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最新专利技术
  • 近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法
    近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511887824.X
    本发明提供了一种近结散热的低热阻金刚石基GaN异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括氢终端金刚石衬底的精准制备；PLD法单晶AlN形核层的定向生长；MOCVD法层级外延结构的一体化制备。本发明提供的近结散热的低热阻金刚石基GaN异质...
    2026-04-19
  • 调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法
    调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511886089.0
    本发明提供了一种调制掺杂的氮化铝/金刚石异质结材料及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在金刚石衬底上制备氢终端层，形成氢终端金刚石衬底；在氢终端层上定向生长本征氮化铝层；在本征氮化铝层上调制生长镁掺杂氮化铝功能层，形成层级化的界面电荷输运...
    2026-04-19
  • 一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法
    一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法_广东天域半导体股份有限公司_202512034457.5
    本发明公开了一种改善P型低掺的浓度均匀性以及表面缺陷pits的方法，包括如下步骤：S1、将碳化硅衬底放入碳化硅外延反应腔内的石墨基座上；S2、然后向反应腔通入氢气，进行原位刻蚀；S3、利用化学气相沉积的方法生长N型缓冲层；S4、在缓冲层完成...
    2026-04-19
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202610205611.2
    本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制备方法，存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一金属互连层、导电栓塞、第一电极、阻变层、第一介质层、第二介质层、第二金属互连层、至少两个第二电极和至少两层氧离子储备层；导电栓塞位于第...
    2026-04-19
  • 相变开关器件及其制备方法
    相变开关器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202512006734.1
    本申请提供了一种相变开关器件及其制备方法，属于微波开关器件技术领域。相变开关器件包括器件主体和散热层。器件主体的上表面具有测试压点以及相变区域；散热层覆盖于器件主体的上表面，散热层具有能暴露测试压点的窗口。散热层能吸收相变区域的热量，并与周...
    2026-04-19
  • 一种阻变存储器及其制备方法
    一种阻变存储器及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511996340.9
    本申请公开一种阻变存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域。该阻变存储器，包括顶电极、底电极，以及设置于顶电极和底电极之间的阻变层和应变结构，阻变存储器写入时，应变结构发生形变对阻变层形成压应力，使得阻变层中的氧空位向阻变层的中心聚集；阻变存...
    2026-04-19
  • 凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用
    凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用_中国科学院化学研究所_202511976242.9
    本发明公开了凝胶忆阻器阵列及其制备方法与应用。本发明凝胶忆阻器阵列包括基底、导电Cross‑bar线路和凝胶锥形孔阵列，聚电解质凝胶结构位于第一端开口内至第二端开口内完全填充至导电线路，中性凝胶结构位于第一端开口外与导电线路连接。本发明的凝...
    2026-04-19
  • 一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法
    一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法_华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)_202511955165.9
    本发明提供一种基于二维材料的约瑟夫森结及其制备方法，属于超导量子器件与微纳加工技术领域。在超高真空沉积与原位转移集成系统中进行衬底准备与下电极制备、二维材料干法转移和上电极沉积，最后图形化定义结区得到图形化的约瑟夫森结。本发明实现超导电极与...
    2026-04-19
  • 约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备
    约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411386023.0
    本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该方法包括，通过将面积信息满足预设面积条件的初始约瑟夫森结作为目标约瑟夫森结，并将除所述目标约瑟夫森结外的初始约瑟夫森结作为非目标约瑟夫森结，根据目标约瑟夫森结的面...
    2026-04-19
  • 一种引脚外露感应芯片封装结构及方法
    一种引脚外露感应芯片封装结构及方法_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511910415.7
    本发明公开了一种引脚外露感应芯片封装结构及方法，包括以下步骤：将裸片电性端口处电镀线路一，将电性端口重新布局；部分线路一上电镀线路二，重新布局线路一的电性，线路二延伸至相互垂直的两切割道内，整体包封；裸片背面包封料钻孔并电镀连接柱填充将另部...
    2026-04-19
  • 超导-自旋可切换器件及超导-自旋切换方法
    超导-自旋可切换器件及超导-自旋切换方法_北京科技大学_202610295332.X
    本发明涉及自旋电子学器件与量子信息器件技术领域，提供了一种超导‑自旋可切换器件及超导‑自旋切换方法，所述器件包括：磁性层，所述磁性层具有垂直磁各向异性；以及非磁层，所述非磁层为层；所述磁性层和所述非磁层形成磁性/非磁性异质结；在低于第一温度...
