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  • 本公开的实施例提供一种触发器电路和芯片。触发器电路包括:偏置电路、比较电路、上拉电路、下拉电路、负载电路、缓冲器和反相器。其中,偏置电路能够基于电源电压生成偏置电流;比较电路能够比较输入电压和参考电压并输出比较电流信号,输入电压的范围为0V...
  • 本申请提供了一种波纹低通滤波器设计方法及装置,其中,方法包括:沿电磁波方向依次布局用于输入波导口匹配的输入匹配段、用于宽阻带抑制的主抑制段及用于出口波导口匹配的输出匹配段形成排列结构,将排列结构沿第一宽度的窄边间隙对称;设置排列结构中带阻单...
  • 本申请提供一种基于磁耦合路径切换的宽带滤波型180°移相器、芯片及设备,包括射频输入端、磁耦合路径可切换网络、匹配网络及射频输出端。其中,磁耦合路径可切换网络包含第一电感、与其分别构成正负向磁耦合的第二及第三电感、及分别连接第二、三电感的第...
  • 一种移相器包括:I/Q生成器,基于输入信号来生成同相信号和正交相位信号;矢量合成电路,基于同相信号和正交相位信号来生成第一差分信号对和第二差分信号对,并且基于第一差分信号对和第二差分信号对来生成输出信号;第一数模转换器(DAC),将第一电流...
  • 提供多工器,能够使得不大型化并抑制纵耦合谐振器型弹性波滤波器的破损。具备公共连接端子和发送滤波器以及接收滤波器。在发送滤波器的电路结构上,位于最靠公共连接端子侧的位置的谐振器是串联臂谐振器。在接收滤波器的电路结构上,位于最靠公共连接端子侧的...
  • 提供弹性波滤波器以及多工器,能够增大频带外衰减量。具备:纵耦合谐振器型弹性波滤波器,具有n个(9个)IDT电极;和第1基准电位布线以及第2基准电位布线,分别与基准电位连接。纵耦合谐振器型弹性波滤波器具有第1区域和第2区域。在第1区域中,与基...
  • 提供能够抑制在一对振动臂之间的股部发生激振电极之间的短路的压电振动片。压电振动片(3)具备:压电板(30),其具有从基部(35)沿相互相同的朝向伸出的一对振动臂(31、32);以及第1激振电极(41)和第2激振电极(42),其设置于一对振动...
  • 电子器件(1)具备素体(2)和配置于素体(2)内的电感器(L4)以及电感器(L5),从第二方向(D2)观察,在电感器(L4)中相邻的第一电感器导体(13C)与第三电感器导体(13E)所成的第一角度(θ1)为电感器(L4)的第三电感器导体(1...
  • 本发明公开了一种晶圆级晶体晶振MEMS封装方法、封装体及其成品封装方法,属于半导体制造技术领域,其包括在基座晶圆上通过深硅刻蚀形成主体凹槽及旁侧方形硅通孔,填充导电材料构成垂直互连;将晶体引脚固定于通孔顶部;盖板晶圆对应刻蚀凹槽;通过金‑硅...
  • 本发明涉及一种基于回波中心频率的Q值限定匹配电路及其设计方法,该匹配电路连接于压电超声换能器与标准阻抗系统端口之间,为Q值可调的多元件匹配网络,其基于换能器的声学中心频率处的阻抗进行设计,并被配置为在所述声学中心频率附近的一个宽频带内,使换...
  • 本发明属于射频微波无源器件技术领域,公开了一种基于GaAs IPD工艺的对称源‑负载耦合带通滤波器。该滤波器包括集成于GaAs基片上的MIM接地电容、耦合电容、谐振电容及平面螺旋电感,输入端与输出端两侧分别设置对称的Pi型结构,中间由耦合电...
  • 本发明提供了一种采用多层绕线电感制备滤波器芯片及其制备方法,涉及滤波器芯片技术领域,包括输入端口焊盘、输出端口焊盘、多层绕线电感和芯片电容;多层绕线电感包括绕线电感、介质层和金属地,绕线电感设置在介质层上侧,金属地设置在介质层下侧;输入端口...
  • 公开了耦合器和包括耦合器的芯片。所述耦合器包括:第一单元电路,连接在第一差分线对与单端线之间;第二单元电路,连接在第二差分线对与单端线之间;多条传输线,包括连接在第一差分线对与交叉差分线对之间的第一组传输线、以及连接在第二差分线对与交叉差分...
  • 本发明提供的一种开环放大补偿电路、补偿方法及非接触式阀门定位器,该电路包括:霍尔传感器;差分放大模块,其与所述霍尔传感器的输出端级联,以基于所述霍尔传感器的输出电压和补偿电压,产生阀位电压信号;补偿模块,通过两路控制信号改变输出的所述补偿电...
  • 本发明提供了一种CMOS超宽带高增益高功率放大器,涉及功率放大器技术领域,包括多驱动改善型D类放大器和多级紧凑型耦合peaking分布式放大器;多级紧凑型耦合peaking分布式放大器依次相连,输入射频信号通过输入线路连接到第一级紧凑型耦合...
  • 本申请提供了一种数字功率放大器的补偿方法、装置、设备和介质,该方法包括:根据输入的基带信号生成第一数字控制码;根据第一数字控制码,控制导通的电流源单元的数量;利用射频时钟信号,同步驱动所有导通的电流源单元进行开关操作产生目标电流;根据第一数...
  • 本申请属于集成芯片技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器,包括第一晶体管Q0、第二晶体管Q1、第三晶体管Q2、第四晶体管Q3、第五晶体管Q4、第六晶体管Q5、第七晶体管Q6以及第八晶体管Q7,采用第六晶体管Q5作为采...
  • 本发明公开一种具有振铃抑制的发射器电路,适于应用于控制器区域网络,该发射器电路包括:接收发射数据信号并产生控制器区域网络高位准信号与控制器区域网络低位准信号的一控制器区域网络总线驱动电路、接收该控制器区域网络高位准信号的一第一运算转导放大器...
  • 本申请公开了一种跨阻放大电路及光电信号检测系统。该跨阻放大电路应用于光电二极管,包括自举输入级与电容反馈跨阻放大级。自举输入级包含自举放大器与第一耦合电容;自举放大器的同相输入端接光电二极管阴极,输出端经第一耦合电容接光电二极管阳极,形成自...
  • 本发明属于卫星通信领域,涉及低噪声放大器的设计,具体提供一种高带外抑制度低噪声放大器,用以解决现有带外抑制度低噪声放大器因开关电容阵列带来的诸多问题;本发明中低噪声放大器采用两级共源共栅结构,并在其基础上引入三个干扰抑制谐振腔,分别是:LT...
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