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最新专利技术
  • 芯片及其控制方法、存储器、电子设备
    芯片及其控制方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411463623.2
    本申请提供一种芯片及其控制方法、存储器、电子设备，涉及存储技术领域，改善非存储单元存储的数据容易被干扰电压干扰得问题。该芯片包括板线、位线、阵列排布的多个存储单元、以及并联的第一二极管和第二二极管。存储单元包括晶体管和电容，晶体管包括第一极...
    2026-04-29
  • 非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统
    非易失性存储器及其数据读取方法以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202610008602.4
    本申请公开了非易失性存储器及数据读取方法以及存储系统，存储器包括存储单元和字线，同一行的存储单元连接于同一条字线，所述方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段。在预导通阶段中将与选定存储单元字线相邻的字线的电压升高至第一电平；在读取阶段中将选...
    2026-04-29
  • 存储器内位元运算电路以及存储器内位元运算方法
    存储器内位元运算电路以及存储器内位元运算方法_旺宏电子股份有限公司_202411490901.3
    本发明提供一种存储器内位元运算电路与方法。电路包括：存储器阵列，具有多个页数据，各页数据具有多个串；页缓冲器，储存多个串，并从多个串选择一部分串作为多个运算元；总量计数器，接收多个运算元与运算子标识，并且基于运算子标识，将各运算元中位置相应...
    2026-04-29
  • 用于非易失性存储器阵列中的电流泄漏补偿的跟踪存储器单元
    用于非易失性存储器阵列中的电流泄漏补偿的跟踪存储器单元_硅存储技术股份有限公司_202411471092.1
    本发明提供了一种用于读取以行和列布置的存储器单元的方法和器件，该器件包括：位线，位线各自电连接到列中的一列中的存储器单元；选择栅线，该选择栅线各自电连接到行中的一行中的存储器单元；跟踪存储器单元的列；和跟踪位线，该跟踪位线电连接到该跟踪存储...
    2026-04-29
  • 存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法
    存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510339205.0
    本公开涉及存储器设备、存储设备和存储设备的操作方法。一种存储器设备包括：多个块，每个块包括存储器单元；以及控制电路，其被配置为启用盲擦除选项并对多个块当中的目标块执行盲擦除操作。在盲擦除操作期间，控制电路被配置为对目标块执行擦除脉冲施加操作...
    2026-04-29
  • 快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法
    快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法_慧荣科技股份有限公司_202510015114.1
    本发明涉及一种快闪存储器控制器与快闪存储器控制器的编解码方法。该方法包括：根据一编解码矩阵来对一数据单元进行一局部编码操作以及对多个数据单元进行一全域编码操作以产生并写入一错误更正码数据至该页单元，该数据单元要被写入该快闪存储器装置的一页单...
    2026-04-29
  • 一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路
    一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511991531.6
    本发明公开一种应用于Flash型FPGA芯片的字线控制电路，属于现场可编程逻辑器件领域，包括控制逻辑模块、字线生成模块、字线通道模块、字线驱动模块、Flash单元阵列。控制逻辑电路对字线生成模块和字线通道模块进行控制，并且字线生成模块和字线...
    2026-04-29
  • 抗单粒子翻转的RHS-14T-SRAM电路及其存储电路、芯片
    抗单粒子翻转的RHS-14T-SRAM电路及其存储电路、芯片_安徽大学_202610361851.1
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种抗单粒子翻转的RHS‑14T‑SRAM电路及其存储电路、芯片。其在6T‑SRAM的基础上对原锁存器结构进行重构，进而利用新增的4个NMOS实现对主存储节点进行极性加固，以增强电路的抗翻转能力。并利用新增的4...
    2026-04-29
  • 一种非易失性存储器
    一种非易失性存储器_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610027826.X
    本发明涉及存储器领域，提供一种非易失性存储器，包括：双稳态锁存器，由四个具备非易失性的金属化合物晶体管构成；所述双稳态锁存器通过第一存储节点与第一传输门晶体管连接，通过第二存储节点与第二传输门晶体管连接，其中，第一存储节点和第二存储节点电位...
    2026-04-29
  • 判决反馈均衡器和半导体装置
    判决反馈均衡器和半导体装置_三星电子株式会社_202511472172.3
    公开了判决反馈均衡器和半导体装置。所述半导体装置包括：数据垫；以及判决反馈均衡器，被配置为对通过数据垫接收的数据信号进行均衡。判决反馈均衡器可包括：多个判决反馈均衡块，分别与具有不同相位的多个时钟信号对应。所述多个判决反馈均衡块中的每个可包...
