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  • 本发明涉及液冷散热技术领域,具体地说,涉及具备防漏密封结构的服务器辅助机架液冷装置及其方法,包括移动机架,其内部设有若干并排设置的液冷连接模组,液冷连接模组包括从左往右依次设置的液冷接头、液冷插头、连接管以及通液管。本发明当液冷插头插入时,...
  • 本发明提供一种电子信息显示器壳体散热结构及其使用方法,包括罩壳和位于所述罩壳两侧的显示面板,所述罩壳内设有用于对两组所述显示面板进行散热的散热机构,所述散热机构通过移动机构与所述罩壳相连接;所述散热机构包括筒体,所述筒体内设有双轴电机,所述...
  • 本发明提供了一种基于工况分析的数据中心液冷流量自适应调控方法,涉及数据中心技术领域,该方法包括:通过采集控制单元内所有发热单元的温度数据和预定的重要性评估值;根据温度数据和重要性评估值输入至预设的工况识别模型,识别当前控制单元的散热需求工况...
  • 本发明涉及机房空调技术领域,公开了一种可主动防凝露的氟泵多联背板空调系统及控制方法,包括室外主机模块、多台并联的室内背板空调模块和主机控制器;每台室内背板空调模块包括背板控制器、回风温湿度传感器、送风温湿度传感器、蒸发压力传感器、温度传感器...
  • 本发明公开了基于AI智能控制的数据中心楼体散热优化方法、系统、设备及计算机可读存储介质,属于数据中心热管理与智能控制技术领域,该方法包括以下步骤:S1、数据采集与热特性建模;S2、动态热阻调控控制;S3、立体风道智能调节;S4、混合冷却系统...
  • 本申请提供了一种电磁屏蔽组件及终端设备,属于电子技术领域。所述电磁屏蔽组件包括:第一屏蔽部分和第二屏蔽部分;所述第一屏蔽部分位于受扰体靠近干扰源的第一侧面,所述第二屏蔽部分位于所述受扰体中与所述第一侧面相邻的第二侧面;所述第一屏蔽部分和所述...
  • 本申请提供了一种电磁防护组件及终端设备,属于电子技术领域领域。电磁防护组件包括:受扰体、屏蔽结构和干扰源;受扰体和屏蔽结构分别位于干扰源沿第一方向的同一侧;屏蔽结构包括屏蔽部分和引流部分;引流部分和屏蔽部分并列布置,引流部分用于将干扰源产生...
  • 本发明公开了一种针对小尺寸产品排序的加工工艺,包括采用排版软件进行产品阵列排版设计,依据产品外形和装配方向生成排版板布局,并标注定位基准点;基于排版板布局排布产品于母板件上,并贴覆定制粘性的承载膜,进行膜预处理和视觉校准,形成带承载膜的中间...
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统,该半导体器件包括衬底、第一器件结构和第一屏蔽结构。第一器件结构设置在所述衬底上,所述第一器件结构包括锁存结构,所述第一器件结构在所述衬底上具有第一正投影。所述第一屏蔽结构的至少一部分设置在所...
  • 一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括基底以及多个存储单元,所述存储单元包括至少一个晶体管和至少一个电容器,沿垂直于基底方向,电容器位于晶体管与基底之间;电容器包括第一极板、第二极板以及位于第一极板与第二极板之间的电介质层;第...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。半导体器件包括:形成有外围电路的第一半导体结构,第一半导体结构包括:衬底、第一电介质堆叠层、第二电介质堆叠层及导电柱;其中,衬底具有相对设置的第一面和第二面,第一面处形成有第一器件结构;第...
  • 一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件的制备方法包括:形成第一初始堆叠结构和第二初始堆叠结构,其中,所述第一初始堆叠结构和所述第二初始堆叠结构均包括叠设的半导体薄膜以及键合薄膜;将一个所述第一初始堆叠结构和一个所述第二初始堆叠结构...
  • 公开了半导体器件和数据存储系统。根据本公开的示例实施方式的一种半导体器件包括:栅电极,在第一方向上彼此间隔开并堆叠;沟道结构,延伸穿过栅电极并在第一方向上延伸;以及接触插塞,在第一方向上延伸并分别电连接到栅电极,接触插塞中的至少部分接触插塞...
  • 本公开提供了一种存储器及存储器的制备方法,涉及半导体技术领域。该存储器包括:衬底;存储阵列,包括位于衬底第一中心区的第一存储阵列和位于衬底第二中心区的第二存储阵列;选择器,包括位于衬底边缘区的第一选择晶体管和第二选择晶体管,第一选择晶体管的...
  • 一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤:形成穿过具有交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构的至少一部分的孔;沿着孔依次形成阻挡绝缘层、电荷捕获层和隧道绝缘层;沿着隧道绝缘层形成初步沟道层;通过将初步沟道层的暴露内壁氧化来形成牺牲层...
  • 本发明的技术方案提供了一种非挥发性存储器及其制备方法,包括衬底、浮动栅结构、分离栅结构、源区以及漏区。通过设计所述源区和所述浮动栅结构的底面存在交叉区域,因此作用于源区的高压会对浮动栅极产生耦合效应,提高浮动栅结构的电势,以形成从浮动栅结构...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向在堆叠结构中延伸。电容介质层环绕第一电极层。堆叠结构包括沿第一方向交替堆叠的介质层和第二电极层。多个第二电极层相连接。多...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、支撑结构和栅线隔离结构。支撑结构沿第一方向贯穿堆叠结构。栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构且沿第二方向延伸。栅线隔离结构与支撑结构接触。第一方向与第二方向相交。
  • 提供一种铁电存储器装置。所述铁电存储器装置包括:基底;以及多个电容器,堆叠在基底上。所述多个电容器中的每个包括:第一电极;铁电层,在第一电极上;以及第二电极,在铁电层上,并且第一电极包括平坦部分和平坦部分上的上突起。平坦部分在与基底的上表面...
  • 本发明涉及半导体存储技术领域,提供一种铁电随机存取存储器及其制造方法。该存储器包括:衬底和多个存储单元;衬底具有第一端面;多个存储单元在第一端面上呈阵列排布;每个存储单元包含一个晶体管和一个电容器;晶体管包括第一源漏区、第二源漏区、沟道区、...
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