在于，所述连接元件(100)由至少三个材料层分层构造，其中，第一材料层(103)由导热且电绝缘的第一材料组成，并且具有用于所述发热电气部件(1...
    2026-04-18
  • 用于冷却功率电子装置的功率电子冷却器、功率电子装置以及逆变器
    用于冷却功率电子装置的功率电子冷却器、功率电子装置以及逆变器_舍弗勒技术股份两合公司_202480058713.5
    本发明涉及用于冷却功率电子装置的功率电子冷却器(KL)，该功率电子冷却器具有：‑冷却器表面(O1)，供冷却剂沿流动方向(SR)流过，该表面具有在流动方向(SR)上延伸的中央表面条带(S1)和彼此平行延伸并且平行于中央表面条带(S1)延伸的两...
    2026-04-18
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380102077.7
    本发明的目的在于提供一种能够抑制在回流焊时熔融的焊料的流出、并抑制半导体装置的制造成本的上升的技术。半导体装置的制造方法包括：将在俯视下呈框状的半导体搭载基板定位夹具安装到底板上的工序；在安装于底板上的半导体搭载基板定位夹具的框架内的配置半...
    2026-04-18
  • 包括具有带有竖直壁的过孔互连件的基板的封装件
    包括具有带有竖直壁的过孔互连件的基板的封装件_高通股份有限公司_202480058366.6
    一种基板，该基板包括：至少一个电介质层；和多个互连件，该多个互连件至少部分地位于至少一个电介质层中，其中该多个互连件包括多个过孔互连件，并且其中该多个过孔互连件包括第一过孔互连件，该第一过孔互连件包括大致竖直的第一过孔壁。
    2026-04-18
  • 具有耦合到管芯的两侧的单构件导电引线的半导体设备、用于形成半导体设备的方法和包含半导体设备的系统
    具有耦合到管芯的两侧的单构件导电引线的半导体设备、用于形成半导体设备的方法和包含半导体设备的系统_硅尼克斯公司_202380099116.2
    一种半导体设备包括：壳体；管芯，该管芯设置在壳体中并且具有第一表面和第二表面；第一单构件导电引线，该第一单构件导电引线电耦合到第一表面并且延伸穿过壳体；以及第二单构件导电引线，该第二单构件导电引线电耦合到第二表面并且延伸穿过壳体。与现有的半...
    2026-04-18
  • 将半导体元件键合至基板的方法
    将半导体元件键合至基板的方法_库利克和索夫工业公司_202480058673.4
    提供一种将半导体元件键合至基板的方法。所述方法包含以下步骤：(a)在与所述基板分离的位置处提供所述半导体元件，所述半导体元件包含多个传导结构，所述传导结构中的每一个包含接触部分；(b)在所述位置处加热所述半导体元件，使得所述接触部分处于熔化...
    2026-04-18
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_中央硝子株式会社_202480059193.X
    本发明提供了一种能够抑制半导体芯片等被接合部件的位置偏移的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其包括：干燥膜形成工序，将形成于被接合部件A上的含金属和/或金属氧化物糊干燥，形成储能模量为15GPa以下的干燥膜；以及临时...
    2026-04-18
  • 具有隔离式裸片的封装
    具有隔离式裸片的封装_德州仪器公司_202480058879.7
    一种晶片芯片尺寸封装(WCSP)(104)包括：第一裸片(200)和第二裸片(202)，其处于不同电压域中；及隔离材料(204)，其位于所述第一裸片与所述第二裸片之间且接触所述第一裸片和所述第二裸片中的每一个的多个表面。所述封装还包括接触所...
    2026-04-18
  • 布线结构体以及电子模块
    布线结构体以及电子模块_京瓷株式会社_202480059065.5
    布线结构体具有第一布线基板、第二布线基板和将第一布线基板与第二布线基板连接的第一连接构件。第一布线基板具有第一构件、第二构件和第一导体部。第二布线基板具有第一绝缘层和第二导体部。第一绝缘层具有第一面和第二面。第一构件具有第一顶面和第一侧面。...
    2026-04-18
  • 配置有附加功能的功率封装
    配置有附加功能的功率封装_沃孚半导体公司_202480056127.7
    一种器件，包括功率衬底以及在功率衬底上的第一功率器件。壳体具有壳体侧部，该壳体侧部至少包括第一壳体侧部和第二壳体侧部，壳体被配置为至少容纳功率衬底和第一功率器件。多个功率端子从壳体侧部中的至少一个延伸。多个功率端子至少包括第一功率端子和第二...
    2026-04-18
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