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最新专利技术
  • 一种MicroLED巨量转移装置
    一种MicroLED巨量转移装置_绍兴圆炬科技有限公司_202410082140.1
    本发明公开了一种MicroLED巨量转移装置，包括有设置在XY轴位移平台上方的上载台；所述上载台正下方设置有调平组件；所述调平组件包括有纵向滑动连接在所述XY轴位移平台上的连接盘、设置在所述连接盘正上方的下载台、三个纵向设置在所述连接盘上端...
    2026-05-01
  • 一种显示背板Micro-LED巨量转移装置及转移方法
    一种显示背板Micro-LED巨量转移装置及转移方法_深圳科莱智能显示有限公司_202310635095.3
    本发明公开了一种显示背板Micro‑LED巨量转移装置及转移方法，装置包括固晶组件、覆晶组件和外加温度场装置；外加温度场装置用于产生温度场，还包括限位组件一和限位组件二，限位组件一在外加温度场装置产生温度场时取消对覆晶安装头的限位且在温度场...
    2026-05-01
  • 一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用
    一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用_山西高科华兴电子科技有限公司_202512050047.X
    本发明公开了一种微小型高集成度幻彩LED灯珠制备方法、产品及其应用，涉及半导体发光器件与微电子封装领域，所述制备方法包括如下步骤：提供一微型化封装支架，其上设有四个电性引脚；将驱动芯片及至少一组RGB LED芯片通过固晶工艺固定在封装支架的...
    2026-05-01
  • 一种悬空LED结构的制备及转移方法
    一种悬空LED结构的制备及转移方法_安徽工程大学_202512023828.X
    本发明涉及微型发光二极管技术领域，具体涉及一种悬空LED结构的制备及转移方法，其对制备完成后的Micro‑LED器件，通过选择性金属沉积、中介层键合、衬底剥离以及局部区域的刻蚀减薄实现Micro‑LED结构的悬空，之后通过真空胶压的形式实现...
    2026-05-01
  • 一种多色可调LED芯片及其制备方法
    一种多色可调LED芯片及其制备方法_南昌大学_202511988485.4
    本发明提供一种多色可调LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片技术领域，方法包括：刻蚀第二发光叠层暴露出第一P型层以获得窗口，再刻蚀第一发光叠层及刻蚀第二发光叠层以暴露出第一N型层和第二N型层以形成隔离的第一发光单元及第二发光单元；刻蚀沟槽区...
    2026-05-01
  • 显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备
    显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511895904.X
    本发明涉及一种显示屏灯板切割方法、存储介质及灯板切割设备，属于LED显示设备制造工艺技术领域。显示屏灯板切割方法包括：获取显示屏的灯板以及阵列在灯板上的晶片的平面图像；基于平面图像，选取靠近灯板待拼接边缘，并沿拼接线延伸方向间隔布置的晶片作...
    2026-05-01
  • 无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法
    无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法_深圳市明格精密科技有限公司_202610185495.2
    本发明公开了无底座带碗杯LED灯珠及其制造方法，无底座带碗杯LED灯珠包括碗杯主体、倒装LED芯片及反射胶体，碗杯主体具有贯通式杯腔；倒装LED芯片位于贯通式杯腔内，倒装LED芯片底部具有芯片焊盘；反射胶体填充贯通式杯腔底部并固定倒装LED...
    2026-05-01
  • 一种垂直结构LED芯片及其制备方法
    一种垂直结构LED芯片及其制备方法_南昌大学_202610032193.1
    本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，其芯片从下到上依次包括导电基板、键合金属层、反射层、ITO薄膜层、外延层和N电极；ITO薄膜层夹设于反射层和外延层之间。通过在反射层和外延层之间插入ITO薄膜层，有效改善了反射层金属向外延层缺陷...
