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最新专利技术
  • 一种具有非对称反射的布拉格反射器、太阳电池
    一种具有非对称反射的布拉格反射器、太阳电池_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512029613.9
    本发明提供一种具有非对称反射的布拉格反射器、太阳电池，该布拉格反射器包括多个沿其厚度方向依次设置的周期单元，每个周期单元包括若干周期材料层，同一周期单元的周期材料层的厚度相同；不同周期单元的周期材料层的厚度不同，用于反射不同波长区域的光子。...
    2026-05-01
  • 一种用于光伏组件间隙的彩色贴膜
    一种用于光伏组件间隙的彩色贴膜_无锡市羿可成新材料有限公司_202310620637.X
    本发明公开了一种用于光伏组件间隙的彩色贴膜，包括反射层、基材层、二次反射层、粘结层，所述反射层上端固定连接基材层，所述基材层上端固定连接二次反射层，所述二次反射层上端固定连接粘结层，所述反射层朝向电池片面，所述反射层涂料高反效果属于漫反射，...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池及光伏电池
    一种太阳能电池及光伏电池_晶科能源(上饶)有限公司_202610106369.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏电池。太阳能电池包括基底、掺杂导电层和栅线，掺杂导电层位于基底的一侧，栅线位于掺杂导电层远离基底的一侧，栅线与掺杂导电层电连接。栅线包括第一层和第二层，第二层的材料与第一层的材料不同...
    2026-05-01
  • 太阳能电池片及太阳能电池子片
    太阳能电池片及太阳能电池子片_天合光能股份有限公司_202512053121.3
    本申请提供了一种太阳能电池片及太阳能电池子片，该太阳能电池片包括硅片和银种子层，其中，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面；设有银种子层的至少一个表面包括第一区域和第二区域，第一区域相对于第二区域更靠近硅片的边缘；银种子层包括若干个间隔分布...
    2026-05-01
  • 一种太阳电池及其制备方法
    一种太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411437085.X
    本申请提供一种太阳电池，包括：铜种子层；铜栅线，设置在所述铜种子层表面上，所述铜栅线设有外突部，所述外突部形成在所述铜栅线的表面上，并沿着背离所述铜种子层的方向突出。本申请提供的太阳电池能够改变铜栅线的形状，以将更多的光线反射至电池片，从而...
    2026-05-01
  • 一种柔性直立石墨烯异质结、制备方法、应用、柔性光电探测器和可穿戴设备
    一种柔性直立石墨烯异质结、制备方法、应用、柔性光电探测器和可穿戴设备_宁波石墨烯创新中心有限公司_202511962083.7
    本发明提供了一种柔性直立石墨烯异质结、制备方法、应用、柔性光电探测器和可穿戴设备，包括层状设置的衬底以及直立石墨烯，所述衬底的材质为Ge且厚度不大于20μm。本发明的柔性直立石墨烯异质结相较技术而言，具备更强的弯曲能力和更高的光电探测能力，...
    2026-05-01
  • 减小光谱串音的中长波双色超晶格结构及其制备方法
    减小光谱串音的中长波双色超晶格结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511895442.1
    本发明提出了一种减小光谱串音的中长波双色超晶格结构及其制备方法，结构包括：由下至上依次设置的衬底层、缓冲层、长波结构层、势垒层、中波结构层、盖层；其中，势垒层为InAs0.82Sb0.18势垒层，中波结构层采用8 ML InAs /7 ML...
    2026-05-01
  • 一种等离子体金纳米粒子增强的光电探测器及其制备方法
    一种等离子体金纳米粒子增强的光电探测器及其制备方法_重庆邮电大学_202610127114.5
    本发明公开了一种等离子体金纳米粒子增强的光电探测器及其制备方法，属于二维材料与光电器件技术领域。该光电探测器包括绝缘衬底、生长于其上的掺铒二硫化钨薄膜、设置于薄膜表面的电极结构以及通过一层聚甲基丙烯酸甲酯薄膜附着于所述掺铒二硫化钨表面的金纳...
    2026-05-01
  • 太阳能电池板
    太阳能电池板_丰田自动车株式会社_202511456517.6
    本发明提供一种能够降低太阳能电池元件的热应力的太阳能电池板。太阳能电池板具备设置于太阳能电池元件的附近且缓和太阳能电池元件的热应力的应力缓和层。应力缓和层具有：薄板状的主体部件，其形成有多个具有规定图案的贯穿部；及带状的连结部件，其热膨胀系...
    2026-05-01
  • 光伏组件的修复方法、装置及光伏组件
    光伏组件的修复方法、装置及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610388753.7
    本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件的修复方法、装置及光伏组件。该方法包括：获取光伏组件的实际功率以及灰度差，并根据实际功率以及灰度差，确定光伏组件是否存在明暗成像缺陷；在光伏组件存在明暗成像缺陷的情况下，采用长波紫外线对光伏组件...
