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最新专利技术
  • 暂态基板、芯片转移方法以及显示面板
    暂态基板、芯片转移方法以及显示面板_惠科股份有限公司_202511999615.4
    本申请公开了一种暂态基板、芯片转移方法以及显示面板，所述暂态基板包括衬底基板和加热结构层，所述加热结构层铺设在所述衬底基板上，所述加热结构层与外部电源连接，所述外部电源用于对所述加热结构层提供电信号，以使所述加热结构层发热；所述加热结构层上...
    2026-04-30
  • 一种Mini/MicroLED激光巨量转移方法、装置及存储介质
    一种Mini/MicroLED激光巨量转移方法、装置及存储介质_海目星激光科技集团股份有限公司_202511730311.8
    本发明涉及一种Mini/MicroLED激光巨量转移方法、装置及存储介质，所述Mini/MicroLED激光巨量转移方法包括获取携带板上LED的位置信息、波长亮度信息及优劣状态；根据LED的实际偏移量及承接板排列周期公倍数，筛选出有效的LE...
    2026-04-30
  • 显示面板的制备方法和显示设备
    显示面板的制备方法和显示设备_海信视像科技股份有限公司_202511950352.8
    本申请涉及一种显示面板的制备方法和显示设备，包括提供初始基板；于初始基板外周的至少一侧设置第一嫁接结构以形成嫁接基板；将嫁接基板夹持于固晶治具，并于初始基板的表面固定发光芯片；嫁接基板的尺寸与固晶治具的预设夹持尺寸相适配；分别于基板设有发光...
    2026-04-30
  • 改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法
    改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511739723.8
    本公开提供了一种改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有出光槽，所述出光槽的深度小于或者等于所述第二半导体层的厚度，所述...
    2026-04-30
  • 一种基于2835支架的倒装芯片LED封装结构及其实现方法
    一种基于2835支架的倒装芯片LED封装结构及其实现方法_横店集团得邦照明股份有限公司_202610081041.0
    本发明公开了一种基于2835支架的倒装芯片LED封装结构，包括支架本体和LED倒装芯片，支架本体的内部设有腔体，腔体的底部连接有居中设置的金属电极，LED倒装芯片设于腔体内，且LED倒装芯片与金属电极连接，LED倒装芯片与腔体之间填充有白胶...
    2026-04-30
  • 一种发光器件及发光器件的制作方法
    一种发光器件及发光器件的制作方法_佛山市国星光电股份有限公司_202512049136.2
    本发明公开了一种发光器件及发光器件的制作方法，所述发光器件包括基板、发光芯片、荧光片和封装层，所述发光芯片设置在所述基板的上表面；所述荧光片为掺杂有荧光粉的透光片，所述荧光片粘接在所述发光芯片的上表面；所述封装层设置在所述基板的上表面，所述...
    2026-04-30
  • 一种高散热铝铜复合COB封装载板结构及制作方法
    一种高散热铝铜复合COB封装载板结构及制作方法_上海应用技术大学_202511933450.0
    本发明公开了一种高散热铝铜复合COB封装载板叠构及工艺制作方法，涉及一种高散热铝铜复合COB封装载板叠构及工艺制作方法，主要应用于半导体封装。包括高导铜基材，所述高导铜基材包括铜层和粘接层，通过在载板顶部覆盖一层铝，减少了芯片之间的热量堆积...
    2026-04-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511656878.5
    本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括：半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于第二半导体层之上；保护层，形成于透明导电层之上；第二电极，形成于保护层上，包括焊盘部和扩展部；保护层...
    2026-04-30
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512021880.1
    本申请提供了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括衬底和半导体叠层，半导体叠层具有分别露出第一半导体层的若干个第一台面以及露出第二半导体层的第二台面，其中第一台面的水平投影呈相互隔离的岛状分布于半导体叠层的水平投影范围内；第一反射层设置...
    2026-04-30
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054777.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-30
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512032664.7
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-30
  • 一种LED外延片结构及其制备方法
    一种LED外延片结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610352983.8
    本发明公开了一种LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件技术领域。LED外延片结构包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层、P型窗口层和P型接触层；所述有源层包括周期性交替层叠的G...
    2026-04-30
  • 晶圆重构方法和重构晶圆
    晶圆重构方法和重构晶圆_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202610054416.4
    本发明公开了一种晶圆重构方法和重构晶圆。该晶圆重构方法包括：在待重构晶圆的一侧设置刻蚀阻挡层，待重构晶圆包括第一衬底和设置于第一衬底上的发光功能层，刻蚀阻挡层设置于发光功能层远离第一衬底的一侧；对待重构晶圆进行刻蚀形成凹槽，凹槽的深度延伸至...
    2026-04-30
  • 一种衬底剥离方法及衬底剥离装置
    一种衬底剥离方法及衬底剥离装置_佛山市国星半导体技术有限公司_202610001650.0
    本发明公开了一种衬底剥离方法及衬底剥离装置，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：将键合晶圆移送至翘曲检测平台上配合激光测量仪进行翘曲状态检测，所述翘曲状态分为无翘曲、正翘曲或负翘曲；若所述键合晶圆无翘曲，则移送至激光加工平台上配合激光输出机构...
    2026-04-30
  • 一种AlGaN模板及其器件的制备方法
    一种AlGaN模板及其器件的制备方法_北京大学_202512002018.6
    本发明公开了一种AlGaN模板及其器件的制备方法，属于半导体薄膜领域。本发明；本发明通过将受控应力释放的三维缓冲层与界面位错调控/过滤的位错过滤层耦合，形成从应力释放到位错过滤的连续有效路径，实现对不同Al组分的AlGaN薄膜在应力与缺陷演...
    2026-04-30
  • 一种LED固晶机及固晶方法
    一种LED固晶机及固晶方法_苏州弘磊光电有限公司_202511951253.1
    本发明公开了一种LED固晶机及固晶方法，属于半导体封装技术领域，包括用于上料基板的上料机构、用于给基板点胶的点胶机构、用于传送芯片料碗的传送机构、用于将芯片从芯片料碗搬移至基板上的搬移机构、用于检测基板上是否漏晶的检测机构和用于收集成品的收...
    2026-04-30
  • 一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管
    一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管_重庆康佳光电科技有限公司_202411437329.4
    本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种微型发光二极管的制造方法及微型发光二极管；该方法包括：在生长衬底上形成外延层，在外延层上形成多个金属电极，再在外延层设置有金属电极的一面依次整层沉积第一钝化层及反射层，蚀刻去除各个微型发光二极管之间的反射...
    2026-04-30
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511746561.0
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括：电池本体，电池本体具有相对的第一表面和第二表面；多条集电电极，位于电池本体的第二表面上，多条集电电极以不同的极性交替间隔设置；其中，集电电极的材质包括铜，在电池...
    2026-04-30
  • 光伏电池及其制造方法、光伏组件
    光伏电池及其制造方法、光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610253174.1
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件，光伏电池包括：具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面的基底，第一方向为基底的厚度方向；第一表面包括多个第一区和多个第二区，第一区的表面形貌包括第一金字塔结构，第二区的表面形貌为抛光...
    2026-04-30
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司_202511971238.3
    本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低隔离区的表面粗糙度，利于提高表面钝化层对隔离区的钝化效果，利于提高背接触电池的转换效率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。半导体基底包括相对设...
    2026-04-30
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