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  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括半导体叠层,半导体叠层具有分别露出第一半导体层的第一台面以及露出第二半导体层的第二台面;电流阻挡层,设置于第二半导体层的第二台面之上,电流阻挡层包括由第一介质层与第二介质层交替堆叠构成的...
  • 本发明涉及光电子制造技术领域,具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括:衬底,层叠于衬底上的外延层、反射层、第一绝缘层、P型电极、N型电极、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层;P型电极和N型电极呈交叉指状分布,且位于发光...
  • 本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置,发光二极管封装体包括支架层,多个发光单元,填充层及布线层。每一个所述发光单元均包括第一电极和第二电极,第一电极具有向所述出光侧凹陷的第一凹陷部;填充层,位于支架层的第一表面上方,并且填充至发光单元之...
  • 本发明提供一种LED芯片和发光装置,本申请的LED芯片中包括绝缘层,该绝缘层至少覆盖LED芯片的部分出光面,在远离出光面的方向上,绝缘层包括依次叠置的第一子层和第二子层,第一子层的折射率小于第二子层的折射率。上述第一子层和第二子层的设置,能...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管沿其俯视方向划分为相对设置的N侧区域与P侧区域,包括半导体叠层、第一绝缘层、第一连接电极、第二连接电极、第一焊盘电极和第二焊盘电极;其中第一连接电极包括位于N侧区域的主体部分以及朝向P侧区域...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,发光二极管沿其俯视方向划分为相对设置的N侧区域与P侧区域,该发光二极管包括半导体叠层、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极;其中第一绝缘层开设N开口部与P开口部,第一连接电极包括位于N侧区域的主体部分...
  • 本申请属于半导体制造技术领域,提供一种发光二极管、制备方法及显示装置,发光二极管包括基板、半导体叠层和第一电极,半导体叠层位于基板的正面一侧,包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第二半导体层远离有源层的一侧具有凹凸不平的图形化...
  • 本发明公开了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括半导体叠层,半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面,第一台面露出部分第一半导体层。绝缘层覆盖半导体叠层,且绝缘层对应于第一台面的区域具有第一开口,绝缘层对应于第二台面的区域具有第...
  • 本发明提供一种电子装置,包括第一基板、第二基板、第一发光单元、以及黏着层。第二基板相对于第一基板设置。第一发光单元设置于第一基板与第二基板之间。第一发光单元的第一表面具有第一微结构,第一表面远离第一基板。黏着层设置于第二基板与第一发光单元的...
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层;其中,所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型G...
  • 本发明提供一种LED芯片及其制造方法及半导体发光装置,半导体外延叠层的侧壁处形成有电流约束层,沿半导体外延叠层的堆叠方向,该电流约束层至少覆盖至有源层的侧壁。上述电流约束层能够与半导体外延叠层侧壁处的非饱和键键合,形成晶体构型连续的异质界面...
  • 本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层;P型半导体层包括位于有源层之上的P型插入层,P型插入层中的Al组分不低于50%;位于P型插入层之上的P型接触层,P型接触层为P型掺杂的超晶格...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,发光层设置在第一半导体层上,第二半导体层设置在发光层上,其中,发光层包括交替堆叠的量子垒层和量子阱层,量子阱层和量子垒层均为含Al的半...
  • 本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,涉及封装技术领域,包括封装机;封装机架体内顶部通过螺栓固定安装有具备调节作用的三轴调节件,且三轴调节件具体由三轴式的气动滑座和安装座组成,通过动态调节第二电磁套环电流,实现了对二极管引脚的柔性...
  • 本发明提供一种垂直结构LED图形化P型欧姆反射电极的制备方法,包括以下步骤:提供LED外延片,LED外延片包括衬底和依次层叠于衬底上的N型半导体层、活性层和P型半导体层;激活P型半导体层;在P型半导体层上整面沉积绝缘材料;在绝缘材料上光刻形...
  • 本发明公开了一种LED灯珠封装装置及方法,涉及LED灯珠封装技术领域,包括脱泡组件,所述脱泡组件包括负压桶,负压桶的底部转动安装有侧齿齿轮,负压桶的内部转动安装有波轮盘,波轮盘上固定安装有排气管,排气管的顶部固定安装有遮挡透气帽。本发明可以...
  • 本申请公开了太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面具有平整结构以及相对于平整结构内凹的若干凹槽结构,平整结构和凹槽结构的表面设有若干凸起微结构,凸起微结构在凹槽结构的表面的面积占比高于凸起微结构在平整结构的表面...
  • 本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法和应用。该背接触太阳能电池包括硅衬底,硅衬底包括相对的正面和背面,正面为绒面结构;在第一方向上,背面包括交替排布的第一型区域和第二型区域,且相邻的第一型区域和第二型区域之间设置间隔区;第一方向为垂直...
  • 本发明提供了一种探测波长可调的锗光电探测器,属于光电传感器技术领域。该锗光电探测器包括:锗探测器层,包括依次堆叠的衬底层、PIN结构层和锗吸收层,锗吸收层位于PIN结构层的本征区上方;隔离层,形成于锗探测器层上方,隔离层形成有凹槽和两个第一...
  • 本发明提供一种具有非对称反射的布拉格反射器、太阳电池,该布拉格反射器包括多个沿其厚度方向依次设置的周期单元,每个周期单元包括若干周期材料层,同一周期单元的周期材料层的厚度相同;不同周期单元的周期材料层的厚度不同,用于反射不同波长区域的光子。...
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