    2026-05-01
  • 一种大面积Ag2Sb-AgTe横向异质结及其制备方法和应用
    一种大面积Ag2Sb-AgTe横向异质结及其制备方法和应用_昆明理工大学_202610139250.6
    本发明涉及异质结制备技术领域，特别是涉及一种大面积Ag2Sb‑AgTe横向异质结及其制备方法和应用，对银衬底进行溅射处理，加热保温得到银单晶基底；蒸发沉积碲粉末，得到沉积有碲团簇的银单晶基底；进行第一次升温加热，保温处理得到沉积有碲银合金的...
    2026-05-01
  • 一种非转移稀土掺杂二硒化钨异质节光电器件的制备方法
    一种非转移稀土掺杂二硒化钨异质节光电器件的制备方法_重庆邮电大学_202610127126.8
    本发明公开了一种非转移稀土掺杂二硒化钨异质结光电器件及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。该方法包括：对硅基绝缘体上硅衬底进行清洗与氢氟酸活化处理；通过一步化学气相沉积法，以三氧化钨、氯化铒、氯化钠和硒为前驱体，在活化后的衬底硅表面上原...
    2026-05-01
  • 一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池
    一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池_合肥工业大学_202610116507.6
    本发明公开了一种低温硒离子活化处理铜铟硫薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池。本发明通过采用硒离子溶液对旋涂制备的CuInS2薄膜进行处理，从而精准调控旋涂制备的CuInS2薄膜中硒离子的扩散和分布并抑制载流子复合，进而获得能带结构更优、缺陷态...
    2026-05-01
  • 基于硫-硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池
    基于硫-硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池_合肥工业大学_202610116365.3
    本发明公开了一种基于硫‑硒浓度梯度互补技术制备硒硫化锑薄膜的方法及基于该薄膜的太阳电池。本发明创新性地提出了顺序硫‑硒浓度梯度互补技术，通过优先引入硫元素并采用硒离子溶液对水热制备的Sb2(S, Se)3薄膜进行处理，从而精准调控Sb2(S...
    2026-05-01
  • 一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法
    一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法_安徽晶芯科技有限公司_202610109889.X
    本发明公开了一种同时腐蚀zns和碲镉汞的腐蚀方法，涉及芯片制造技术领域，本发明包括以下步骤，提供表面具有硫化锌层和碲镉汞层的芯片，并形成图形化的光刻胶掩膜，暴露待腐蚀区域；将氢溴酸与溴混合后，充分搅拌并静置10~20分钟，得到腐蚀液；将处理...
    2026-05-01
  • 布串方法及布串设备
    布串方法及布串设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610088606.8
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种布串方法及布串设备，该布串方法包括以下步骤：通过上料机构供应电池片；通过定位机构对电池片进行X方向的定位；通过校准机械手拾取定位机构上的电池片并转移至划片机构，其中，在转移过程中，校准机械手对电池片进...
    2026-05-01
  • 布串方法及布串设备
    布串方法及布串设备_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202610087996.7
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种布串方法及布串设备，该布串方法包括以下步骤，采用两个上料机构分别供应电池片；采用两个划片机构分别对电池片进行划片处理以形成A类电池片和B类电池片；第一拾取件拾取A类电池片和B类电池片，并放置于一个第一...
    2026-05-01
  • 用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统
    用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统_扬州大学_202610074286.0
    本发明涉及高效晶硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种用于超薄TOPCon电池的应力协同调控与低损伤制造方法及系统，方法包括提供晶硅硅片；在背面制备钝化接触前驱结构；采用复合传输系统，利用静电吸附固定硅片于高温传输工位，非高温工位则采用微点...
    2026-05-01
  • 一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法
    一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法_昆明物理研究所_202610067678.4
    本发明公开了一种调控碲镉汞外延薄膜残余应力的方法，通过对热处理系统进行模拟测温及温场修正，控制薄膜放置区域内的温差，保证热处理过程薄膜面内的高温场均匀性，抑制由于热处理过程温场不均匀导致的额外应力引入。本发明通过台阶升温和台阶降温过程的设计...
    2026-05-01
  • 硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法
    硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法_天合光能股份有限公司_202610048096.1
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种硼掺杂发射极、TOPcon电池、以及制备方法，旨在解决现有技术中一次沉积形成的硼掺杂p+发射极无法兼顾表面复合速率和接触性能的问题。为此目的，本发明通过在硅衬底的正面至少沉积两层硼硅玻璃层，并在相邻...
    2026-05-01
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