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最新专利技术
  • 铁电随机存取存储器及其制造方法
    铁电随机存取存储器及其制造方法_苏州实验室_202610385905.8
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种铁电随机存取存储器及其制造方法。该存储器包括：衬底和多个存储单元；衬底具有第一端面；多个存储单元在第一端面上呈阵列排布；每个存储单元包含一个晶体管和一个电容器；晶体管包括第一源漏区、第二源漏区、沟道区、...
    2026-05-01
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202411482518.3
    一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括若干有源区；在各所述有源区上形成若干二极管单元；采用自对准硅化工艺在所述有源区表面形成字线层，所述二极管单元位于所述字线层表面。首先，所述字线层的阻值较小，电子流通速度快，选通...
    2026-05-01
  • 一种计算内存硬件系统及其制备方法
    一种计算内存硬件系统及其制备方法_苏州市华芯云睿微电子科技有限公司_202610100866.2
    本发明公开了一种计算内存硬件系统及其制备方法，包括封装于同一硅衬底上且互连的阵列单元和外围电路；所述阵列单元包括硅基选择器阵列及设置于所述硅基选择器阵列上的忆阻层；所述忆阻层包括依次设置于所述硅基选择器阵列表面的下电极、二维原子晶体薄膜和上...
    2026-05-01
  • 包括共享逻辑裸片的多个单元裸片的半导体装置
    包括共享逻辑裸片的多个单元裸片的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202511496204.3
    一种半导体装置包括封装基板、逻辑裸片以及多个单元裸片。逻辑裸片和多个单元裸片被设置在封装基板上。逻辑裸片通过封装基板的信号传输线耦接到封装基板的焊盘。多个单元裸片通过接合线耦接到封装基板的焊盘，从而耦接到逻辑裸片。
    2026-05-01
  • 一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法
    一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法_扬州国宇电子有限公司_202610074310.0
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种多沟槽多环区的变容二极管及制备方法，其中二极管的N型外延层上设置有主结、沟槽和多个环区，主结设置于N型外延层上，且位于N型外延层的中心；主结从下至上依次形成有轻掺杂N‑区、掺杂P区和第一重掺杂P+区；...
    2026-05-01
  • 电容器结构及其制造方法
    电容器结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510959345.8
    本公开涉及电容器结构及其制造方法。一种方法包括：形成第一电极，包括沉积第一层导电材料并在第一层导电材料上沉积第二层导电材料；在第二层导电材料上形成第一绝缘层；以及形成第二电极，包括在第一绝缘层上沉积第三层导电材料并在第三层导电材料上沉积第四...
    2026-05-01
  • 一种高频硅电容器及其制造方法
    一种高频硅电容器及其制造方法_无锡缶英微电子科技有限公司_202511808642.9
    本发明公开了一种高频硅电容器及其制造方法，其包括硅衬底，其正面设置有第一焊盘凸台、第二焊盘凸台和位于第一焊盘凸台、第二焊盘凸台之间的多个硅槽；深槽电容结构，其包括填充于硅槽内并覆盖于硅衬底正面的层叠电容单元，其中所述层叠电容单元至少包括第一...
    2026-05-01
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202610112659.9
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及半导体技术领域。该硅电容，包括具有上表面和下表面的硅衬底，上表面内凹形成多个凹槽，在硅衬底上依次设置有介质层和上电极层，介质层和上电极层覆盖凹槽的侧壁、底壁以及硅衬底的上表面；下表面内凹形成凹陷结构，凹...
    2026-05-01
  • 一种基于高精度掺杂控制技术的二极管芯片的制备方法
    一种基于高精度掺杂控制技术的二极管芯片的制备方法_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511966557.5
    本发明公开了一种基于高精度掺杂控制技术的二极管芯片的制备方法，其制备工艺包括以下步骤：S1、衬底准备，S2、热氧化工艺，S3、离子注入掺杂，S4、电极形成，S5、掺杂验证。本发明通过使用高纯度、低缺陷密度的单晶硅片，晶向和电阻率根据目标器件...
    2026-05-01
  • 一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法
    一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511931926.7
    本发明公开了一种阶梯式结终端结构多沟道肖特基二极管及其制备方法；该多沟道肖特基二极管包括：依次层叠的衬底、成核层、缓冲层、底层沟道层和多沟道层，该层叠结构上设有下端位于底层沟道层内的阴极和阳极；多沟道层包括堆叠的n个沟道单元，每个沟道单元包...
