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  • 本发明公开了白光灯珠制备方法和白光灯珠,白光灯珠制备方法包括以下步骤:制作蓝绿光芯片;将预设数量的蓝绿光芯片固定连接在支架碗杯内;在碗杯内的蓝绿光芯片上方点一层荧光胶并等待荧光胶固化,荧光胶由KSF荧光粉和胶水混合得到;在荧光胶上方点一层红...
  • 本发明公开了一种集成式灰阶微纳结构LED芯片及制备方法,涉及芯片制造技术领域,其中,该芯片包括衬底、外延发光层和灰阶微纳结构。通过在外延发光层表面直接集成参数连续渐变的灰阶微纳结构,将复杂的光场调控功能从外部宏观透镜内置化于芯片自身,灰阶微...
  • 本申请提供一种高良率、高亮度的LED封装器件及发光模组,LED封装器件包括载板、倒装LED芯片、透明粘结层、玻璃荧光片和光反射层,倒装LED芯片设置在载板上,倒装LED芯片具有一主出光面;透明粘结层设置在主出光面上;玻璃荧光片设置在透明粘结...
  • 本申请提供一种发光元件及发光装置,发光元件以出光侧为正面,与正面相对的一侧为背面,发光元件包括基板、芯片结构层和荧光膜层。芯片结构层背面与基板键合,芯片结构层的正面一侧设置有外延叠层。荧光膜层覆盖于外延叠层的正面,其中,荧光膜层的正面通过压...
  • 本发明公开一种发光封装结构及其制造方法。所述发光封装结构包含一基板、一发光模块及一包覆体。所述基板具有彼此相反的一第一顶面及一第一底面以及多个第一侧面。一第一导电层形成于所述第一顶面且一第二导电层形成于。所述发光模块是设置于所述第一导电层。...
  • 本申请提供一种发光元件及发光装置,发光元件以出光侧为正面,包括外延结构、第一电极、电流阻挡层、第一及第二反射层、金属阻挡层和基板。外延结构自正面至背面包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层,第一电极设于外延结构正面并与第一半导体层...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括半导体叠层,半导体叠层具有分别露出第一半导体层的第一台面以及露出第二半导体层的第二台面;电流阻挡层,设置于第二半导体层的第二台面之上,电流阻挡层包括由第一介质层与第二介质层交替堆叠构成的...
  • 本发明涉及光电子制造技术领域,具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括:衬底,层叠于衬底上的外延层、反射层、第一绝缘层、P型电极、N型电极、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层;P型电极和N型电极呈交叉指状分布,且位于发光...
  • 本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置,发光二极管封装体包括支架层,多个发光单元,填充层及布线层。每一个所述发光单元均包括第一电极和第二电极,第一电极具有向所述出光侧凹陷的第一凹陷部;填充层,位于支架层的第一表面上方,并且填充至发光单元之...
  • 本发明提供一种LED芯片和发光装置,本申请的LED芯片中包括绝缘层,该绝缘层至少覆盖LED芯片的部分出光面,在远离出光面的方向上,绝缘层包括依次叠置的第一子层和第二子层,第一子层的折射率小于第二子层的折射率。上述第一子层和第二子层的设置,能...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管沿其俯视方向划分为相对设置的N侧区域与P侧区域,包括半导体叠层、第一绝缘层、第一连接电极、第二连接电极、第一焊盘电极和第二焊盘电极;其中第一连接电极包括位于N侧区域的主体部分以及朝向P侧区域...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,发光二极管沿其俯视方向划分为相对设置的N侧区域与P侧区域,该发光二极管包括半导体叠层、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极;其中第一绝缘层开设N开口部与P开口部,第一连接电极包括位于N侧区域的主体部分...
  • 本申请属于半导体制造技术领域,提供一种发光二极管、制备方法及显示装置,发光二极管包括基板、半导体叠层和第一电极,半导体叠层位于基板的正面一侧,包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第二半导体层远离有源层的一侧具有凹凸不平的图形化...
  • 本发明公开了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括半导体叠层,半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面,第一台面露出部分第一半导体层。绝缘层覆盖半导体叠层,且绝缘层对应于第一台面的区域具有第一开口,绝缘层对应于第二台面的区域具有第...
  • 本发明提供一种电子装置,包括第一基板、第二基板、第一发光单元、以及黏着层。第二基板相对于第一基板设置。第一发光单元设置于第一基板与第二基板之间。第一发光单元的第一表面具有第一微结构,第一表面远离第一基板。黏着层设置于第二基板与第一发光单元的...
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层;其中,所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型G...
  • 本发明提供一种LED芯片及其制造方法及半导体发光装置,半导体外延叠层的侧壁处形成有电流约束层,沿半导体外延叠层的堆叠方向,该电流约束层至少覆盖至有源层的侧壁。上述电流约束层能够与半导体外延叠层侧壁处的非饱和键键合,形成晶体构型连续的异质界面...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层;P型半导体层包括位于有源层之上的P型插入层,P型插入层中的Al组分不低于50%;位于P型插入层之上的P型接触层,P型接触层为P型掺杂的超晶格...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,发光层设置在第一半导体层上,第二半导体层设置在发光层上,其中,发光层包括交替堆叠的量子垒层和量子阱层,量子阱层和量子垒层均为含Al的半...
  • 本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,涉及封装技术领域,包括封装机;封装机架体内顶部通过螺栓固定安装有具备调节作用的三轴调节件,且三轴调节件具体由三轴式的气动滑座和安装座组成,通过动态调节第二电磁套环电流,实现了对二极管引脚的柔性...
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