    2026-04-29
  • 存储器装置、存储器系统和制造存储器系统的方法
    存储器装置、存储器系统和制造存储器系统的方法_三星电子株式会社_202511506619.4
    本发明涉及存储器装置、存储器系统和制造存储器系统的方法。一种存储器装置包括双晶体管零电容器增益单元，该双晶体管零电容器增益单元是后端制程兼容的并且包括写入晶体管和电连接到写入晶体管的读取晶体管。写入晶体管包括氧化物半导体沟道，并且读取晶体管...
    2026-04-29
  • 刷新方法及存储介质
    刷新方法及存储介质_长鑫科技集团股份有限公司_202411460128.6
    本公开提供一种刷新方法及存储介质，刷新方法至少可以包括：对存储库中每一存储部中的字线按照物理地址进行排序，得到刷新序列；基于所述刷新序列对所述字线进行常规刷新；确定待刷新字线的物理地址和目标行的物理地址之间的位置关系是否满足预设条件；所述目...
    2026-04-29
  • 电阻型存储设备及其操作方法
    电阻型存储设备及其操作方法_元矽存有限公司_202511499335.7
    磁阻式随机存取存储器(简称“MRAM”)设备包括至少一个MRAM阵列。每个MRAM阵列包括基准单元和基准发生器，基准发生器产生介于第一电压和第二电压之间的基准电压，第一电压是流经第一基准单元的第一电流的函数，第二电压是流经第二基准单元的第二...
    2026-04-29
  • 一种DRAM读数据时序校准方法及装置
    一种DRAM读数据时序校准方法及装置_中科亿海微电子科技(苏州)有限公司_202610377163.4
    本申请提供了一种DRAM读数据时序校准方法及装置，所述方法包括在DRAM初始化阶段，DRAM控制器向固定地址写入特定数据并发出读指令，接收反馈的数据选通信号以及数据信号；对所述数据选通信号进行延迟处理，将所述数据选通信号延迟为多个不同延迟值...
    2026-04-29
  • 一种片选信号校准电路和存储器
    一种片选信号校准电路和存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202610368800.1
    本公开实施例提供了一种片选信号校准电路和存储器，该片选信号校准电路包括：分频使能电路，用于在接收到片选信号时，生成使能状态的时钟使能信号；时钟分频电路，与分频使能电路连接，用于接收时钟使能信号和预设时钟信号，在时钟使能信号处于使能状态时，对...
    2026-04-29
  • 异步信号处理电路及存储装置
    异步信号处理电路及存储装置_西安芯存半导体有限公司_202511688079.6
    本申请公开了异步信号处理电路及存储装置，异步信号处理电路包括：采集电路，用于存储目标输入信号的当前周期数据和上一周期数据，并且，基于当前周期数据和上一周期数据的比较结果，输出与比较结果对应的变化标识信号，响应于接收到第一采集指示信号基于当前...
    2026-04-29
  • 异步信号处理电路及存储装置
    异步信号处理电路及存储装置_西安芯存半导体有限公司_202511685666.X
    本申请公开了异步信号处理电路及存储装置，异步信号处理电路包括：状态确定电路，用于响应于接收到采集指示信号，则确定状态指示信号的当前状态；状态指示信号在第一时刻从第二状态切换为第一状态，并在第二时刻从第一状态切换为第二状态，第一时刻在目标输入...
    2026-04-29
  • 用于存储器系统中的放大器电路的箝位电路
    用于存储器系统中的放大器电路的箝位电路_美光科技公司_202511477460.8
    本申请涉及一种用于存储器系统中的放大器电路的箝位电路。所述放大器电路可经配置以放大由第一输入节点传达的第一电压与由第二输入节点传达的第二电压之间的差，所述第一电压与存储器单元的状态相关联。所述箝位电路可经配置以通过修改所述放大器电路的晶体管...
    2026-04-29
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202511502655.3
    一种存储器装置包括：第一壳体；第二壳体，结合到第一壳体；中间板，布置在第一壳体与第二壳体之间的内部空间中；第一存储器模块，在第一壳体与中间板之间，包括第一模块基底和第一模块基底上的至少一个第一电子芯片；以及第二存储器模块，在第二壳体与中间板...
    2026-04-29
  • 一次性可编程存储器件和具有非对称金属栅极的一次性可编程存储单元
    一次性可编程存储器件和具有非对称金属栅极的一次性可编程存储单元_三星电子株式会社_202511312114.4
    示例性实施例涉及具有非对称金属栅极的一次性可编程(OTP)存储单元和OTP存储器件。OTP存储器件包括：编程晶体管，具有第一阈值电压和第一击穿电压；以及读取晶体管，连接到编程晶体管，并且具有第二阈值电压和第二击穿电压。编程晶体管的第一栅电极...
    2026-04-29
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