    2026-05-01
  • 一种高击穿电压肖特基二极管及其制备方法
    一种高击穿电压肖特基二极管及其制备方法_华南理工大学_202512045569.0
    本发明属于二极管器件领域，公开了一种高击穿电压肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管，包括从下至上依次层叠设置的衬底、AlN层、GaN层、AlGaN层；AlGaN层上设有p‑AlGaN层和Al2O3层；p‑AlGaN层和Al2O3层接触且p...
    2026-05-01
  • 一种垂直结构的氮化镓二极管及制备方法
    一种垂直结构的氮化镓二极管及制备方法_江南大学_202610108028.X
    本发明涉及一种垂直结构的氮化镓二极管及制备方法，属于半导体技术领域。该垂直结构的氮化镓二极管包括n+GaN衬底层；n‑GaN漂移层位于n+GaN衬底层的一侧；Al2O3环形接触层和阳极金属层，位于n‑GaN漂移层背离n+GaN衬底层的一侧，...
    2026-05-01
  • 具有含不同锗浓度的部分的结构及相关方法
    具有含不同锗浓度的部分的结构及相关方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511237203.7
    本公开涉及具有含不同锗浓度的部分的结构及相关方法。本公开提供了具有不同锗浓度的基极部分的结构及相关方法。本公开的结构包括基极区，其包括：第一部分，其位于第一发射极/集电极(E/C)端子上并包含锗(Ge)。第一部分中的Ge浓度根据距第一E/C...
    2026-05-01
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511362080.X
    本公开的目的在于提供能够提高上部电极与下部电极之间的绝缘性的技术。半导体装置具备半导体基板和第一沟槽构造体。第一沟槽构造体包括：下部电极，其经由第一绝缘膜设置于沟槽的下部之上，该沟槽设置于半导体基板的第一主面；和上部电极，其通过第二绝缘膜而...
    2026-05-01
  • 凹陷式虚拟单沟槽栅极IGBT
    凹陷式虚拟单沟槽栅极IGBT_万国半导体国际有限合伙公司_202511498860.7
    本发明公开了一种半导体器件，包括：由半导体材料组成的衬底，具有轻掺杂第一导电类型离子的漂移区，在衬底中形成并掺杂第二导电类型离子的本体区。在漂移区中形成的虚拟沟槽。该虚拟沟槽形成到衬底中比本体区底部更深的深度。在虚拟沟槽中形成的绝缘层，在虚...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其形成方法、电子设备
    半导体器件及其形成方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411479573.7
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法、电子设备，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有沿第一方向分布的第一区和第二区，在所述衬底的所述第一区形成有沿所述第一方向分布的多个鳍结构；在第一区和第二区上形成隔离层，且在第二区上形成有高于隔离层的应力...
    2026-05-01
  • 超级结结构及其制造方法、超级结器件
    超级结结构及其制造方法、超级结器件_华润微电子(重庆)有限公司_202411487247.0
    本发明涉及一种超级结结构及其制造方法、超级结器件，所述方法包括：获取形成有第一导电类型层的基板；在第一导电类型层上形成对准标记；基于对准标记的位置，通过图案化在第一导电类型层形成若干沟槽；在各沟槽中形成第二导电类型柱；在各第二导电类型柱上方...
    2026-05-01
  • 制造包括二维材料的半导体器件的方法
    制造包括二维材料的半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511504600.6
    提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上提供二维材料层；以及向二维材料层供应蚀刻剂以从二维材料层去除残留物。向二维材料层供应蚀刻剂包括：向其中提供有衬底的腔室供应第一处理气体；向腔室供应微波以在腔室中形成第一等离子体；以及向腔室...
    2026-05-01
  • 一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法
    一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法_西南交通大学_202511751539.5
    本发明公开了一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法，属于半导体技术领域，步骤如下：通过外延生长在N+衬底上依次形成N‑漂移区和CSL区；将Si材料层键合到CSL区上，形成Si/SiC异质结；通过两次离子注入，依次制备P沟道区和N+...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件
    一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件_广州辰微电子科技有限公司_202511920121.2
    本发明公开了一种碳化硅欧姆接触的制备方法、欧姆接触结构及碳化硅器件，其中碳化硅欧姆接触的制备方法包括：提供具有外延层的碳化硅衬底，所述外延层的暴露表面为第一表面，所述衬底的暴露表面为第二表面，所述第一表面和/或第二表面的目标欧姆接触位置形成...
    2026-05-01
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