    2026-05-01
  • 一种具有多孔光限制层的micro-LED器件
    一种具有多孔光限制层的micro-LED器件_南京大学_202610099825.6
    本发明公开了一种具有多孔光限制层的micro‑LED器件及制备方法，在衬底上制备的含有特殊掺杂设计的多层氮化物半导体薄层结构实现发光二极管(LED)基本功能，结合采用电化学腐蚀技术将外延片中特殊掺杂层转化为多孔层，进一步结合微小LED(mi...
    2026-05-01
  • 一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法
    一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610354126.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延结构、发光二极管及其制备方法，外延结构包括衬底及外延层，外延层中的有源层与电子阻挡层之间设有位错屏蔽层，且位错屏蔽层填充合并有源层上的V型坑；位错屏蔽层包括沿外延方向依次生长的三维BAlN...
    2026-05-01
  • 一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺
    一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺_九江学院_202511848630.9
    本发明公开了一种高稳定串联蓝光量子点LED及制备工艺，属于量子点显示技术领域。技术方案包括：合成InP/ZnSe/ZnS量子点并经纯化、辛硫醇配体交换；处理ITO基板后，依次旋涂多功能层并退火，沉积Al阴极后封装。该工艺通过优化量子点核壳结...
    2026-05-01
  • 太阳能电池、光伏组件及其制备方法、装置
    太阳能电池、光伏组件及其制备方法、装置_晶科能源(海宁)有限公司_202610357198.1
    本申请提供了一种太阳能电池、光伏组件及其制备方法、装置，基底具有第一表面和第二表面，铜基氧化层设置于基底的第一表面，铜基氧化层的背离基底的一侧表面形成纹理结构，减反射层设置于铜基氧化层的背离基底的一侧表面，减反射层包含层叠设置的多层单元膜层...
    2026-05-01
  • 一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法和应用
    一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法和应用_南京尚珀尔能源科技有限公司_202411419097.X
    一种红外阻隔与辐射制冷叠层薄膜及其制备方法，薄膜从下到上，依次由高分子聚合物A薄膜、金属氧化物B薄膜、金属C薄膜、金属氧化物B薄膜构成。制备步骤包括：a)采用旋涂法将A溶液涂敷在平面纳钙玻璃衬底或有微结构的纳钙玻璃衬底上，分别得到平面p‑A...
    2026-05-01
  • 一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用
    一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用_福建省金石能源股份有限公司_202610368507.5
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有正面复合钝化层的背接触电池及制备方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，还包括在硅片正面依次设置的第一隧穿氧化层、复合非晶硅层，形成正面复合钝化层；其中，复合非晶硅...
    2026-05-01
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610194939.9
    本发明涉及太阳电池领域，公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件，该钝化接触结构包括介质层；掺杂有N型导电元素的掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层设于介质层上，掺杂多晶硅层包括N型导电元素的氧化物，从掺杂多晶硅层背离介质层的一面至掺杂多...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610178912.0
    本发明公开一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以使集电电极通过第一开口与位于边缘区域的掺杂半导体层之间具有足够的接触面积，降低接触电阻。太阳能电池包括半导体基底、掺杂半导体层、钝化层和多个集电电极。多个集电电极沿第一方向...
    2026-05-01
  • 光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备
    光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备_比亚迪股份有限公司_202511934926.2
    本申请实施例提供一种光伏电池、光伏组件、光伏系统和用电设备，光伏电池包括：衬底；至少一个钝化减反层，钝化减反层设于衬底厚度方向的至少一侧，钝化减反层包括至少一个介电层和至少一个固氢层，介电层和固氢层层叠设置，固氢层的晶格间隙小于等于0.07...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610187541.2
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中，第一子区设置有第一掺杂叠层，...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610187280.4
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中，第一子区设置有第一掺杂叠层，...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法
    一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610148496.X
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件以及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括基底，基底具有电极面，电极面上形成有掺杂区，掺杂区内层置有掺杂半导体层、表面钝化层和金属电极；金属电极至少部分贯穿表面钝化层并与掺杂半导体层接...
    2026-05-01
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