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最新专利技术
  • 硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法
    硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202610056728.9
    本发明公开了一种硅光子CIS传感器异质整合封装结构及方法：1)制备光子引擎，集成光/电集成电路并通过铜针垂直互连，光输入端设透镜耦合器；2)将CIS芯片通过微凸块倒装于第一RDL层，感光区镂空，采用TIV技术形成内嵌第一铜柱的垂直互连通道，...
    2026-05-01
  • 一种探测器及其制备方法
    一种探测器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511891890.4
    本发明属于半导体探测器技术领域，具体涉及一种探测器及其制备方法。解决了现有探测器集成结构晶圆面积利用率低、电路与探测器之间串扰噪声高，以及热阻高、需开发传感器和读出电路的异质集成工艺等问题。一种探测器，包括：衬底；读出电路层：设置于所述衬底...
    2026-05-01
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511519428.1
    一种图像传感器包括：衬底，其包括像素阵列区以及设置在像素阵列区的一侧的光学黑区，并具有彼此相对的第一表面和第二表面，第二表面为光入射表面；设置在衬底的第二表面上并与光学黑区重叠的阻挡图案；设置在阻挡图案上的滤光图案；以及覆盖阻挡图案和滤光图...
    2026-05-01
  • 一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用_深圳大学_202610088682.9
    本发明属于光电探测技术领域，公开了一种基于NbS3/WSe2异质结的光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器包括：衬底、栅极介质层、双极性WSe2层、漏极、NbS3层和源极；栅极介质层覆盖在衬底的上表面；双极性WSe2层覆盖在栅极介质层的...
    2026-05-01
  • 一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法
    一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法_香港理工大学深圳研究院_202411490193.3
    本发明属于光电探测器领域，公开一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器自下而上依次包括衬底，六方氮化硼层，底层二维半导体，顶层二维半导体以及覆盖在底层二维半导体和顶层二维半导体不重叠两端的源极和漏极；底层二维半导体位于六方...
    2026-05-01
  • 一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511828404.4
    本发明属于光电子器件技术领域，公开了一种基于范德瓦尔斯三明治异质结的双向偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用，所述双向偏振敏感光电探测器是在SiO2/Si衬底上堆叠ReSe2纳米片/石墨烯/WSe2纳米片的范德瓦尔斯三明治异质结，在上述异质...
    2026-05-01
  • 一种可见-红外图像融合的探测器结构及其制备方法
    一种可见-红外图像融合的探测器结构及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202610121774.2
    本发明公开了一种可见‑红外图像融合的探测器结构及其制备方法，其中探测器结构自下而上为衬底、可见光吸收层、红外光吸收层、金属电极层以及保护层。该结构单片集成了可见光探测器和红外探测器。利用二维半导体原子层层数的自掺杂效应，通过调控原子层层数(...
    2026-05-01
  • 具有STI结构的单光子雪崩二极管
    具有STI结构的单光子雪崩二极管_新加坡商格罗方德半导体私人有限公司_202511362289.6
    本发明涉及具有STI结构的单光子雪崩二极管，一种单光子雪崩二极管(SPAD)装置包括半导体衬底、中心源极/漏极、外源极/漏极，以及位于该衬底的入射表面的该中心源极/漏极与该外源极/漏极间的浅沟槽隔离(STI)结构，其中，该STI结构的宽度是...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件及其形成方法、光电探测器
    一种半导体器件及其形成方法、光电探测器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411496834.6
    本申请提供了一种半导体器件及其形成方法、光电探测器，包括衬底、雪崩倍增层、光吸收层、第一电极和第二电极。所述雪崩倍增层位于所述衬底的表面，所述雪崩倍增层位于所述光吸收层和所述衬底之间。所述光吸收层内掺杂有第一型掺杂剂，所述第一型掺杂剂的浓度...
    2026-05-01
  • 一种光电探测器及其制备方法与应用
    一种光电探测器及其制备方法与应用_深圳大学_202610022540.2
    本发明涉及光电材料技术领域，公开一种光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括依次层叠设置的基底、第一电极层、光电转换层、CdS缓冲层、ITO窗口层及第二电极层；其中，所述CdS缓冲层与ITO窗口层之间设有本征氧化锌(i‑ZnO)层。...
