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最新专利技术
  • 在太阳能电池上显示鲜明图像的系统
    在太阳能电池上显示鲜明图像的系统_丰田自动车工程及制造北美公司_202480062441.6
    本文描述的系统、方法和其它实施例涉及一种设备，该设备具有将光的角度引导朝向太阳能电池的透镜和具有改善图像清晰度、反射率和鲜明度的部件的显示部分。在一个实施例中，一种系统包括：将第一角度范围内的入射光引导用于吸收并且将第二角度范围内的入射光引...
    2026-05-01
  • 用于制造太阳能电池的方法和装置
    用于制造太阳能电池的方法和装置_韩华思路信株式会社_202480062886.4
    根据本发明的一个实施方式的用于制造太阳能电池的装置包括：输送单元，在其上安置有多个基板，并且其输送多个基板；以及第一喷洒单元，用于用喷洒溶液喷洒安置在输送单元上的多个基板，其中，以网格形式为结构的输送单元连续地输送多个基板，并且固定在输送单...
    2026-05-01
  • 固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法
    固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法_浜松光子学株式会社_202480061465.X
    本公开的固体摄像元件具备：半导体基板，其具有：具有第1导电型的第1区域、及具有与所述第1导电型不同的第2导电型的多个第2区域；多个接合端子，其电连接于所述第2区域，且分别连接于不同的外部端子；与栅极端子，其与所述第2区域电绝缘，多个所述接合...
    2026-05-01
  • 光检测装置、光学元件和电子设备
    光检测装置、光学元件和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480052619.9
    光检测装置包括第一层、第二层以及光电转换元件。所述第一层包括：在第一方向上并排设置的多个第一结构体；和设置于所述第一结构体周围且具有与所述第一结构体的折射率不同的折射率的第一介质。所述第二层包括：在所述第一方向上并排设置的多个第二结构体；和...
    2026-05-01
  • 光检测装置和测距系统
    光检测装置和测距系统_索尼半导体解决方案公司_202380102901.9
    光检测装置(1)包括：第一雪崩光电二极管(11A)，其放大因入射的光子而产生的载流子，所述第一雪崩光电二极管布置于第一基板(101)的第一区域(A1)中并且具有要被提供有第一阳极电压的第一阳极区域(104A)；以及第二雪崩光电二极管(11B...
    2026-05-01
  • 氮化镓集成器件
    氮化镓集成器件_湖南三安半导体有限责任公司_202480001981.3
    本申请提供一种氮化镓集成器件，包括衬底、半导体外延层、第一源极、第一栅极、第一漏极以及第一盖帽层。具体的，半导体外延层设置于衬底的一侧；半导体外延层包括增强型氮化镓器件区域和耗尽型氮化镓器件区域；第一源极、第一栅极和第一漏极均设置于耗尽型氮...
    2026-05-01
  • 激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法
    激光照射装置、激光照射方法和用于制造化合物半导体器件的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380102695.1
    根据本实施方式的激光照射装置(1)是如下激光照射装置，其构造成能够用激光照射由化合物半导体形成的晶圆，以形成在该晶圆上形成的半导体器件的背电极，所述激光照射装置(1)包括：台(110)，其构造成能够保持晶圆(W)；激光光源(10)，其构造成...
    2026-05-01
  • 在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构
    在集成电路上使用非晶氧化物半导体沟道的FEFET结构_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480061176.X
    本文公开了FeFET晶体管和相关的集成电路。晶体管(1612a)的沟道层可以由非晶氧化物半导体形成。可以被利用的非晶氧化物半导体的示例包括氧化铟、铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝...
    2026-05-01
  • 混合沟道功率半导体器件及其制造方法
    混合沟道功率半导体器件及其制造方法_微芯片技术股份有限公司_202480060541.5
    提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括碳化硅衬底、形成在碳化硅衬底的第一侧的硅层、形成在硅层上的栅极氧化物层、形成在栅极氧化物层上的栅极端子、形成在碳化硅衬底的与第一侧相对的第二侧的漏极端子、以及形成在碳化硅衬底的第一侧并且位于硅层的相对...
