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  • 提供了一种用于附接到旋转轴的旋转装置。该旋转装置包括安装基座和附件。该安装基座包括圆形板、居中地位于该圆形板处并被构造为接纳该旋转轴的容置部、以及连接到该圆形板的安装基座周向侧壁。该周向侧壁包括第一孔口和第二孔口。该附件包括附件周向侧壁,该...
  • 本发明公开一种高功率密度SiC功率模块的封装方法,涉及半导体加工领域。该高功率密度SiC功率模块的封装方法提供功率芯片、第一基板、第二基板、多个导电柱以及散热外壳等关键部件,通过特定工艺步骤实现模块的组装与封装。该高功率密度SiC功率模块的...
  • 本公开涉及模制的直接键合和互连的堆叠。管芯和/或晶片以包括堆叠在内的各种布置被堆叠和键合,并且可以被模制件覆盖以促进处理、封装等。在各种示例中,模制件可以或多或少地覆盖堆叠,以促进与堆叠中的器件的连接,增强热管理,等等。
  • 本发明涉及半导体热压键合技术领域,具体为一种芯片与晶圆的同轴对位装置、热压键合设备及方法。本发明为了解决现有技术中芯片与晶圆的对位精度较低的问题,故提供了一种新的芯片与晶圆的同轴对位装置,包括吊装于三轴移动平台上的隔热壳体,隔热壳体内包括第...
  • 本公开涉及减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤。提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后,通过恢复平坦直接接合表面,制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破...
  • 本公开涉及减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤。提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后,通过恢复平坦直接接合表面,制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破...
  • 本发明提出一种面向晶圆键合机的三自由度微动键合头,涉及超精密压电驱动技术领域,为解决传统键合头结构响应速度慢、多自由度协同微动稳定性差的问题,包括微动台主基板,所述微动台主基板上固定装配有外部框架单元和内部框架单元;所述外部框架单元包括X向...
  • 本发明公开了一种芯片共晶烧结加热方法,属于半导体芯片封装技术领域,包括以下步骤:步骤S1、对芯片的焊接面和基板的连接面进行清洗和活化处理;步骤S2、在基板的连接区域预置纳米级焊料粉末与助焊剂的混合物;步骤S3、将芯片的焊接面与基板上的焊料层...
  • 在一个实施例中,公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片,该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中,该集成器件裸片包括有源电路系...
  • 在一个实施例中,公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片,该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中,该集成器件裸片包括有源电路系...
  • 在一个实施例中,公开了一种集成器件封装件。该集成器件封装件可以包括载体和在该载体的上表面的一部分之上的模制化合物。该集成器件封装件可以包括集成器件裸片,该集成器件裸片安装到该载体并且至少部分地嵌入该模制化合物中,该集成器件裸片包括有源电路系...
  • 本发明涉及多层共烧陶瓷封装基板及外壳技术领域,公开了一种多层共烧陶瓷封装内腔侧壁金属化图形印刷方法,包括以下步骤:按照多层陶瓷生产工艺完成生瓷表面图形及通孔金属化;将腔体图形相同的相邻层按顺序叠压为一个叠层分体;叠层分体上、下表面覆膜,完成...
  • 本发明公开了一种微型高可靠封装结构及其制备方法。所述封装结构包括基板、盖板和位于基板与盖板之间的被封装元件,所述被封装元件与所述基板电性固定连接,并且,在所述基板与盖板之间,除了被封装元件之外的区域内充满可固化的灌封胶,使得灌封胶包围被封装...
  • 本公开提供了一种电子器件及其封装结构、方法、电子设备,涉及电子技术领域,尤其涉及电子封装技术领域。具体实现方案为,电子器件的封装结构包括:基板;所述基板包括主体区域和围绕所述主体区域的边缘区域;功能裸片和虚设裸片,位于所述基板的所述主体区域...
  • 一种电磁屏蔽封装结构制造方法,包括以下步骤:在载板上开芯片容纳槽,对芯片容纳槽的槽壁金属化,形成屏蔽槽和金属化槽壁;在载板下表面粘贴临时键合胶膜;将芯片焊盘面朝上放入屏蔽槽,背面粘接固定于临时键合胶膜上;塑封载板、屏蔽槽及嵌入屏蔽槽的芯片,...
  • 本发明公开了一种用于垂直结构芯片和倒装芯片板级塑封封装的电磁屏蔽结构制造方法,先根据设计要求参数制作底层互联线路层、底层焊盘和屏蔽罩结构的隔断围坝底端外接地点,再制作隔断围坝和实现垂直互联的铜柱,固定贴装塑封芯片后,再逐层增层依次制作垂直互...
  • 本发明属于集成电路封装技术领域,特别涉及一种化合物半导体封装方法及结构。包括:首先将芯片背面共晶金属块备用,然后在临时载板上生长高铜柱,并将贴有金属块的芯片正装在玻璃载板上并进行塑封;接下来通过研磨露出芯片正面pad和铜柱并进行再布线制作,...
  • 本申请公开一种集成电路封装方法,包括步骤1、构建热膨胀渐变缓冲层,在芯片与再布线层之间设置热膨胀系数逐级变化的缓冲过渡层,使不同材料之间的热形变实现平滑过渡,从而降低因热膨胀不匹配导致的界面应力集中;步骤2、引入柔性应力吸收层,在芯片与再布...
  • 本发明提供一种射频键合接地垫片及其制备方法,涉及芯片封装技术领域。该射频键合接地垫片,接地垫片包括衬底、第一种子层、第二种子层和焊盘层;第一种子层和第二种子层分别布设在衬底的上下表面;焊盘层布设在第一种子层的表面;焊盘层用于与待封装的芯片管...
  • 本申请涉及一种基岛结构,属于芯片制造技术领域,其包括基层,基层上设置有若干芯片安装层,若干芯片安装层之间留有预设间距,预设间距能够降低相邻芯片安装层之间的电磁耦合;芯片安装安装层包括芯片安装部和引线连接部,芯片安装部与引线连接部连接;预设间...
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