    2026-04-19
  • 一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法
    一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法_佛山大学_202512028433.9
    本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种具有纵向压电效应的硫化锌薄膜材料及其制备方法。本发明以未掺杂ZnS为压电活性材料，采用物理气相沉积技术，在刚性或柔性衬底上依次制备下电极层与ZnS压电活性层，通过调控沉积温度等工艺参数，构建沿<111...
    2026-04-19
  • 一种Cu2O-ZnO掺杂的P(VDF-TrFE)高压电薄膜及其制备方法
    一种Cu2O-ZnO掺杂的P(VDF-TrFE)高压电薄膜及其制备方法_华东理工大学_202511964407.0
    本发明属于压电材料技术领域，涉及一种Cu2O‑ZnO掺杂的P(VDF‑TrFE)高压电薄膜及其制备方法。制备方法：制备表面均匀分布有ZnO种子的P(VDF‑TrFE)基纳米纤维膜后，采用水热法在P(VDF‑TrFE)基纳米纤维膜上生长ZnO...
    2026-04-19
  • 一种高热电性能p型Bi2Te3基热电材料及其制备方法
    一种高热电性能p型Bi2Te3基热电材料及其制备方法_哈尔滨石油学院_202512002717.0
    本发明公开了一种高热电性能p型Bi2Te3基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域，为解决现有技术中缺少将快速凝固法应用于Sn/Ce/Sb多元掺杂碲化铋基热电材料的制备中的问题。本发明技术要点包括：本发明提供了一种高热电性能p型Bi2T...
    2026-04-19
  • 一种诱导晶格平整化的碲化铋基热电材料的制备方法及其应用
    一种诱导晶格平整化的碲化铋基热电材料的制备方法及其应用_武汉大学_202511968418.6
    本发明属于热电材料与器件领域，具体公开一种诱导晶格平整化的碲化铋基热电材料的制备方法及其应用。通过一步水热法合成了PbxBi0.5Sb1.5Te3，随后采用快速退火工艺对原始粉末进行预压，以促进放电等离子烧结过程。结果表明，少量的Pb原子在...
    2026-04-19
  • 钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜及其制备方法与光伏组件
    钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜及其制备方法与光伏组件_漳州旗滨新能源发展有限责任公司_202512033159.4
    本发明涉及一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜及其制备方法与光伏组件。所述钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿前驱体、添加剂与混合溶剂；所述钙钛矿前驱体包括甲脒氢碘酸盐和碘化铅；所述添加剂包括碘化铯和甲胺盐酸盐；所述混合溶剂包括N, N‑二甲基甲酰胺、N...
    2026-04-19
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法
    一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法_广东明阳薄膜科技有限公司_202511874560.4
    本发明提供了一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备方法，所述钙钛矿前驱体溶液包括如下组分：钙钛矿材料、自组装单分子层形成剂、离子液体和溶剂。本发明将特定的SAM材料与离子液体同时掺杂至钙钛矿前驱体溶液中，构建双重保护体系：一方...
    2026-04-19
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、由其制备的钙钛矿活性层及应用
    一种钙钛矿前驱体溶液、由其制备的钙钛矿活性层及应用_中国科学院大连化学物理研究所_202511629653.0
    本申请公开了一种钙钛矿前驱体溶液、由其制备的钙钛矿活性层及应用。所述钙钛矿前驱体溶液含有硫氰酸甲脒FASCN和硫氰酸铷RbSCN的混合物。本申请通过向前驱体溶液中加入混合添加剂硫氰酸甲脒FASCN和硫氰酸铷RbSCN有效促进非活性相δ向活性...
    2026-04-19
  • 一种柔性室内弱光光伏组件及其制备方法和应用
    一种柔性室内弱光光伏组件及其制备方法和应用_苏州尚柔新能源有限公司_202512045046.6
    本发明属于电池技术领域，具体涉及一种柔性室内弱光光伏组件及其制备方法和应用。所述的柔性室内弱光光伏组件包括柔性衬底、导电衬底、空穴传输层、自组装单分子层、钙钛矿活性层、上界面、电子传输层、空穴阻挡层和金属顶电极。本发明提供的柔性室内弱光光伏...
    2026-04-19
  • 一种柔性室内光伏电池组件及其制备方法和应用
    一种柔性室内光伏电池组件及其制备方法和应用_苏州尚柔新能源有限公司_202512044821.6
    本发明属于电池技术领域，具体涉及一种柔性室内光伏电池组件及其制备方法和应用。所述的柔性室内光伏电池组件的其制备方法，包括以下步骤：(1)将ITO衬底进行P1刻蚀，然后超声，干燥，得到清洗后的衬底；(2)将清洗后的沉底进行溅射，得到传输层；(...
    2026-04-19
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