    2026-05-01
  • 紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法
    紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法_国科大杭州高等研究院_202610377327.3
    本发明涉及光电子器件技术领域，公开了一种紫磷体光伏效应光电探测器及其制备方法，该紫磷体光伏效应光电探测器包括：衬底、紫磷活性层和两个电极，紫磷活性层设于衬底的顶面，两个电极分别与紫磷活性层欧姆接触，紫磷活性层吸收入射光，并通过体光伏效应产生...
    2026-05-01
  • 一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法
    一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法_宁波大学_202511845910.4
    本发明公开了一种紫外波段的垂直型光电探测器及其制备方法，该垂直型光电探测器包括从上到下层叠的顶电极、HZO薄膜层、底电极、绝缘层和衬底，绝缘层材料为二氧化硅，顶电极材料为ITO，底电极包括上下层叠的Pt金属层和Ti金属层；优点是能够保证底电...
    2026-05-01
  • 一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件
    一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件_同享(苏州)电子材料科技股份有限公司_202610092752.8
    本发明涉及新型导体材料技术领域，具体涉及一种铜包铝高效圆形焊带及其制备方法、光伏组件。该焊带包括由内至外设置的铝芯、铜层、银包铜涂层及锡基合金层。其制备方法包括提供铜包铝基材、涂覆银包铜涂层、热浸镀锡基合金等步骤。光伏组件则采用上述焊带，并...
    2026-05-01
  • 太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法
    太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法_合肥协鑫集成新能源科技有限公司_202411498656.0
    本公开涉及一种太阳能电池串、太阳能电池模块及太阳能电池串的制备方法，太阳能电池串包括布线构件和至少两个背接触太阳能电池，布线构件将背接触电池串联，布线构件包括导电内芯和覆在导电内芯外表面的电绝缘的有机可焊性保护层；其中，背接触太阳能电池的背...
    2026-05-01
  • 一种太阳能光伏组件边框及其制备方法
    一种太阳能光伏组件边框及其制备方法_滁州瑞达新能源材料有限公司_202610076057.2
    本发明公开了一种太阳能光伏组件边框及其制备方法，属于光伏框架技术领域。本发明边框外侧为单层玻璃纤维毡，内里为纤维束，所述玻璃纤维束的轴向与边框的长度方向一致；通过将纤维毡包裹的纤维束和树脂混合后成型固化获得，边框密度为2.0‑4.5g/cm...
    2026-05-01
  • 一种双面光伏组件及其制备方法
    一种双面光伏组件及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202610035799.0
    本发明涉及光伏领域，具体而言，涉及一种双面光伏组件及其制备方法。所述的双面光伏组件，包括自上而下依次层叠设置的前板玻璃、封装层、太阳能电池片、封装层和玻璃背板；所述玻璃背板在380~1100nm波长范围内的平均透光率不低于90%；所述封装层...
    2026-05-01
  • 一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法
    一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512029940.4
    本发明提供一种薄膜太阳电池串组件及其制备方法，用于太阳电池技术领域；该组件包括柔性基膜、多个串联的太阳电池片和固定条；多个太阳电池片沿第一方向设置于柔性基膜上；太阳电池片的上方设有固定条，固定条沿垂直于第一方向的两端粘接于柔性基膜。本发明降...
    2026-05-01
  • 一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件
    一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件_昆山协鑫光电材料有限公司_202610369536.3
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏电池组件，太阳能电池包括：基板；以及电池层，电池层位于基板的一侧；电池层包括：多个线槽组，多个线槽组将电池层划分为多个串联的子电池，多个线槽组中的线槽沿第一方向延伸，沿第二方向间隔设置；第一方向与...
    2026-05-01
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610369642.1
    本申请涉及背接触电池技术领域，特别是涉及背接触电池及光伏组件。在本申请实施例中，通过调整第一钝化接触层沿第一区和第二区的排布方向的尺寸、位于第二区上的第二钝化接触层沿第一区和第二区的排布方向的尺寸，以及利用第一钝化接触层沿第一区和第二区的排...
    2026-05-01
  • 背接触电池及其制作方法、光伏组件
    背接触电池及其制作方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610343271.X
    本申请涉及一种背接触电池及其制作方法、光伏组件。背接触电池包括：基底，基底包括相对设置的第一面和第二面，以及连接第一面和第二面的侧表面；第一面设有交替设置的第一区和第二区，第一区与第二区的导电类型不同；第一区包括远离基底依次设置的隧穿层、第...
    2026-05-01
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