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最新专利技术
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610187280.4
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中，第一子区设置有第一掺杂叠层，...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法
    一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610148496.X
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件以及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括基底，基底具有电极面，电极面上形成有掺杂区，掺杂区内层置有掺杂半导体层、表面钝化层和金属电极；金属电极至少部分贯穿表面钝化层并与掺杂半导体层接...
    2026-05-01
  • 复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件
    复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610090225.3
    本发明提供了一种复合金属电极及其制备方法、太阳能电池及光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域。所述复合金属电极，包括银种子层、复合界面层、铜主电极层和金属保护层；其中，所述复合界面层为铜银冶金互锁层。本发明采用薄银种子层与电镀厚铜层三维互锁的复...
    2026-05-01
  • 键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法
    键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法_西安电子科技大学_202610072884.4
    本发明属于半导体技术领域，公开了键合拉力增强的终端调制型金刚石核探测器及制备方法，能同时兼顾金刚石核探测器的低阻抗欧姆接触与高键合拉力，其包括：金刚石；位于金刚石表面第一电极区域(氮终端金刚石表面)的键合拉力增强欧姆接触电极；位于金刚石表面...
    2026-05-01
  • 栅线及其制备方法、光伏电池
    栅线及其制备方法、光伏电池_深圳艾普阳激光科技有限公司_202512048875.X
    本申请公开了一种栅线及其制备方法、光伏电池，涉及光伏电池技术领域，其中，栅线的制备方法，包括：在栅线待制件上根据预设图形印刷第一浆料以形成第一栅线；根据预设图形，在第一栅线上印刷第二浆料以形成第二栅线。本申请提供的栅线制备方法，通过在第一栅...
    2026-05-01
  • 一种异质结、制备方法及其应用
    一种异质结、制备方法及其应用_福州大学_202610086836.0
    本发明提供一种异质结、制备方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。本发明的异质结为ZnO纳米阵列/Sb2S3异质结，能够很好地解决Sb2S3薄膜载流子输运能力不足的问题，从而提高Sb2S3薄膜的电导率并增强器件整体的载流子输运性能，能大幅提高S...
    2026-05-01
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202610155560.7
    本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以优化载流子的传输路径，实现载流子的有效收集。背接触电池包括半导体基底、以及设置于半导体基底的背面上的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层和半导体基底的掺杂类型相同，第一半导体层包括...
    2026-05-01
  • 一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池
    一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202610368418.0
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种采用激光诱导晶化工艺的背接触电池制备方法及电池，包括S1082、采用激光诱导晶化工艺，对第二半导体开口区内的至少部分第二掺杂非晶硅层进行激光刻画，使得激光刻画区域的对应部分第二掺杂非晶硅层晶化形成第...
    2026-05-01
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610361405.0
    本申请公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏领域。本申请方法包括：获取半导体衬底；使用电极浆料在半导体衬底表面制备电极；电极浆料包括导电金属颗粒60%~80%，有机载体15~30%，添加剂5~10%；导电金属颗粒包括银粉...
    2026-05-01
  • 一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法
    一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法_鑫琪(苏州)新能源科技有限公司_202610360948.0
    本发明公开了一种光伏太阳能板加工用的贴合装置及方法，涉及光伏太阳能板加工技术领域，包括设置于机箱上的承载台和设置于承载台上方的隔离罩，机箱内设置有第一驱动机构，并用于驱动隔离罩升降；机箱内设置有第二驱动机构，并用于驱动承载台平移；隔离罩内设...
    2026-05-01
  • 一种TBC电池的制备方法及TBC电池
    一种TBC电池的制备方法及TBC电池_一道新能源科技股份有限公司_202610352669.X
    本发明公开了一种TBC电池的制备方法及TBC电池，该制备方法首先提供N型硅基底；其中，N型硅基底的第一表面包括呈叉指状交替排列的第一区域和第二区域，然后在第一区域与第二区域对应的第一表面上依次制备中间间隔层、第一隧穿氧化层和硼扩散掺杂层，并...
    2026-05-01
  • 一种三结柔性太阳电池
    一种三结柔性太阳电池_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202610321087.5
    本发明公开一种三结柔性太阳电池，包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层，所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池；然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜，在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层...
    2026-05-01
  • 太阳能电池封装方法
    太阳能电池封装方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202610089365.9
    本发明提供一种太阳能电池封装方法，涉及太阳能电池生产工艺的技术领域，包括：将基板玻璃和层压玻璃初步封装，并在边缘处预留间隙；在基板玻璃和层压玻璃的间隙内设置填充物，以形成玻璃结构；将玻璃结构置于真空容器中，并对真空容器抽真空处理；通过激光器...
    2026-05-01
  • 一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用
    一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用_福州大学_202610086734.9
    本发明提供一种CdS/Sb2S3薄膜的退火方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。本发明提出CdS/Sb2S3薄膜的退火方法，为双面退火方法，一面在预加热至350‑400℃的第一平台上退火10‑20min，另一面继续在预加热至150‑180℃的...
    2026-05-01
  • 一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用
    一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用_福州大学_202610086361.5
    本发明提供一种CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法及其应用，涉及光伏材料技术领域。CdS/Sb2(S, Se)3异质结的制备方法，在CdS薄膜上沉积CdCl2，进行第一退火，获得第一薄膜；在第一薄膜上沉积Sb2(S, Se)3吸收...
    2026-05-01
  • 一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法
    一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法_西安科技大学_202610014348.9
    本发明公开了一种ZnO@In2O3@CuO纳米半导体复合双异质结及其制备方法。本发明先制备ZnO种子层，再通过水热法制备ZnO纳米线阵列；然后利用溶胶‑凝胶法结合退火处理在ZnO纳米线表面修饰In2O3纳米颗粒和致密包覆的CuO纳米颗粒，制...
    2026-05-01
  • 基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法
    基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法_上海隆宇芯航能源科技有限公司_202610009744.2
    本发明涉及半导体光电器件制造技术领域，公开了一种基于石墨烯/大角度斜切Ge(001)衬底的GaAs太阳能电池的远程外延与剥离方法。该方法核心在于：采用沿[111]晶向10‑15°大角度斜切的Ge(001)衬底作为模板，直接化学气相沉积生长单...
    2026-05-01
  • 一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法
    一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202610000747.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种基于复合衬底与晶圆键合的五结太阳电池及其制备方法，制备方法包括以下步骤：1)制备硅基InP薄膜；2)在硅基InP薄膜上通过MOCVD外延生长正向两结太阳能电池；3)在GaAs衬底上通过MOCVD外延生...
    2026-05-01
  • 一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法
    一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构及制备方法_上海空间电源研究所_202512013296.1
    本发明公开了一种窄带隙热光伏电池虚拟衬底结构的制备方法，包括：在n‑InP衬底上依次外延生长n‑InP缓冲层、m层n‑InAsxPy缓冲层、组分过冲层和晶格硬化层；m层n‑InAsxPy缓冲层中，m=4~8，x=0.1~0.6，y=0.4~...
    2026-05-01
  • 一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池
    一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池_尚义县荣登新能源有限公司_202512010158.8
    本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种硅片的双面制绒方法和一种异质结太阳能电池。本发明提供的硅片的双面制绒方法，包括如下步骤：将N型单晶硅片依次进行清洗、抛光处理、表面氧化层去除和双面高温吸杂处理，得到干净的N型单晶硅片；将所述干净的N型...
    2026-05-01
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