    2026-05-01
  • 用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构
    用于最小化亚阈值驼峰效应的晶体管结构_思睿逻辑国际半导体有限公司_202480062040.0
    一种半导体结构可以包括具有表面的衬底、形成在表面上的隔离结构、形成在表面上邻近隔离结构的有源区、在隔离结构和有源区上方延伸的栅极、以及形成在有源区内的源极区。源极区可以包括邻近栅极的第一部分和隔离结构形成的第一子区和邻近栅极的第二部分形成的...
    2026-05-01
  • 薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
    薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001703.8
    本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：衬底基板，设置在衬底基板上的第一半导体有源层、栅极、源极和漏极；所述源极与所述第一半导体层的源极接触区连接，所述漏极与所述第一半导体层的...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063008.4
    提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一导电层、第一金属氧化物层、栅极绝缘层及第一栅电极。第二晶体管包括第二导电层、第三导电层、第二金属氧化物层、栅极绝缘层及第二栅电极。第一绝缘...
    2026-05-01
  • 用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触
    用于堆叠晶体管的共享源极/漏极接触_国际商业机器公司_202480049122.1
    本发明的实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一晶体管，其具有第一源极/漏极(S/D)区域；第二晶体管，其具有第二S/D区域，该第二晶体管堆叠在第一晶体管的顶部上；以及第一S/D接触，其由第一晶体管的第一S/D区域和第二晶体管的第...
    2026-05-01
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202480003292.6
    提供了用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。在一个方面中，半导体装置包括沿第一方向相互交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。所述第一堆叠体包括：相互交替的一个或多个第一导电层和一个或多个第一隔离层，以及相互交替的第二导电层和第...
    2026-05-01
  • 包含到掺杂半导体源极尖端的顶部源极接触部的三维存储器器件及其形成方法
    包含到掺杂半导体源极尖端的顶部源极接触部的三维存储器器件及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480059915.1
    在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。间隔物材料层被形成为导电层或者随后被导电层替换。穿过交替堆叠形成存储器开口。在存储器开口中形成存储器材料层、半导体源极结构、竖直半导体沟道、电介质芯和漏极区。在形成漏极区之后使半导体源极结构中的...
    2026-05-01
  • 具有均匀单元接触轻掺杂漏极区的竖直布置全环绕栅极晶体管
    具有均匀单元接触轻掺杂漏极区的竖直布置全环绕栅极晶体管_美光科技公司_202480051784.2
    本文中的一些实施方案提供存储器装置及形成方法。所述存储器装置包含竖直布置的多个存储单元及多个对应全环绕栅极晶体管。形成所述存储器装置的方法包含使用单个沟槽来移除衬垫材料且形成界定全环绕栅极晶体管的单元接触轻掺杂漏极区的凹槽。使用单个沟槽来移...
    2026-05-01
  • 存储装置及电子设备
    存储装置及电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480063202.2
    提供一种功耗低的存储装置。该存储装置所包括的存储单元被交错配置且设置在字线与位线正交的交叉区域，并且相邻的字线的高度彼此不同。通过采用这种结构，可以减少每一个字线的存储单元个数，而可以降低读出数据时的功耗。此外，可以将连接于读出放大器的一对...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480063014.X
    提供一种易于微型化的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一电极、第二电极、栅极绝缘层以及栅电极。半导体层具有筒状部分。栅电极具有位于筒状部分的内侧的部分。栅极绝缘层具有位于半导体层与栅电极之间的部分。第二电极具有位于第一电极的上方的部分。...
    2026-05-01
  • 具有用于3D DRAM的厚导电楼梯式阶梯的微电子装置及相关系统及形成方法
    具有用于3D DRAM的厚导电楼梯式阶梯的微电子装置及相关系统及形成方法_美光科技公司_202480061840.0
    一种微电子装置包含堆叠结构，其具有个别地延伸穿过阵列区域而进入与所述阵列区域水平相邻的楼梯区域的层级。所述阵列区域包含至少一个存取装置。所述楼梯区域包含在所述层级的端处具有阶梯的楼梯结构。所述层级中的至少一些个别地包含导电区、绝缘区及半导体...
    2026-05-01
  • 复合体、电磁波吸收体、噪声抑制体以及复合体的制造方法
    复合体、电磁波吸收体、噪声抑制体以及复合体的制造方法_国立大学法人东北大学_202480062978.2
    复合体具备基材和分散于所述基材中的无机材料，所述无机材料具有：母材，具有磁性；和包覆材料，包覆所述母材，并且具有强磁性。
    2026-05-01
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