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最新专利技术
  • 一种钛酸锶单晶体生长装置
    一种钛酸锶单晶体生长装置_南通奥新电子科技有限公司_202610039658.6
    本发明属于晶体生长技术领域，尤其是涉及一种钛酸锶单晶体生长装置，包括外壳，所述外壳的侧壁固定连接有控制器，所述外壳的上侧壁固定连接有星型卸料器，所述星型卸料器的进料口连通有存放箱，所述星型卸料器的出料端位于外壳内。本发明在制备钛酸锶单晶体前...
    2026-04-18
  • 单晶炉
    单晶炉_三一硅能(朔州)有限公司_202511872446.8
    本发明公开了一种单晶炉。单晶炉包括：保温筒，保温筒的顶部具有安装口，底部具有第一出气口；埚邦，埚邦沿上下方向可移动地设在保温筒内，埚邦的顶部敞开；导流筒组件，导流筒组件设在安装口处，导流筒组件位于埚邦的上侧，导流筒组件的顶部具有第一进气口，...
    2026-04-18
  • 一种锑掺杂N型单晶硅及其制备方法和应用
    一种锑掺杂N型单晶硅及其制备方法和应用_四川高景太阳能科技有限公司_202610097379.5
    本发明涉及半导体制备技术领域，具体而言，涉及一种锑掺杂N型单晶硅及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：S1. 熔料，在氩气环境下对多晶硅原料进行加热使其熔化，并在熔料过程中分多次添加锑掺杂剂，得到硅熔体；S2. 晶体生长，采用与目标晶向...
    2026-04-18
  • 一种拉晶收尾的控制方法及系统
    一种拉晶收尾的控制方法及系统_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511858477.8
    本公开提供了一种拉晶收尾的控制方法及系统，该方法包括实时监测生长的单晶与硅熔体之间建立的导电回路的电气特性参数，电气特性参数与单晶和硅熔体之间的固液界面接触面积相关联；计算电气特性参数与目标电气特性之间的偏差；基于偏差，调节单晶生长的动力学...
    2026-04-18
  • 一种基于实时数据分析的单晶炉拉制参数动态优化方法
    一种基于实时数据分析的单晶炉拉制参数动态优化方法_青海高景太阳能科技有限公司_202511910642.X
    本发明提供一种基于实时数据分析的单晶炉拉制参数动态优化方法，包括：采集单晶硅生产过程中的表面参数和内部状态参数；对采集到的数据进行缺失值填补和标准化处理；采用云端+决策端两级协同的分析建模模式，在云端进行特征挖掘，在决策端进行优化推理；根据...
    2026-04-18
  • 改善提拉工艺中氧含量均匀性的方法以及提拉单晶炉
    改善提拉工艺中氧含量均匀性的方法以及提拉单晶炉_上海超硅半导体股份有限公司_202610020310.2
    本发明涉及半导体设备领域，尤其涉及一种改善提拉工艺中氧含量均匀性的方法以及提拉单晶炉。本发明提供了一种改善提拉工艺中氧含量均匀性的方法，包括以下步骤：建立两个主线圈构成的主磁体系统的三维电磁场模型，模拟电磁场在熔体区域的分布情况；优化两个主...
    2026-04-18
  • 提拉法生长钒酸钇晶体的放肩方法、大尺寸晶体的提拉法生长工艺及钒酸钇晶体
    提拉法生长钒酸钇晶体的放肩方法、大尺寸晶体的提拉法生长工艺及钒酸钇晶体_合肥众波功能材料有限公司_202610091807.3
    本发明公开了一种提拉法生长钒酸钇晶体的放肩方法、大尺寸晶体的提拉法生长工艺及钒酸钇晶体，所述放肩方法将生长过程解构为四个阶段，并对各阶段的关键参数进行量化区间控制。通过将缩颈工艺参数标准化，并与夹角θ的渐进式调节相协同，实现了生长初期的应力...
    2026-04-18
  • 一种提高单晶硅收尾完好率的方法及应用
    一种提高单晶硅收尾完好率的方法及应用_四川高景太阳能科技有限公司_202610185586.6
    本发明涉及半导体材料领域，具体而言，涉及一种提高单晶硅收尾完好率的方法及应用。该方法，在单晶硅制备的收尾阶段，根据晶体直径的变化将收尾过程划分为至少三个阶段进行控制，第一阶段：晶体直径从目标直径缩小至目标直径的55%~65%；第二阶段：晶体...
    2026-04-18
  • 硅单晶锑掺杂剂制备装置及其使用方法
    硅单晶锑掺杂剂制备装置及其使用方法_四川高景太阳能科技有限公司_202610032444.6
    本发明涉及单晶硅制备领域，具体而言，涉及一种硅单晶锑掺杂剂制备装置及其使用方法，包括：底座，设置于炉体内的底部，底座的顶部设置坩埚，底座上且位于坩埚的外围设置环形加热板；第一旋转机构，设置于底座的底部，第一旋转机构的输出轴与底座连接，用于带...
    2026-04-18
  • 一种碳化硅晶体生长坩埚、装置及方法
    一种碳化硅晶体生长坩埚、装置及方法_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411390333.X
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长坩埚、装置及方法，属于半导体材料技术领域，所述坩埚具有坩埚盖、坩埚壁、坩埚底部以及由所述坩埚壁和坩埚底部围合成的腔体，所述坩埚盖盖合所述腔体，所述坩埚盖在所述腔体内部一侧设置有籽晶粘接位；所述腔体包括相互连通的...
    2026-04-18
  • 一种连续装料式晶体生长装置及方法
    一种连续装料式晶体生长装置及方法_成都中微晶体材料有限公司_202511975863.5
    本发明实施例提供了一种连续装料式晶体生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长设备技术领域。连续装料式晶体生长方法应用于连续装料式晶体生长装置，连续装料式晶体生长装置包括装料仓、坩埚及加热组件。装料仓具有出料口且开口朝下，装料仓的出料口设置有第一阀...
    2026-04-18
  • 利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H-SiC单晶的方法
    利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H-SiC单晶的方法_北方特气(浙江)科技有限公司_202411401967.0
    本发明属于化学气相沉积技术领域，具体为利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H‑SiC单晶的方法，该利用离子液体催化剂合成甲基硅烷生长4H‑SiC单晶的方法的具体步骤流程如下：步骤一：采用高纯度甲基三氯硅烷(MeSiCl3)作为起始原料，与离...
    2026-04-18
  • 一种基于硅氧铝三元复合光学镀膜材料及其制备方法
    一种基于硅氧铝三元复合光学镀膜材料及其制备方法_湖北腾胜光电科技股份有限公司_202610303558.X
    本发明属于光学功能薄膜材料领域，具体涉及一种基于硅氧铝三元复合光学镀膜材料及其制备方法；针对现有技术中难以在单一三元材料体系内协同实现高透光、高硬度、耐腐蚀性的问题；本发明通过在MgAl2O4尖晶石单晶衬底上外延生长的、具有完全有序单相结构...
    2026-04-18
  • 一种薄膜沉积设备的备件更换处理方法
    一种薄膜沉积设备的备件更换处理方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610027679.6
    本发明公开了一种薄膜沉积设备的备件更换处理方法。薄膜沉积设备的备件更换处理方法包括：更换薄膜沉积设备反应腔腔体内的备件；对更换后的备件进行多次复机工艺处理和至少一次打磨处理；其中，复机工艺包括在备件表面沉积附着物的工艺，打磨处理包括对附着物...
    2026-04-18
  • 一种单晶金刚石扩径方法及生长基台
    一种单晶金刚石扩径方法及生长基台_浙江先导微电子科技有限公司_202512043263.1
    本发明公开了一种单晶金刚石扩径方法及生长基台。所述生长基台包括钼台底座；钼台底座设有第一圆形凹槽、第二方形凹槽和第三方形凹槽，第一圆形凹槽内铺设绝缘套，绝缘套中部开设有完全露出第二方形凹槽的方形孔，第二方形凹槽与第三方形凹槽深度之和＜籽晶厚...
    2026-04-18
  • 一种源加注系统及加注方法
    一种源加注系统及加注方法_山东力冠微电子装备有限公司_202512012875.4
    一种源加注系统及加注方法，属于半导体生产技术领域，源加注系统包括镓舟、水浴单元和镓瓶，加注口上可拆卸安装有密封盖，加注口的内部开设有阶梯锥形孔道，阶梯锥形孔道包括同轴设置的第一锥形段和第二锥形段，第一锥形段位于第二锥形段的上方，第一锥形段的...
    2026-04-18
  • 温度补偿方法及装置
    温度补偿方法及装置_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511758607.0
    本公开提供了一种温度补偿方法及装置，该方法包括：获取外延片在生长发光层之前的外延参数；基于第k‑2炉次的外延参数和第k‑1炉次的外延参数，得到第一温度补偿系数；基于第k‑1炉次的外延参数和第k炉次的外延参数，得到第二温度补偿系数；基于第一温...
    2026-04-18
  • 一种单晶金刚石拼接体及其制备方法和应用
    一种单晶金刚石拼接体及其制备方法和应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511872864.7
    本发明公开了一种单晶金刚石拼接体及其制备方法和应用，该制备方法包括：(1)取单颗单晶金刚石籽晶，沿所述单晶金刚石籽晶的任一表面进行垂直等分切割，获得单晶金刚石小籽晶，并按照切割顺序，将相邻单晶金刚石小籽晶的上切割面相互贴合后，再与下一个相邻...
    2026-04-18
  • 一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法
    一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法_西安电子科技大学_202511931930.3
    本发明公开了一种基于周期性缺陷的低介电损耗单晶金刚石制备方法，属于半导体领域，包括提供金刚石衬底；对金刚石衬底进行光刻处理，以在金刚石衬底的上表面光刻形成点阵图案，点阵图案中相邻两个点之间的距离等于外电场频率对应的波长；采用刻蚀工艺或者离子...
    2026-04-18
  • 一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法
    一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511810020.X
    本发明公开了一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法，该设备包括炉体、外管和内管，它们依次嵌套设置并形成反应室，在反应室内连通有用于输送ClF3气体和氮气的第五进气管。该工艺方法，包括向设备的反应室中通入ClF3气体对反...
    2026-04-18
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